在二氧化硅衬底上制备磁光Ce：YIG薄膜用于磁光波导型器件

对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究．用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片．上淀积Ce1YIG薄膜，再对此薄膜进行晶化处理，以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜．本文讨论了晶化过程中，Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响．结果表明：采用波长为630nm的可见光测量，薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0．8deg／μm．同时，晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向，其居里温度点为220℃．所得Ge1YIG薄膜的参数表明：所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器．     

辅助腹腔复苏治疗失血性休克大鼠的研究

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,研究了ZnO含量对低损耗MnZn功率铁氧体起始磁导率(μ1)和损耗温度特性的影响.结果表明,随着ZnO摩尔分数的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi、饱和磁感应强度Bs、密度及电阻率均先增大后减小,损耗先减小后增大,居里温度一直降低.当x(ZnO)=14.5%时,室温下铁氧体的μ1、Bs、密度及电阻率均达到最大值,而磁滞损耗(Ph)、涡流损耗(Pe)及总损耗(Pcv)达到最小值.同时,铁氧体的μiT曲线Ⅱ峰及最低损耗所对应的温度点向低温移动.Ph-T曲线与μi-T曲线呈相反的变化趋势;Pe-T曲线与经典涡流损耗不一致,主要是由于与磁滞损耗有关的附加涡流损耗(Pe,exc)对总的涡流损耗有一定贡献.最终,当x(ZnO)=14.0%时,MnZn铁氧体材料的室温μi为3180,在25～120℃温度范围总损耗(Pcv)为280～350 kW/m3,具有优秀的宽温低损耗特性.     

ZrO2添加剂对MnZn功率铁氧体温度特性的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体微结构的表征及电、磁性能的测试,研究了ZrO2对MnZn功率铁氧体起始磁导率(μi)和损耗(Pcv)温度特性的影响.结果表明,随着ZrO2添加量的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi及电阻率均先增大后减小,损耗则先减小后增大;当w(ZrO2)=0.02%时,μi和电阻率达到最大值,损耗最低.此外,铁氧体的μi-T曲线Ⅱ峰及损耗最低点所对应的温度随着ZrO2掺杂量的增加向低温移动.当ω(ZrO2)=0.02%时,MnZn功率铁氧体在25～120℃的宽温范围内保持较低损耗.     

二磨时间对MnZn铁氧体结构和磁性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,研究二次球磨时间对MnZn功率铁氧体微观结构和磁性能的影响.通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,结果表明,随着二次球磨时间的延长,MnZn功率铁氧体的密度、起始磁导率、饱和磁感应强度及电阻率均先增大后减小,损耗则先减小后增大.当二次球磨时间为2 h时,密度、起始磁导率、饱和磁感应强度及电阻率均达到最大值,总损耗最小且在25～120 ℃宽温范围内均低于350 kW/m~3.     

Ti取代对MnZn功率铁氧体微结构及磁性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备了MnZn功率铁氧体,研究亮磁性能的影响,由于Ti4 是非磁性离子,它对磁性离子Mn2 的取代,必将对材料的微结构、磁性能以及居里温度产生影响.结果表明,Ti4 取代Mn2 可提高MnZn铁氧体居里温度,适量的Ti4 取代,有利于提高致密度和起始磁导率,并降低磁损耗.为了得到优良的电磁性能,适宜的Ti4 取代量为0.5mol%.     

宽温低损耗MnZn功率铁氧体的发展与研究

综述了宽温低损耗MnZn功率铁氧体的发展及应用,探讨了配方、添加剂、烧结工艺及热处理对MnZn功率铁氧体损耗与起始磁导率温度特性的影响,分析了宽温低损耗MnZn功率铁氧体目前存在的问题,并对宽温低损耗MnZn功率铁氧体今后的发展进行了展望,提出了宽温低损耗MnZn功率铁氧体将会在继续降低损耗、提高温度稳定性的同时向更高应用频率方向发展.     

基于ANSYS的开关电源变压器热模拟研究

开关电源变压器是开关电源中重要的热源之一,对其进行研究在提高开关电源变压器的可靠性和加快研制周期方面起着重要的作用。利用ANSYS软件建立了一种开关电源变压器的三维模型,并对该模型进行了热模拟,所得结果对开关电源变压器的热设计具有一定的指导意义。     

纳米碳管的研究与发展

综述了纳米碳管的最新研究方法及工艺技术,给出了应用领域及前景。     

射频磁控溅射法低温沉积MnZn铁氧体薄膜

采用磁控溅射法在Si(100)、Si(111)和玻璃基片上原位沉积MnZn铁氧体薄膜,用X线衍射(XRD)仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征薄膜的物相结构与微观形貌,用振动样品磁强计(VSM)测试薄膜的磁性能.结果表明,在Si(100)基片上原位沉积的MnZn铁氧体薄膜,在较低的基片加热温度(Ts=50℃)下即可晶化;Ts升高,MnZn铁氧体薄膜的XRD衍射峰强度逐渐增强;当Ts≤150℃时,MnZn铁氧体薄膜X线衍射主峰为(311),但当Ts≥200℃后,MnZn铁氧体薄膜沿{111}晶面生长.在Si(111)和玻璃基片上沉积的MnZn铁氧体薄膜,其XRD衍射主峰分别为(111)和(311).     

硒对猕猴桃抗氧化活性的促进作用

在大田条件下,给中华猕猴桃施以浓度分别为0.15、0.3、0.5 mg/kg的Na2SeO3溶液,在盛花期后测定猕猴桃叶各项生理指标,研究硒对猕猴桃生理生化的影响。结果显示：施硒提高了猕猴桃叶总叶绿素含量,谷胱甘肽过氧化物酶（GPx）、超氧化物歧化酶（SOD）以及过氧化物酶（POD）活性。然而高浓度的硒（≥0.5mg/kg）则降低了叶绿素含量,抑制了叶绿素超氧化物歧化酶（SOD）以及过氧化物酶（POD）活性。实验表明适宜浓度范围的硒可以提高猕猴桃的抗氧化能力。