S波段介质稳频调制器

本文介绍了一种采用A_7介质谐振器制成的S波段介质稳频调制器的设计和实验结果。采用加载带阻滤波稳频获得了良好的稳频效果。在-40℃～+50℃温度范围内,输出功率为10毫瓦时,频率稳定度为±0.4×10~(-4)～±1.46×10~(-4),输出功率≥40毫瓦时,频率稳定度为±3×10~(-4)。调频范围大于600千赫,电调灵敏度为200千赫/伏,调频非线性<6％;体积仅有(60×60×30)立方毫米,可以同时传送遥控(遥测)和话音。     

传输式介质稳频体效应振荡器

本文介绍了一种在X波段利用传输式高Q介质谐振器进行稳频的体效应振荡器。在叙述了高Q介质谐振器的基本工作原理之后,进一步介绍了传输式振荡器的设计问题。最后实验结果表明,在X波段这种振荡器可以达到小于±2×10~(-5)(在-20～+50℃之间)。因此,它可以满足SHF卫星电视直播接收机对本振频率稳定度的要求。     

26千兆赫波段稳频微波集成电路碰撞雪崩渡越时间二极管振荡器的设计

一种工作在26千兆赫的采用介质谐振器的稳频微波集成电路碰撞雪崩渡越时间二级管振荡器已研制成功。在设计这种工作在高频范围的振荡器时,要考虑许多参数对频率稳定性的影响。本文讨论了由各种因素引起的振荡频率的变化。这些因素是:介质谐振器谐振频率的漂移,二极管电抗的偏移,二极管与谐振器之间的电长度的变化;所有这些变化都是由温度改变引起的。本文还介绍了频率高度稳定的振荡器的设计规则。利用这些技术,我们已制作出一台微波集成电路碰撞雪崩渡越时间二极管振荡器。它的性能是:在0℃至50℃的温度范围内,频率稳定度小于±5.0×10~(-6),输出功率变化小于±2.0分贝,输出功率大于23毫瓦分贝。     

单晶薄膜体声波谐振器频率温度特性研究

采用离子注入剥离法转移制备了43°Y 切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行了表征,结果表明,尽管LN单晶的频率温度系数为(-70~-90)×10-6/℃,但由于声反射结构中包含有正温度系数的SiO2层,谐振器的频率温度系数降至-18×10-6/℃,这表明固态声反射结构能够有效抑制单晶LN薄膜的温漂,获得低频率温度系数的谐振器器件。     

超大带宽高频XBAR谐振器研究

随着第五代移动通信(5G)时代的到来,高频、大带宽的谐振器成为通信行业的迫切需求。该文设计制备了一款可实现高频超大带宽的横向激发体声波谐振器(XBAR)。该谐振器A1模式的谐振频率为5.81 GHz,机电耦合系数可达39.6%,Q-3 dB为248;A3模式的谐振频率高达17.04 GHz,机电耦合系数为7.0%。该谐振器A1和A3模式的频率温度漂移系数(TCF)分别为-72.6×10^-6/℃和-38.5×10^-6/℃。此外,该文还提出了一种新型叉指电极(IDT)结构,该结构可以抑制寄生模式,提升谐振器性能。     

L波段低相位噪声压控振荡器

对微波晶体管振荡器的相位噪声进行了分析。为达到压控振荡器的低相位噪声要求,采用了低电平振荡经放大后输出的设计方案。实现的微带压控振荡器工作于L波段. 相对电调带宽大于10％,不加介质谐振器其SSB相位噪声约达到一90dBC/Hz/10kHz;经加放大输出功率达到10mW以上,功率平坦度≤±0.7dB. 在-20～+60℃范围内正常工作,频率温度稳定性为6×10~(-5);本压控振荡器已应用于频率合成器中。     

介质谐振器稳频晶体管振蓄器

本文利用开波导法对屏蔽情况下不对称放置的环形介质谐振器进行了区域划分,并将Itoh和Rudokas模型加以推广,用这种模型来分析环形介质谐振器中的电磁场,采用两种数学处理方法来求解其谐振频率,并编制了有关程序。将计算结果与已发表文献上有关数据比较,误差分别小于3.3%和1.2%,随后对传输型介质谐振器稳频振荡器电路作了分析。从导出的有关公式可知,振荡器频率,稳定度,效率等与振荡器,介质谐振器的参数及介质谐振器与微带线的耦合系数有关。最后实验试制了-2.64GHz的传输型振荡器,其输出率功可达20mW。在-30℃～+50℃温度变化范围内,其频率稳定度为1.8ppm/℃。电压推频系数为1.95MHz/V。     

采用介质谐振器的砷化镓MESFET振荡器的温度稳定性

本文提出了采用介质谐振器的场效应晶体管振荡器的简单的温度稳定性模型,并根据振荡条件,用该模型推出了振荡功率和振荡频率与温度的关系。具有适当的线性谐振频率/温度特性的叠式谐振器已试制成功,并被用来稳定采用介质谐振器的振荡器(DRO),在频率为11.5GHz、温度为-20℃到80℃时,获得了±120kHz的频率稳定度((?)±0.1ppm/K)。     

工业遥控用频率合成二次变频FSK窄带收发模块

<正> 目前市场上流行的无线收发模快,一般有如下几种形式:①LC谐振式超再生收发头,此种模块价格低、结构简单,但抗干扰能力差,特别是由于LC谐振回路引起的频率偏移,使性能极不稳定,只能用在玩具及低档产品中。②带声表谐振器的发射头和超再生接收头,此种方式的发射机中采用了一只频率稳定度较高的声表谐振器(大部分为315MHz或433.92MHz)。广告中称频率稳定度达10~(-5)数量级。查资料可知,声表面谐振器的温度系数为-8.5ppm/℃(DNR系列)。一般的使用环境温度要求是-10～50℃,温差达60℃。按常温20℃,-8.5ppm/℃计算,则温漂为±255ppm,即2.55×10~(-4),根本达不到10~(-5)数量级,且由于接收仍用LC方式,所以性能一般。③带声表谐振器的发射头和由进口IC组成的超外差式接收头,该形式与形式2中存在同样问题,只是接收改成了用晶振的超外差式,其稳定性与灵敏度较形式2有所改善,但仍达不到工业遥控的要求(频率稳定度8×10~(-6)),而且造价较高。 以上三种形式无一不是采     

4千兆赫介质谐振器振荡器

本文叙述了介质谐振器作为加载带阻滤波器稳频的基本原理,介绍了4GHz介质谐振器振荡器.该振荡器在-40℃到+55℃范围内,频率稳定度在2ppm/℃左右,在+55℃下连续工作8小时,频率漂移一般在50kHz以内,振荡器的输出功率在10mW左右.该振荡器曾在国际卫星通迅公司5号星电视传输试验中作接收系统的本振源,使用良好.     

使用介质谐振器反馈电路的C波段GaAsFET振荡器

采用低噪声场效应晶体管,研制出一种高稳定度的小功率场效应管振荡器。它采用了介质谐振器作并联反馈电路,并加有稳定电阻。研制工作表明,这种振荡器具有大于1000的外部Q_(es)值,可在无滞后的情况下工作,并具有高的稳定性和宽的频率调谐范围。在5.5GHz频率上,输出功率为10mw,效率为25％,调谐带宽大于500MHz。在-40℃～十70~C温度范围内频漂小于±0.6MHz,频温系数小于±l PPM/℃。     

5公分中功率高效率高稳定度FET振荡器

我们研制了一种普通封装的GaAs FET 和高Q介质谐振器的共漏振荡器。这种共漏振荡器采用FET沟道反向的办法,利用自身的栅源电容构成反馈电路,省去了复杂的外反馈网络;还采用了高Q介质谐振器作成反射型的稳频电路,解决了频率稳定度的问题。这种振荡器结构简单、调试方便,在4～6GHz范围内输出功率大于300mw,效率超过30％,机械调谱带宽大于100MHz;在-40～+70℃温度范围内,频漂小于±O.6MHz,频温系数为2×lO~6/l℃。     

BT切高Q精密石英谐振器

研制出一种新的高精密石英谐振器。该谐振器为BT切型,3次泛音,频率为5MHz。它具有很高的Q值,最高达到4.63×10~6;相当优良的老化性能,达到4×10~(-11)/天,以及很高的短期频率稳定度,最好的达到8×10~(-13)/s。此外,BT切石英谐振器还有易于控制翻转点温度的优点,对于切角公差的要求比较宽松,有利于提高成品率,降低成本。     

高稳定介质谐振器FET振荡器

本文对采用介质谐振器进行稳定的砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)振荡器随温度变化而发生的长时间频率漂移从理论和实验两方面作了分析研究。人们发现,介质材料的稳定性和品质因数有某些限制,另外谐振频率的温度特性是非常合乎线性的。目前已经在BaTi_4O_9和Ba_2Ti_9O_(20)基础上研制出这种材料,并且已制成用超稳定介质谐振器稳定的振荡器,这种振荡器在11千兆赫、温度从-50℃～100℃时频率漂移约为±100千赫(≈±0.06×10~(-6)/K)。     

2200 MHz圆环形介质谐振器的研制

讨论了TE011谐振模式的圆环形介质谐振器的研制过程。固定ZnO添加量为质量分数1.00%,考察了WO3改性剂对(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波陶瓷介电性能的影响。当w(WO3)为0.25%时,可得到εr为38.0、Q值大于5800(7GHz)、τf小于2.0×10–6/℃的瓷料。以该瓷料为原料制作谐振器,研究了制作工艺和支撑物高度对谐振器性能的影响。发现采用冷等静压成型工艺所制谐振器的Q值比采用干压成型工艺提高了4%。获得了谐振频率为2200MHz的高Q值、高功率、高稳定性圆环形介质谐振器,完全满足设计要求。     

高稳定度中功率C波段耿氏DRO

文章介绍了 C 波段介质谐振器稳频耿氏振荡器实用电路结构,简明分析了耿氏 DRO 稳频和工作原理以及用高 Q 介质谐振器稳频和双金属补偿所得的实验结果:在5.3GHz 附近,振荡器输出功率为280mW,在-40～+60℃范围内,振荡器频率温度系数为0.56PPm/℃,功率温度系数小于0.01dB/℃。     

8千兆赫介质带通滤波器

本文描述了介质窄带带通滤波器的设计方法,介绍了8千兆赫圆柱形介质谐振器窄带滤波器.该滤波器的中心频率为8059兆赫,带宽为±25兆赫,通带插损分别小于0.5分贝(三谐振器)和0.8分贝(四谐振器),阻带衰减分别大于25分贝(三谐振器)和35分贝(四谐振器),通带内驻波特性,其反射损耗大于25分贝.     

介电常数对介质谐振器调频工作效率的影响

当介质材料的εr一定时,谐振器的频率与其高度成反比。通过试验发现:当谐振器的频率相同时,采用低εr的介质材料,可以降低研磨加工所需的精度要求,从而提高调频的工作效率。采用εr=40介质材料制成1 500 MHz的谐振器,当高度误差为±0.01 mm时,频率误差小于3 MHz;如果采用εr=90的材料,则超过5 MHz。     

L波段介质稳频振荡器

本文阐述应用A_7介质谐振器稳频的L波段微波集成振荡器的分析、设计和试验结果.采用介质谐振器与振荡电路直接耦合的加载带阻滤波器稳频方式可获得良好的稳频效果,在-60～50℃温度范围内,频稳度优于5×10~(-4),输出功率大于4mW,可做雷达、通信及电视传输系统中的发射机泵源或接收机本振.     

X波段砷化镓场效应管介质振荡器

本文介绍了反馈型介质振荡器,给出了介质谐振器尺寸的计算方法.该振荡器在8GHz下,温度范围-40～+70℃,频率稳定度为0.6ppm/℃,输出功率16～30mW,在+55℃下连续工作8 小时,频率漂移小于50kHz,推频系数小于10kHz/V,在偏离载频100kHz的FM噪声为-110dBc/Hz.该振荡器在无人值守中继系统中作上下变频器的本振源,使用良好.这类振荡器在10.7GHz下,温度范围-40～+55℃,频率稳定度0.6ppm/℃,输出功率大于5mW.