Ne^3P0,2）与乙腈的能量转移反应研究

在流动余辉装置上，我们研究了亚稳态原子Ｎｅ（＾３Ｐ０，２）与乙腈的能量转移反应，观察到了ＣＮ（Ａ－Ｘ），ＣＮ（Ｂ－Ｘ），ＣＨ（Ａ－Ｘ）的发射谱。计算了ＣＮ（Ａ，Ｂ）的相对振动粒子数布居，并对该反的机理进行了讨论。     

用Ti（OC3H7）4制备Ti（CN）涂层研究

文章叙述了采用金属有机物四异丙基钛（Ｔｉ［ＯＣ３Ｈ７］４］为钛温，在外加热ＰＣＶＤ设备上沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层。并对涂层进行了其显微硬度测量，扫描电镜（ＳＥＭ）观察和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析。结果表明，此法制备的Ｔｉ（ＣＮ）涂层其显微硬度可达标１５６００Ｎ／ｍｍ２，膜层结构仍为在状晶，Ｔｉ（ＣＮ）晶体的ｄ（２００）随着炉温的升高和Ｈ２．Ｎ２比的增大在逐渐变化。     

GaAs衬底层选择性腐蚀技术

本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。     

ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征

本文利用化学共沉淀法分别制得Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２以及Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ｓｂ（ＯＨ）３、Ｂｉ（ＯＨ）３、Ｓｎ（ＯＨ）４、Ｃｏ（ＯＨ）３、ＭｎＯ（ＯＨ）２两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ＺｎＯ及相应的添加剂陶瓷复合粉体．ＴＥＭ分析结果表明：两种陶瓷复合粉体的粒径均小于１００ｎｍ．利用前者,通过添加适当的Ａｌ２Ｏ３和ＭｇＯ,制备出了电阻率约１０～２０００Ω·ｃｍ,Ｖ－Ｉ特性较好的ＺｎＯ线性陶瓷电阻．利用后者,通过适当的杂质配比,在１００     

亚稳态He(2~3S)原子与N_2H_4分子传能产物的发光研究

本文在流动余辉装置上,研究了亚稳态Ｈｅ（２~３Ｓ）原子与Ｎ２Ｈ４分子碰撞传能,观察到了激发态产物ＮＨ（Ａ３Π→Ｘ３∑＋）、 ＮＨ（ｃ１∏→ａ１△）、 ＮＨ２（Ａ２Ａ１→Ｘ２Ｂ１）的发射光谱,由相对光谱强度求得了形成各产物的通道比;分析 ＮＨ（Ａ３∏,ｖ′＝ ０）的转动分辨谱的结果表明,ｖ′＝０能级上的转动布居是“双模”分布, 激发态产物 ＮＨ（Ａ）、 ＮＨ２（Ａ）的形成机理可能是： Ｈｅ（２～３Ｓ＋Ｎ２Ｈ４→Ｎ２Ｈ４→ＮＨ（Ａ）＋ＮＨ２（Ａ）＋Ｈ．     

DC—3CN中央控制器输出信息处理系统

ＤＣ—３ＣＮ中央控制器输出信息处理系统武汉市电信局王志伟，张明，朱宇飞，王嵩，徐凌燕一、ＤＣ—３ＣＮ中央控制器功能简介ＤＣ—３ＣＮ中央控制器（以下简称中控器）用于接收来自磁卡公用电话ＤＣ—３ＣＮ（以下简称电话机）的故障信息及进行话务管理、数据修改，并...     

Al_2O_3-WO_3材料的激光合成研究

采用大功率ＣＯ２激光器合成出了Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料。测量其阻－温特性表明合成样品具有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性，微观分析结果证明激光合成样品由Ａｌ２Ｏ３、ＷＯ３、Ａｌ２（ＷＯ４）３、ＡｌｘＷＯ３四相组成，而起导电作用的是ＡｌｘＷＯ３这一非平衡反应产物。常规烧结工艺合成Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料所得试样没有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性。     

MOVPE生长Ga（CH3）3—AsH3—H2体系中砷的形态转化及砷的治理

在热力学分析的基础上，计算了在Ｇａ（ＣＨ３）３－ＡｓＨ３－Ｈ２体系中在５００Ｋ－１２００Ｋ的温度范围内，可能的含砷及砷化物的形态和浓度。同时通过大量的模拟实验找出了去除尾气中砷的最好方法，还研制出用三级逆向喷淋法的治理设备，对尾气进行治理，治理后的尾气含砷量含量符合国家排放标准。     

MOVPE生长Ga（CH_3）_3—AsH_3—H_2体系中砷的形态转化及砷的

在热力学分析的基础上，计算了在Ｇａ（ＣＨ３）３—ＡｓＨ３—Ｈ２体系中在５００Ｋ—１２００Ｋ的温度范围内，可能的含砷及砷化物的形态和浓度．同时通过大量的模拟实验找出了去除尾气中砷的最好方法，还研制出用三级逆向喷淋法的治理设备，对尾气进行治理．治理后的尾气中砷的含量符合国家排放标准．     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

MC68HC05SR3芯片介绍

ＭＣ６８ＨＣ０５ＳＲ３芯片介绍黄小平一、基本结构及特征ＭＣ６８ＨＣ０５ＳＲ３ＨＯＭＯＳ微控制器是低功耗单片微控制器Ｍ６８ＨＣ０５家族的一员。这个Ｓ位的微控制器单元（ＭＣＵ）包含有在片振荡器，ＣＵＰ、ＲＡＭＥＯＭ、Ｉ／Ｏ，定时器及Ａ／Ｄ。ＭＣ６８ＨＣ０...     

GaAs（100）表面钝化和Mg／S／GaAs界面的SRPES研究

应用同步辐射光电子谱（ＳＲＰＥＳ）表征了一种新的ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液体系处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这说明ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液处理的ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，发现ＡＳ的硫化物不稳定，分解或反应生成Ｇａ－Ｓ成分和元素态Ａｓ；室温下，Ｍｇ淀积硫钝化的ＧａＡｓ表面的实验结果表明，Ｍｇ置换ＧａＳ的Ｇａ成为金属Ｇａ偏析到表面，而硫以ＭｇＳ     

复合物p—C6H4F2...NH3（ND3）外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ３）的共振双光子电离光谱。光谱分析表明,复合物分子间的伸 振动频率为８６．４ｃｍ＾－１;由复合物光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键有的关系。获得了复合物电子激发态Ｓ１和基态Ｓ０的键能信息。Ａｂｉｎｉｔｉｏ计算表明,ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ）复合物的几何结构是：ＮＨ３分子中的Ｎ原子位于垂直ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２     

C-H体系CVD金刚石薄膜

化学气相淀积金刚石薄膜过程中,ＣＨ３和Ｃ２Ｈ２是金刚石生长的主要前驱基团。Ｃ２Ｈ２与ＣＨ３浓度比（［Ｃ２Ｈ２］／［ＣＨ３］）的变化将影响金刚石薄膜的生长取向。用非平衡热力学耦合模型设计了Ｃ－Ｈ体系ＣＶＤ金刚石薄膜生长过程中Ｃ２Ｈ２浓度和ＣＨ３浓度随淀积条件的变化,并进一步获得了［Ｃ２Ｈ２］／［ＣＨ３］随衬底温度和ＣＨ４浓度的变化关系,从理论上探讨了金刚石薄膜（１１１）面和（１００）面取向生长与淀积     

高温高频用改性PbTiO3压电陶瓷材料研究

研究了Ｐｂ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｂｉ２／３（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｂｉ（Ｃｄ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３改性的ＰｂＴｉＯ３陶瓷的高温高频压电性能。结果表明，对ＡＢＯ３型钙钛矿结构的ＰｂＴｉＯ３进行Ａ、Ｂ位复合取代可得到压电性能优良，适合于高温高频应用的压电陶瓷材料。其优良的压电性能及较好的温度稳定性与Ａ位取代的Ｂｉ３＋离子价态、离子半径及Ｂ位取代的复合钙钛矿结构化合物较高的居里温度有关     

复合物p-C_6H_4F_2…NH_3(ND_3)外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物 ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２…ＮＨ_３（ＮＤ_３） 的共振双光子电离光谱．光谱分析表明。复合物分子间的伸缩振动频率为 ８６．４ ｃｍ~（－１）;由复合物的 光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键能的关系,获得了复合物电子激发态 Ｓ_１和基态 Ｓ_０的键能 信息．Ａｂ ｉｎｉｔｉｏ　计算表明,ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_５…ＮＨ_３（ＮＤ_３）复合物的几何结构是：ＮＨ_３分子中的 Ｎ 原子位于垂直于ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２分子环面的对称轴（Ｚ轴）上,距环面的高度为 ０．３５２ｎｍ; ＮＨ_３的 Ｃ_３轴与ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２的对称轴夹角是 ５２．５°;且一个氢原子朝向环面; ＮＨ_３可绕 Ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２分子 的Ｚ轴近似的自由转动．键能计算值和预计存在的内转动与实验吻合．     

HA808（Ⅶ）P／TDL电话机原理分析与检修

ＨＡ８０８（Ⅶ）Ｐ／ＴＤＬ电话机原理分析与检修黎启江１电路工作原理分析ＨＡ８０８（Ⅶ）Ｐ／ＴＤＬ电话机电原理因如附图所示。（１）输入电路：由Ｃ２、Ｃ３、ＲＶ１、ＳＷ１－１、ＶＤ１～ＶＤ４、Ｒ９、ＲＶ２等元件组成。Ｃ２、Ｃ３为线路输入抗干扰电容；ＲＶ１...     

新型陶瓷刀具材料JX—2—I组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ２Ｏ３），ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ），ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）和ＪＸ－１（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ｉ具有较高的抗弯强度（σｂｂ）和断裂韧性ＫＩＣ，研究结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的主要增韧机理是界面解离，裂纹偏转和晶须拔     

铝—RIE刻蚀工艺

干法刻铝中,ＢＣｌ３添加Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３和Ｎ２,可改变Ａｌ的刻蚀速率、Ａｌ对ＳｉＯ２和胶的选择性、线宽和胶膜质量,其中Ｃｌ２流量影响最大。此外,本文还给出了ＲＦ功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不态低的气压（ＢＣｌ３：Ｃｌ２：ＣＨＣｌ３：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ：１５ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ：０￣５０ｓｃｃｍ,２００ｍＴｏｒｒ,２００Ｗ）可以实现细线条（０．６μｍ）Ａｌ的刻蚀。     

掺CaO和MgO的钼板在氢气气氛下二次再结晶

掺ＣａＯ和ＭｇＯ的钼板在含Ｏ２的Ｈ２气氛下进行再结晶退火，用光学、扫描和透射电镜对再结晶试样分析。此外为了认识化学添加过程，把干燥添加剂（Ｃａ，Ｍｇ）（ＮＯ３）２进行热分解并用ＤＴＡ和ＴＧＡ方法进行分析。用Ｘ射线衍射扫描鉴定热分解产物。在１０００℃预烧３．６×１０＾３秒的过程中，添加剂反应生成ＣａＯ，ＭｇＯ和Ｃａ（ＯＨ）２。预烧毛坯在Ｈｅ（惰性）气氛下２０００℃烧结过程中，由于内氧化而生面ＭｏＯ２