电子电气产品抗电强度试验的应用

电子电气产品的抗电强度试验是产品型式评价中的基本试验内容.理解抗电强度试验的目的和原理,了解材料绝缘、介电击穿的原理,能够让标准制定者和实施者加深对试验的认识,帮助试验人员正确实施抗电强度试验.合理设置试验仪的失效电流门限,可以减少对试验结果的误判,提高试验效率,保护试验仪器与受试设备.另外还介绍了一些抗电强度试验中的...     

长脉冲GW级HPM大气击穿时间分析

结合电子流体方程与Maxwell方程组,对单脉冲高功率微波(HPM)大气击穿过程进行仿真,采用时域有限差分方法(FDTD)并结合HPM自生等离子体的特征参数,仿真了不同压强和场强下单脉冲HPM自生等离子体的参量变化,分析了HPM频率为6.4 GHz时,不同场强、压强下的大气击穿时间,并开展了大气击穿实验加以验证。理论分析与实验结果表明,实验与理论分析结果一致,压强与场强的变化对大气击穿时间均有显著影响,原因在于场强和压强对大气击穿种子电子浓度的变化起决定性作用,进而影响大气击穿时间。场强为kV/cm量级时,大气击穿时间在10 ns量级,在相同的场强下,随着压强的增大,击穿时间会先减小再增加。相同的大气压强条件下,场强越高,大气击穿时间越短。     

激光诱导火花点火击穿阈值分析及试验对比

激光诱导火花点火具有点燃稀混合气从而降低排放的潜力,因此成为近年来内燃机燃烧的研究热点之一。对激光诱导火花点火击穿阈值解析式的量纲进行了分析,并与文献中的试验结果进行了对比。理论预测及试验结果均表明：当环境压力为大气压力或内燃机压缩终了压力、同时激光波长为1064nm或532nm时,激光诱导击穿阈值随压力的增大而减小,...     

PTC元件耐压试验击穿保护装置

PTC半导体陶瓷材料在国外70年代已大量应用,我国在80年代后期也开始大批量生产。由于PTC材料的许多优点如传热快、无明火、温度自控、节能、寿命长等等已被人们所认识,开发应用该材料的厂家愈来愈多,其需求量逐年急剧上升。专业制造厂在控制大批量生产中的每一元件的质量已显得极为重要。     

新型功率器件SON-LDMOS的设计和研究

本文提出了一种新型的对称式SON LDMOS功率器件.在对器件击穿电压进行解析分析的基础上,利用Silvaco TCAD仿真软件Atals验证了漂移区设计对器件击穿电压的影响,证明了峰值击穿电压的存在.并且对比分析了SON　LD-MOS与SOI LDMOS击穿电压和寄生电容方面的优势,研究表明SON LDMOSD在击穿电压上比SOI LDMOS器件提高了近3倍,并且其寄生电容也较小,这为SON LDMOS在功率方面的应用提供了部分理论支持.     

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过sil-vaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。     

电子产品的静电防护（上）

这篇文章介绍了静电的产生机理及其形成过程，详细论述了电子产品及通信产品在生产、制造、包装、运输等过程中静电防护的主要途径、措施以及所涉及的相关技术，并提出了静电防护的工艺要求。     

电气强度试验结果辨析

分析电气强度测试的原理和目的,指出电气强度测试作为一种加速测试方法,片面调整相关测试参数是不符合测试目的的.同时,比较电气强度测试的判定方法在型式试验和常规检测中不同的原因,指出正确判定电气强度测试中绝缘材料击穿的方法,重点是围绕绝缘材料被击穿后呈现出导体特性的特点,考察相关电参数的变化特征,以此判定绝缘材料是否被击穿.     

薄栅介质TDDB效应

在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)的可靠性表征方法.对相关击穿电荷量QBD进行了实验测试和分析.结果表明:相关击穿电荷量QBD除了与氧化层质量有关外,还与应力电压和应力电流密度以及栅氧化层面积有关.对相关系数进行了拟合,给出了QBD的解析表达式.按照上述表达式外推的结果和实验值取得了很好的一致.提出了薄栅介质TDDB效应的表征新方法.     

薄栅介质TDDB效应

在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性 ,研究了 TDDB(Tim e Dependent DielectricBreakdown)的可靠性表征方法 .对相关击穿电荷量 QBD进行了实验测试和分析 .结果表明 :相关击穿电荷量 QBD除了与氧化层质量有关外 ,还与应力电压和应力电流密度以及栅氧化层面积有关 .对相关系数进行了拟合 ,给出了 QBD的解析表达式 .按照上述表达式外推的结果和实验值取得了很好的一致 .提出了薄栅介质 TDDB效应的表征新方法     

电介质强度试验击穿判定电流值的选取

从电介质的结构特点和产生电击穿的原因、过程以及人体遭受不同电流宏电击危险时的反应两个方面，论述了电介质强度试验中击穿判定电流值的选取原则，并以微电击危险和试验回路中存在较大分布电容的情况，作了补充分析、说明。     

具有抑制边缘击穿的层叠结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管的设计

通过有限元分析设计了具有抑制边缘击穿的层叠边缘结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管. 通过仔细地控制中央区域结的深度,光电二极管的击穿电压降至54.3V; 同时通过调整InP倍增层的掺杂浓度和厚度,沿器件中轴的电场分布也得到了控制. 在有源区的边缘采用层叠pn结结构有效地抑制了过早边缘击穿现象. 仿真模拟显示四层层叠结构是边缘击穿抑制效果和制造工艺复杂度的一个好的折衷方案,该结构中峰值电场强度为5.2E5kV/cm,空穴离化积分最大值为1.201. 本文提供了一种设计高性能的InGaAs/InP光子计数雪崩光电二极管的有效方法.     

新型Resurf LDMOS器件的电参数设计

本文简要地介绍了应用于LDMOS器件的一种最新技术——Resurf技术及其击穿机理,总结了该器件的击穿电压、导通电阻以及外延层电阻率的一些设计思想。     

具有抑制边缘击穿的层叠结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管的设计

通过有限元分析设计了具有抑制边缘击穿的层叠边缘结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管.通过仔细地控制中央区域结的深度,光电二极管的击穿电压降至54.3V;同时通过调整InP倍增层的掺杂浓度和厚度,沿器件中轴的电场分布也得到了控制.在有源区的边缘采用层叠pn结结构有效地抑制了过早边缘击穿现象.仿真模拟显示四层层叠结构是边缘击穿抑制效果和制造工艺复杂度的一个好的折衷方案,该结构中峰值电场强度为5.2×105kV/cm,空穴离化积分最大值为1.201.本文提供了一种设计高性能的InGaAs/InP光子汁数雪崩光电二极管的有效方法.     

气体放电管性能的研究与改善

综述了过电压保护气体放电管的性能和原理，从结构设计、材料选用、工艺规范等方面介绍了改善直流击穿电压、冲击击穿电压、耐流能力等性能的方法及应达到的标准。     

低气压介质阻挡放电击穿特性的研究

实验研究了在He、Ne、Ar中低气压低频介质阻挡放电的击穿特性.这种介质阻挡放电的电流波形是一系列脉冲,它是由外电场作用下的电子繁流和壁电荷电场对繁流的猝灭作用的结果.考虑了击穿过程中带电粒子的扩散损耗,实验研究和理论分析表明其击穿电压明显高于按Paschen定律计算所得结果,并分别依赖于气压和极间距离,而不是两者的乘积.离子诱导二次电子发射系数和击穿瞬间的电子平均能量也可用测量其不同极间距离的击穿特性来近似地确定,本文讨论了这种放电击穿特性的实验结果和理论分析.     

CRT管颈击穿分析

ＣＲＴ的生产和使用中，因高压打火而造成管颈击穿，主要有三种类型，纵向炸裂，径向击穿和横向炸裂。本文分析了这三种管颈击穿的失效机理及其对策。