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采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,研究了ZnO含量对低损耗MnZn功率铁氧体起始磁导率(μ1)和损耗温度特性的影响.结果表明,随着ZnO摩尔分数的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi、饱和磁感应强度Bs、密度及电阻率均先增大后减小,损耗先减小后增大,居里温度一直降低.当x(ZnO)=14.5%时,室温下铁氧体的μ1、Bs、密度及电阻率均达到最大值,而磁滞损耗(Ph)、涡流损耗(Pe)及总损耗(Pcv)达到最小值.同时,铁氧体的μiT曲线Ⅱ峰及最低损耗所对应的温度点向低温移动.Ph-T曲线与μi-T曲线呈相反的变化趋势;Pe-T曲线与经典涡流损耗不一致,主要是由于与磁滞损耗有关的附加涡流损耗(Pe,exc)对总的涡流损耗有一定贡献.最终,当x(ZnO)=14.0%时,MnZn铁氧体材料的室温μi为3180,在25~120℃温度范围总损耗(Pcv)为280~350 kW/m3,具有优秀的宽温低损耗特性. 相似文献
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ZnO对MnZn铁氧体磁导率和损耗温度特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,研究了ZnO含量对低损耗MnZn功率铁氧体起始磁导率(μ1)和损耗温度特性的影响.结果表明,随着ZnO摩尔分数的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi、饱和磁感应强度Bs、密度及电阻率均先增大后减小,损耗先减小后增大,居里温度一直降低.当x(ZnO)=14.5%时,室温下铁氧体的μ1、Bs、密度及电阻率均达到最大值,而磁滞损耗(Ph)、涡流损耗(Pe)及总损耗(Pcv)达到最小值.同时,铁氧体的μiT曲线Ⅱ峰及最低损耗所对应的温度点向低温移动.Ph-T曲线与μi-T曲线呈相反的变化趋势;Pe-T曲线与经典涡流损耗不一致,主要是由于与磁滞损耗有关的附加涡流损耗(Pe,exc)对总的涡流损耗有一定贡献.最终,当x(ZnO)=14.0%时,MnZn铁氧体材料的室温μi为3180,在25~120℃温度范围总损耗(Pcv)为280~350 kW/m3,具有优秀的宽温低损耗特性. 相似文献
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本文对六种CMT和CPT用的偏转磁芯铁氧体材料的磁滞损耗的频率特性、磁通特性、温度特性进行了分析比较,得到了各材料磁滞损耗特性的经验公式。对不同材料的涡流损耗对磁滞回线的影响进行了估测。得出涡流对材料磁滞损耗的温度特性产生的影响。在大偏转角、高扫描频率的工作状态下,对材料的选择应考虑温度特性的影响。 相似文献
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采用单辊熔体急冷法制备(Fe0.5Co0.5)73.5Cu1Nb3Si13.5B9的非晶合金。使用列格公式对(Fe0.5Co0.5)73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶、纳米晶合金环形器件的涡流损耗、磁滞损耗及剩余损耗进行分析,并与同时施加不同直流偏压场的各种损耗比较。淬态条件下(Fe0.5Co0.5)73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金环形器件的损耗主要表现为磁滞损耗,而涡流损耗很低。经过退火后,由于纳米晶合金软磁性能大幅度提高,器件的磁滞损耗及剩余损耗降低。直流偏压场对于三种损耗有显著影响。 相似文献
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采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,通过在不同温度下对铁氧体磁性能的测试,研究了ZnO含量对MnZn功率铁氧体磁性能温度特性的影响.结果表明,MnZn功率铁氧体室温下的起始磁导率和饱和磁感应强度随ZnO含量的增加呈先升高后下降的趋势,当w(ZnO)=12%时,起始磁导率和饱和磁感应强度达到最大值.同时,ZnO含量增加,起始磁导率-温度(μ_i-T)曲线Ⅱ峰所对应的温度点向低温移动,居里温度则一直降低.在100 kHz、200 mT条件下,随着ZnO含量的增加,常温下铁氧体的损耗先减小后增大,且损耗最低点温度也逐渐降低,并对应着μ_i-T曲线的Ⅱ峰位置. 相似文献
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介绍了电线可以通过屏蔽、滤波等方式实现电磁兼容,并进一步详述了电磁屏蔽衰减电磁波的机理及缺点。为了克服电磁屏蔽的缺点,在电线的表面加工一层吸波材料,这样的电线就是滤波线。滤波线的滤波机理是在阻抗匹配的前提下,电磁波能最大限度地进入滤波材料内部,在滤波材料内部电磁波衰减主要有电损耗和磁损耗,其中磁损耗主要由磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗引起。通过组合不同吸收特性的滤波材料,可以使滤波线将高频波段的电磁波滤掉,只允许低频波段的电磁波通过。 相似文献
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采用传统陶瓷工艺制备了MnZn和NiZn铁氧体材料。研究了贫铁MnZn铁氧体、富铁MnZn铁氧体及NiZn铁氧体的电阻率和阻抗的频率特性。结果表明:CaCO3-SiO2联合掺杂能大幅度提高贫铁MnZn铁氧体材料的电阻率,在最大添加量w(SiO2)为0.005%,w(CaCO3)为0.04%时,有最大电阻率10246Ω·m;贫铁MnZn铁氧体材料综合了富铁MnZn铁氧体材料的低频高阻抗和NiZn铁氧体材料的高频高阻抗特性;Fe2O3、TiO2含量的增加都会提高材料的低频阻抗,降低材料的高频阻抗。 相似文献
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复合掺杂对高磁导率锰锌铁氧体磁性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
用复合掺杂的方法制备了高性能的高磁导率MnZn铁氧体材料。研究了Nb2O5-P2O5复合掺杂对MnZn铁氧体微观结构及磁性能的影响。结果表明,适量的Nb2O5-P2O5复合掺杂有利于促进晶粒均匀致密,提高材料的起始磁导率,降低损耗。在配方中,当ζ(Nb2O5∶P2O5)为2∶8时,起始磁导率可达到11 823。 相似文献
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采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体微结构的表征及电、磁性能的测试,研究了ZrO2对MnZn功率铁氧体起始磁导率(μi)和损耗(Pcv)温度特性的影响.结果表明,随着ZrO2添加量的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi及电阻率均先增大后减小,损耗则先减小后增大;当w(ZrO2)=0.02%时,μi和电阻率达到最大值,损耗最低.此外,铁氧体的μi-T曲线Ⅱ峰及损耗最低点所对应的温度随着ZrO2掺杂量的增加向低温移动.当ω(ZrO2)=0.02%时,MnZn功率铁氧体在25~120℃的宽温范围内保持较低损耗. 相似文献
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针对开关电源高频小型化需求,采用固相反应制备分子式为(Mn0.766Zn0.105Fe0.129)Fe2O4的MnZn铁氧体材料,通过对铁氧体微结构的表征及磁性能的测试,研究了ZrO2和Nb2O5复合添加对MnZn铁氧体显微结构、烧结密度d、初始磁导率μi、饱和磁通密度Bs、剩余磁通密度Br、矫顽力Hc以及功耗Pcv特性的影响。结果表明,ZrO2和Nb2O5复合添加有利于促进晶粒均匀化和致密化,从而提高了材料烧结密度,能显著降低材料的剩余磁通密度和矫顽力,实现材料的高起始磁导率以及高频低损耗。当ZrO2和Nb2O5复合添加质量比为4∶6时,MnZn铁氧体的μi 相似文献
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为了提高非对称数字用户线(ADSL)接入系统的网络传输质量,采用传统氧化物陶瓷工艺制备了低失真MnZn铁氧体,并研究了在Fe2O3含量不变的前提下,ZnO含量与其磁特性的关系。结果表明:适量的ZnO可以提高起始磁导率μi,降低磁滞常数ηB。随着ZnO含量的增加,μi值先增大后减少,截止频率fr先减少后增加。当x(ZnO)为23%时,其μi=8 100,ηB=0.42×10–6/mT。 相似文献
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In keeping with the advance of more compact and more power-saving electronic equipment, the demand is increasing for smaller and more efficient switching power supply. Therefore, it is necessary to provide the adequate magnetic power ferrite materials to satisfy the demand. Such ferrite materials have to meet the following main requirement: 1) high initial permeability (μ i ); 2) high saturation magnetic induction (Bs); 3) high Curie temperature (Tc); 4) high electrical resistivity (ρ ); 5)… 相似文献
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采用氧化物陶瓷工艺制备了分子组成为Mn0.69Zn0.24Fe2.07O4的MnZn功率铁氧体,研究了不同CuO和V2O5含量对MnZn功率铁氧体晶相、显微形貌和磁性能的影响。结果表明,添加CuO和V2O5可促进晶粒生长,增大晶格常数,适量添加可降低气孔率,提高起始磁导率和电阻率,降低损耗;而加入过多的CuO和V2O5会导致晶粒异常长大,气孔率增加,起始磁导率和电阻率降低,损耗增大。当w(V2O5)=2.76×10-2%,w(CuO)=1.2×10-2%时,烧结样品的晶粒最均匀致密,气孔率最低,起始磁导率和电阻率最大,损耗最低。 相似文献
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