600MW汽轮发电机组励磁系统故障跳闸分析及处理措施

某600 MW汽轮发电机组发生跳闸故障,判断跳闸原因为励磁调节器灭磁控制板或霍尔元件受到干扰后,保护系统误判断灭磁电阻投入触发灭磁条件,励磁系统故障造成发变组非电量保护动作,导致发变组跳闸联跳汽轮发电机组。提出了更换灭磁控制板、消除霍尔元件干扰磁场等处理方法。     

NSRL表面物理线站的性能测试及角分辨光电子能谱实验

介绍了中国科技大学国家同步辐射实验室（NSRL）表面物理站的调试及获得的初步结果。利用光电二极管进行了光束线光通量的测试,分别得到了3块光栅的光通量响应曲线。利用纯金样品的二次谐波和费米边分别对高能和低能部分的入射光子能量进行了标定,并给出了系统的能量分辨率。最后用同步辐射零级光和激光束对实验站的电子能量分析器进行准直,用Cu单晶样品的角分辨光电子能谱实验测试了整个系统的性能,结果表明,NSRL表面站能够满足用户开展角分辨光电子能谱实验的要求。     

XPS研究Fe2O3纳米粒子表面包覆无机膜

针形铁黄纳米粒子表面包覆无机物如Si、Co等氧化物形成复合纳米粒子，是改善金属磁性记录粉性能的重要方式。采用ICP，TEM，XPS方法研究复合纳米粒子的表面性质，结果表明包硅复合粒子的表面形成均匀、致密的SiO2薄膜，表面层与基体表面间的界面结构类似异质结，导致粒子的XPS谱图中Fe 2p谱峰发生2.7eV的化学位移；而包钴复合粒子由于钴在铁黄表面的吸附发生在部分晶面上而无法形成均匀、致密的薄膜，XPS谱图主要发生因表面荷电而导致的物理位移。     

Sm在GaAs（100）表面的吸附和界面反应的SRPES研究

利用同步辐射光发射研究了Ｓｍ／ＧａＡｓ（１０）界面形成．高分辨的芯能级谱结果表明，在低覆盖度下（＜０．１ｎｍ），Ｓｍ与衬底的作用较弱，形成较突出的金属／半导体界面．当Ｓｍ的覆盖度增加时，Ａｓ和Ｇａ的表面发射峰很快消失，表明Ｓｍ与Ｇａ发生置换反应而与Ａｓ形成化学键．同时，Ｇａ原子会向Ｓｍ膜体内扩散且偏析到Ｓｍ膜表面，而Ａｓ－Ｓｍ化合物只停留在界面区域．当Ｓｍ膜厚度达到０．５ｎｍ时，Ｓｍ膜开始金属化．结合理论模型，文中还详细地讨论了界面形成和界面结构．     

星空背景数字图像生成方法研究

随着空间监视相机灵敏度的提高,探测到的恒星星等越来越高,而现有基于星表数据的星空背景生成技术已难以满足要求。为了更好验证空间目标检测与跟踪算法,提出一种相机在回路的星空背景数字图像生成方法。该星空背景数字图像生成方法依据光度量与辐射度量的关系,提出恒星成像信号强度计算模型;通过星图软件SKYMAP,对天区内恒星数目及星等进行统计,得到相机观测视场内恒星数目与星等的统计函数;综合恒星成像信号强度计算模型、恒星数目及星等的统计函数与恒星在焦面的成像特性,提出基于全天区统计的星空背景数字图像生成方法。该方法可生成任何星等范围内的星空背景图像。最后,基于相机CCD与光学系统参数,对星空背景数字图像生成方法进行仿真。     

硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响

利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 .     

NSRL可变包含角光栅单色器的计算机控制

随着同步辐射光束线技术的发展,单色器的分辨率越来越高,采用的复杂机构要求极高的机械转动和直线运动精度,对光束线控制软件的性能提出了新的要求。另一方面,同就辐射实验室新建光束线的数量逐渐增多,对控制软件设计的压力增大,希望有一种可移植的、标准化的控制软件。变包含角球面光栅单色器使用分层控制技术,层之间用以太网联接。底层是硬件抽象层,直接处理与所有硬件有关操作;上层为高级用户界面层,提供用户控制的指今,可以满足不同用户端软件的需求。同时还介绍了一种变包含角光栅单色器的数值解法。     

纳米银固体中的微孔道

综合分析了高致密度（密度为常规多晶银的95％）纳米银固体的同步辐射光电子能谱、X射线光电子能谱和真空加热实验的结果后,发现在高致密度纳米银固体内,除了空隙后,还应当有一定数量的微孔道存在。其中一些微孔道开口于纳米银固体的表面,外界气体可以通过这些微孔道进入纳米银固体内部。     

服装自动剪裁数控系统研究

提出一个比较特殊的半开环服装剪裁数控系统，系统采用一片高性能的１６位单片机８０９７ＢＨ作主机，以两片８位单片机作副机，构成模块式的硬件系统，软件系统由两大部分组成，即前台程序和后台程序，前台程序以中断方式完成数控系统的各种实时控制任务；后台程序负责原始数据输入，数据处理，协调各子系统等。由于软、硬件系统皆用模块式构成，所以系统维护简单、扩展方便、有很好的性能价格比优势。     

稀土金属Tb在GaAs(100)表面的吸附及其界面形成的研究

利用同步辐射光电子能谱技术研究了Tb/GaAs(10 0 )界面的吸附过程和界面形成。通过对价带谱及高分辨率的Ga,As芯能级谱的研究表明 ,在较低的覆盖度下 (<0 2nm) ,Tb与GaAs衬底的反应很弱 ,形成较突变的金属 /半导体界面。当Tb的覆盖度增加时 ,As 3d和Ga 3d的表面发射峰很快消失 ,Tb与衬底发生反应 ,置换出Ga而与As形成化学键。同时Ga原子会向Tb薄膜内扩散并偏析到表面 ,而Tb As化合物只停留在界面附近区域。当Tb淀积到 0 6nm时 ,Tb膜金属化。