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利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物 p-C_6H_4F_2…NH_3(ND_3) 的共振双光子电离光谱.光谱分析表明。复合物分子间的伸缩振动频率为 86.4 cm~(-1);由复合物的 光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键能的关系,获得了复合物电子激发态 S_1和基态 S_0的键能 信息.Ab initio 计算表明,p-C_6H_4F_5…NH_3(ND_3)复合物的几何结构是:NH_3分子中的 N 原子位于垂直于p-C_6H_4F_2分子环面的对称轴(Z轴)上,距环面的高度为 0.352nm; NH_3的 C_3轴与p-C_6H_4F_2的对称轴夹角是 52.5°;且一个氢原子朝向环面; NH_3可绕 P-C_6H_4F_2分子 的Z轴近似的自由转动.键能计算值和预计存在的内转动与实验吻合. 相似文献
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复合物p—C6H4F2...NH3(ND3)外部振动的共振双光子电离光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物p-C6H4F2...NH3(ND3)的共振双光子电离光谱。光谱分析表明,复合物分子间的伸 振动频率为86.4cm^-1;由复合物光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键有的关系。获得了复合物电子激发态S1和基态S0的键能信息。Abinitio计算表明,p-C6H4F2...NH3(ND)复合物的几何结构是:NH3分子中的N原子位于垂直p-C6H4F2 相似文献
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本文在流动余辉装置上,利用亚稳态惰性气体原子《He(2^3S),Ne(3P0,2),Ar(3P0,2)》与SOCI2专能反应,在(230-430nm)波段观察到了产物的发射谱,光谱归属为自由基SO(A^3П2,1,0→X^∑^-)的跃迁。对光谱强度分析表明:SO(A→X)的偶极跃迁矩Re随核间距明显地变化。通过拟合,找出了这一变化的关系。另外,本文还计算了SO(A^3П0→X^3∑^-)跃迁的... 相似文献
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本文在流动余辉装置上,研究了亚稳态He(2^3S)原子与C2H3CN分子碰撞传能,观察到了激发态产物CN(A,B)、CH(A)H的发射光谱。 相似文献
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HF和HCl化学激光粒子数反转的原子分子机理 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用多体展式理论方法的势能函数对H2F和H2Cl+体系进行了准经典轨线计算。结果表明,反应F+H2(V=0,J=0)→HF(V′,J′)+H可以产生基频与泛频的HF化学激光,且在8~42kcal·mol-1范围内选择相对平动能时产物HF分子在V′=2和V′=0之间的粒子数反转较明显。放能反应Cl+H+2(V=0,J=0)→HCl(V′,J′)+H+的产物HCl分子在振动态上的分布存在粒子数反转现象,而非反应碰撞H++HCl(V=0,J=0)→HCl(V′,J′)+H+在所计算的能量范围内没有出现粒子数反转的现象。 相似文献
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介绍了国产操作系统COSIXV1.2和COSIXV.20国产系统软件平台COSAV1.0。COSAV1.0由国产操作系统COSIXV1.2,国产网络系统CONETV1.0,国产数据库管理系统COBASEV1.0以及国产编程软件C、C++、FGortran90等构成。COSIXV1.2遵循国际法标准POSIX.1、工业标准XPG3,与主流UNIX系统SVR4二进制兼容。COSIXV2.0是基于微内核 相似文献
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硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
实验研究表明热生长13nm薄SiO2的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系.氧化前稀HF酸及HF/乙醇漂洗不会提高热氧化薄SiO2的可靠性;氧化前用NH4OH/H2O2/H2O(0.05∶2∶5)溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄SiO2可靠性很有效;用H2SO4/H2O2(3∶1)溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显,在之前增加比例为0.05∶2∶5或1∶2∶5的NH4OH/H2O2/H2O溶液清洗和稀HF酸漂洗效果更好.另外,薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗 相似文献
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1概述AN80LXXRMS系列产品是日本松下公司生产的带有复位功能的正极输出电压调节器集成电路。它的输出电流为0.15A ,具有20个可供选择的输出电压 ,分别为 :1.8V、1.9V、2.0V、2.1V、2.2V、2.5V、2.8V、2.9V、3.0V、3.1V、3.2V、3.3V、3.4V、3.5V、3.6V、4.8V、4.9V、5.0V、5.1V和5.2V。AN80LXXRMS系列集成电路采用小型表面装贴5脚塑料封装。体积小 ,重量轻。特别适合于小型便携式设备和各种仪器仪表的电源系统。AN80LX… 相似文献
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氟氧化物玻璃陶瓷综合了传统激光晶体和激光玻璃的优点,是近年来激光材料研究的新热点。我们制备了掺杂Er离子的SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2玻璃陶瓷材料,并对其显微结构进行了初步研究。 相似文献
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Y. F. Li M. E. Loomans K. C. Goretta S. E. Dorris M. T. Lanagan R. B. Poeppel J. J. Wenzlaff P. M. Winandy C. A. Youngdahl U. Balachandran P. Kostic 《Journal of Electronic Materials》1994,23(11):1163-1167
Three phase assemblages were used to produce Bi2Sr2CaCu2Ox (2212) during sintering: a mixture of 20% Ca-rich 2212+80%2212, partially synthesized 2212, and Bi2Sr2CuOx (2201)+(1/2 Ca2 CuO3+1/2 CuO) (denoted 0011). The mixture of 2201+0011 produced highly pure 2212 within 50 h of heating in air at ≈850°C. Ag tubes
were filled with a mixture of 2201+0011 and worked into tapes by a powder-in-tube process. Heat treatments produced microstructures
consisting of small, highly textured 2212 grains. Tc values were ≈70K. Transport Jc values at 4.2K were ≈104 A/cm2. 相似文献
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We performed thermoelectric characterizations on TlCu3Te2: (Tl1+)(Cu1+)3 (Te2−)2 and TlCu2Te2: (Tl1+)(Tl3+)(Cu1+)4(Te2−)4, in order to understand the relationship between the thermoelectric properties (especially the lattice thermal conductivity
κ
lat) and the valence states of Tl. The thermal conductivity of TlCu2Te2 is high (about 8 W m−1 K−1), while that of TlCu3Te2 is extremely low (around 0.5 W m−1 K−1) like other thallium tellurides. This high κ of TlCu2Te2 was caused not only by its large electronic contribution but also by its intrinsically high κ
lat. The present study implies that the valence states of Tl would play some important roles in determining the magnitude of
κ
lat. 相似文献
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环F2+uF2上长为2e的循环码 总被引:5,自引:0,他引:5
近十多年来,有限环上的循环码一直是编码研究者所关心的热点问题,本文证明了R[x]/<xn-1>不是主理想环,其中R=F2 uF2,u2=0且n=2e.分3种情形讨论了环R[x]/<xn-1>中的非零理想,并给出了R上循环码的可以唯一确定的生成元的表达形式,同时给出了R上循环码的李距离的一个上界估计. 相似文献
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氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 总被引:6,自引:2,他引:4
对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出氮化 H2 - O2 合成氧化方法抗辐照性能最佳 ,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势 ;并对氮化 H2 - O2 合成栅的抗辐照机理进行了研究 相似文献