真空紫外单色仪光栅机构

本文介绍了真空紫外单色仪光栅机构及光栅室的结构特点及性能。光栅机构在真空 中完成两个功能，第一是在正弦机构的驱动下，通过正弦杆使光栅转动，实现波长扫 描；第二个作用是通过旋转导入器而实现的光栅切换，以满足不同波长的分光要求。该 机构要求工作在超高真空环境中，真空度为５×１０－１０Ｔｏｒｒ．现已用于合肥同步辐射实 验室的Ｕ１０Ａ光束线的ＳＥＹＡ—ＮＡＭＩＯＫＡ单色仪。     

用于超高真空的狭缝的设计与制造

本文讨论了弹性狭缝机构的特点、设计原理及加工工艺，该狭缝机构具有结构简单，精度高和优异的超高真空性能。特别适用于真空紫外单色仪的光学狭缝，其设计原理也可用于一般光学狭缝的设计。     

CsI／Ni／LiF半透明真空紫外光阴极“日盲”效应的验证

ＣｓＩ／Ｎｉ／ＬｉＦ半透明真空紫外光阴极，ＣｓＩ的长波阈值为２００ｎｍ，即有很好的“日盲”效应。通过对照测试，得到验证。用氢看空紫外辐射源作检测光源，在专用的真空紫外光电发射特性测试系统中，测得ＣｓＩ／Ｎｉ／ＬｉＦ半透明真空紫外光阴极在１０５－１６５ｎｍ波长范围内平无题子产额为０．１６－０．２１电子／入射光子，而在２００－３６５ｎｍ紫外辐射下，其量子产额俟为１０＾－６－－１０＾－５电子／入射光子。     

RIBLL真空系统

本文描述ＲＩＢＬＬ真空系统的设计、安装、测试结果。真空腔体全长３５ｍ，３０ｍｉｎ时间真空可由１０００Ｐａ达到５×１０－８Ｐａ。无束流时间，真空可以达到１．７×１０－９Ｐａ。在束流轰击下，真空可以达到７．５×１０－１０Ｐａ。     

超高真空扫描隧道显微镜定位系统的研制

本文介绍了超高真空扫描隧道显微镜（ＵＨＶ－ＳＴＭ）定位系统的设计方法，并对误差进行了分析和修正。定位系统在操作范围为－５６０～＋５６０ｎｍ时的定位精度达到了０．１ｎｍ，该系统性能稳定，运行可靠。达到了设计要求     

V2O5干凝胶的制备新方法

采用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）法，用酸化方法生成的多钒加入到Ｖ２Ｏ５水溶液中，引发Ｖ－ＯＨ、Ｖ－ＯＨ２的无机聚合反应，制备Ｖ２Ｏ５干凝胶（ＶＸＧ），且简便快速。ＩＲ及ＸＲＤ分析表明，用这种方法制备的ＶＸＧ的结构，介于无定型与结晶态之间，整体呈无定型状态，局部规整，维持了结晶态的层状结构。ＶＸＧ的层间距为１．６ｎｍ，有序区域大小为５．２５ｎｍ，约为多钒酸自聚合方法的ＶＸＧ有序区域的一半。     

ICF靶PVA-PS双层空心微球的研制

介绍了惯性约束聚变（ＩＣＦ）靶用聚乙烯醇－聚苯乙烯（ＰＶＡ－ＰＳ）双层塑料空心微球的制球工艺及实验结果。采用微封装技术及三维旋转真空干燥技术，制得的ＰＶＡ－ＰＡ双层空心微球，直径１００～５００μｍ，壁厚１０～３５μｍ，（ＰＶＡ层５～１５μｍ，ＰＳ层５～３０μｍ），球形度及同心度分别优于９５％及８５％，表面粗糙度低于３００ｎｍ。该双层微球的主要技术指标均已达到ＩＣＦ制靶要求。     

纳米V2O5的晶体缺陷与导电性能研究

用溶胶－凝胶法制备纳米Ｖ２Ｏ５粉体，利用ＩＲ、ＥＳＲ结构分析手段研究晶体缺陷，并用阻抗谱研究它的导电性能。阻抗谱表明，在较低退上得到的纳米Ｖ２Ｏ５粉体（平均粒径为５．０ｎｍ）表现出超常的导电性能，其电导率高于其它样品二个数量级。ＩＲ、ＥＳＲ分析指出，该样品中Ｖ２Ｏ５结构发生严重畸变，引起氧空位浓度增加，并认为是导致良好导电性能之主要原因。     

标准气体微流量计的性能测试

主要介绍标准微流量计的性能测试。测试结果表明；气体流量的测量范围为１７．１×１０－５～１．２２×１０－５ｐａ·Ｌ／ｓ，不确定度小于２％。     

Al—5Fe—2Ni合金析出相的Mossbauer谱

用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱学和ＸＲＤ方法研究了快速凝固Ａｌ－５Ｆｅ－２Ｎｉ（原子百分数）合金的析出相，结果表明，析出相为三元化合物Ａｌ９ＦｅｘＮｉ２－ｘ（０〈ｘ〈２）属于单斜晶系，晶格参数ａ＝０．８５８ｎｍ，ｂ＝０．６３１ｎｍ，ｃ＝０．６２１ｎｍ，β＝９４．８，它的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱为一套双线，同质异能移位ＩＳ＝０．１２ｍｍ．ｓ＾－１，四极分别ＱＳ＝０．３２ｍｍ．ｓ＾－１，线宽Г＝０．２６ｍｍ．ｓ＾     

获得2.9×10~(-10)Pa的三极溅射离子泵

我所为完成原第一机械工业部下达的７２１８１超高真空技术研究课题，研制了Ｌ－１００型三极溅计射离子泵。经试验、鉴定，该泵抽速为１６０Ｌ／ｓ，极限真空为２．９×１０－１０Ｐａ（ＳＧ－４型冷磁控极高真空测量），并成功地应用到为航天工业部某单位研制的ＪＷＺ－１００型静电支承仪表无油超高真空排气台上做为主泵。该排气台系统极限真空达到５．５×１０－８Ｐａ。     

高性能2.5Gb／s用的DFB—LD／EA单片集成器件

报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ的单片集成ＤＦＢ＝ＬＤ／ＥＡ组件的 在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果，出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ〉３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ，该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０＾－１２。     

Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究

研究了一种光纤通讯用光电探测器。在ＧａＡｓ上蒸镀８００ｎｍ的Ｇｅ,并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管（ＳＡＭ－ＡＰＤ）的结构设计,采用ＧａＡｓ作为倍增区,Ｇｅ作为吸收区。在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为０．２￣０．３Ｖ,反向击穿电压为２．５Ｖ,漏电不明显,ｐ－ｎ结特性良好。     

几种新的杂环取代丁二炔类衍生物的三阶非线性光学性能

用简并四波混顿法测试了一系列新合成的丁二炔（ＰＤＡ）类衍生物的三阶非线性极化率，其γ值在１０－３４ｅｓｕ～１０－３０ｅｓｕ之间。其中ｐｏｌｙ－ＰＤＭＡ［聚５－（２－硫甲基－４－甲基）－嘧啶基－戊二炔－１－醇－α－甲基丙烯酸甲酸］的χ（３）值为１２７．１５８×１０－１３ｅｓｕ（０．５３２μｍ），对应的γ值为１１８４５．１９８×１０－３４ｅｓｕ，已接近目前文献所见的最大值１０－２９ｅｓｕ数量级。从ｐｏｌｙ－ＰＤＭＡ的ＵＶ－ｖｉｓ吸收光谱（λｍａｘ，＝３０７ｎｍ）及透射率（０．５３２ｕｍ，Ｔ＝０．０６５）来看，虽所测得的为部分共振γ值，但也是不同寻常了。     

GaN材料的GSMBE生长

在国内首次用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长出了ＧａＮ单昌外延膜。ＧａＮ生长速率可达０．５μｍ／ｈ。ＧａＮ外延膜的（０００２）双晶Ｘ射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为８ａｒｃｍｉｎ。霍尔迁移率为５０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ。对质量好的ＧａＮ膜，室温阴性发光谱上只有一个强而锐的近岸边发光峰，谱峰位于３７２ｎｍ处，谱峰半高宽为１４ｎｍ（１２５ｍｅＶ）。     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

用金属有机物气相外延方法在（０００１）蓝宝石衬底上生长了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ／ＧａＮ二维电子气结构。Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ（７００ｎｍ）／ＧａＮ（６００ｎｍ）异质结的室温电子迁移率达１０２４ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的室温电子迁移率为３９０ｃｍ＾２／Ｖｓ;该异质结的７７Ｋ电子迁移率达３５００ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的电子迁移率在１８５Ｋ下达到峰值,为４９０ｃｍ＾２／Ｖｓ,７７Ｋ下下降到     

Sol-Gel法制备TiO2/PVP纳米复合材料薄膜及性能研究

以钛酸丁酯和聚乙烯吡咯烷酮（ＰＶＰ）为原料,采用ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备了ＴｉＯ２／ＰＶＰ纳米复合材料,以原子力显微镜（ＡＦＭ）和红外光谱告示测试方法分别研究了薄膜的表面形貌和材料的结构。结果表明,薄膜表面非常光滑,高度差公为２～５ｎｍ左右,在波数１０９５ｃｍ＾－１处在吸收谱带是Ｔｉ－Ｏ的非对称伸缩振动所产生;同时研究了ＴｉＯ２／ＰＶＰ的介电常数和光致变色性能。     

利用非线性光纤环路镜将2.5Gbit／s归零码光脉冲波长变换20nm

利用光纤非线性环路镜成功地将２．５Ｇｂｉｔ／ｓ的归零码光脉冲变换了２０ｎｍ的距离。在最佳波长变换处对变换信号进行了１小时的误码测量,采用２２３－１伪随机码序列,误码为１．３×１０－１４。信号光和探测光脉冲宽度分别为２８ｐｓ和３７ｐｓ,中心波长分别为１５３３ｎｍ和１５５３ｎｍ。     

蓝色发光材料—聚（2,5—二庚氧基对苯撑）的合成和性质

以ＦｅＣｌ３为催化剂,通过氧化偶联反应合成了在一般有机溶剂中完全可溶的聚（２,５－二庚氧基对苯撑）（ＨＯ－ＰＰＰ）,其平均聚合度Ｐｎ＝１０。使用＾１Ｈ－ＮＭＲ、ＩＲ手段对其结构进行了表征。ＨＯ－ＰＰＰ在ＵＶ－Ｖ１ｓ谱图上的最大吸收峰位于２４２ｎｍ（Ｅ１吸收带）和３３５ｎｍ（Ｅ２吸收带）。Ｅ２吸收带相对于未取代的聚对苯撑（ＰＰＰ）产生的了较强的红移（约３５ｎｍ）,根据吸收边计算其π→π＾＊跃迁的禁带