聚焦离子束技术最近进展

本文评述了聚焦离子（ＦＩＢ）技术的最新进展。这些技术包括离子植入，离子束辅助蚀刻和沉积以及就地制造，由于ＦＩＢ的无掩模能力和高电流密度，发现ＦＩＢ作为一种显微外科手术工具的在超大规模集成（ＵＬＳＩ）器件或材料分析以及就地制造方面有重要应用，最近的聚焦离子束系统能产生直径小于１０ｎｍ的聚焦离子束，而且作为纳米制造工具的重要性也日益增加，使用ＦＩＢ主要在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ异质结构中制造了各种小尺寸     

离子束技术应用于腐蚀科学

离子束技术(包括离子注入、离子束混合、离子束分析等)在腐蚀科学领域中的应用是近十年来一个引人注目的新发展。 据工业发达国家估计,每年因材料、设备腐蚀造成的直接损失约为当年国民经济总产值的2—4％,例如美国1982年全国因腐蚀而造成的经济损失就高达1260亿美元,我国在1980年估算的腐蚀损失约200亿人民币。随着我国四化建设的迅速发展,金属腐蚀与防护的研究已成为当前一个急待进行的重要课题。     

离子束材料改性应用中的新进展

着重分析了离子注入提高离子束加工效益的途径，离子束工业生产发展现状和未来离子束技术在国民经济中的重要作用。     

当前离子束研究与发展的课题

利用定向高能的离子束来改善材料的表面敏感性能已在全世界进行了几乎二十年了。在此期间，大量的改善性能的试验已在实验室里得到证实，而有些应用目前正寻求工业应用。目前氮离子注入使精密部件抗腐蚀，包括钛合金外科用的假肢和精选工具，就属于这些转向的研究和发展课题。通常称为离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）的离子束轰击连同物理气相沉积的混杂结合已成为一种有效的处理技术。它将离子束许多好的特性与常规的涂层技术相结合，例     

利用离子束技术及PECVD制备碳化硅

阐述利用离子注入、离子束增强沉积、反应离子束溅射及反应离子束辅助沉积等方法制备碳化硅薄膜的实验结果，并报道利用等离子体增强化学气相沉积技术制备可光致发光的非晶态α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜的工作。     

离子束分析进展

1983年在美国亚里桑那州州立大学召开了第六届国际离子束分析会议。这次会议的侧重方向是低能离子散射。近年来,由于超高真空技术、高速计算机、飞行时间方法、离子源等技术的发展和应用,散射截面、射程、阻止本领等各种基本参数的精确化,促进了低能离子散射技术的发展,使它成为表面结构分析中的重要手段。必须指出,上述多方面技术的进步所产生的影响,不仅仅局限于低能离子散射,而是遍及离子束分析的整个领域。     

离子束生物技术在生命科学中的应用

我国科学家80年代发现了离子注入的生物效应,并将这一原理应用于诱变育种.本文介绍了离子束生物技术及原理,低能离子束注入生物学效应的研究,离子束生物技术在新疆的应用和发展.     

离子束微制作

离子束微制作技术对甚大规模集成电路、超大规模集成电路或者未来量子效应器件的制作由于其独特性能而越来越起重要的作用。并且它具有广泛的用途，包括蚀刻、沉积、掺杂、材料合成和改性以及平印术。对于蚀刻，需要具有原子标度的精密度和最低的损伤诱发的技术。本文讨论了低能离子束的重要性及其新蚀刻技术，比如数字蚀刻的特性。     

离子束轰击形成表面非晶态合金

近期发展起来的离子束材料改性技术,利用离子束轰击固体不但可以改变材料表面成     

强脉冲离子束材料表面改性研究进展

强脉冲离子束材料表面改性技术是正在发展中的新的材料表面改性技术。近四、五年来 ,我们围绕发展强脉冲离子束材料表面改性技术对其主要机制 (强脉冲能量效应 )、离子辐照诱发的热力学过程、表面熔坑现象及大面积均匀离子束技术开展了比较全面的基础性研究。研究表明 ,强脉冲离子束改性除了离子注入的元素掺杂效应外 ,其更可利用强脉冲能量沉积诱发的热力学效应 ,有望突破离子射程对改性层厚度的限制 ,并高效利用离子剂量和能量 ,成为新一代低成本、高效率、高生产率、实用化的离子束材料改性与合成工艺。本文对于上述研究的主要进展和相关问题进行了总结和评论     

离子束分析技术在抗核加固研究中的应用

本文介绍了核辐射使电子元器件失效的机制以及离子束分析技术在抗核加固研究中的若干应用。     

强流离子束在横向磁场中传输的若干试验研究

利用横向磁场对离子束进行导向、分析和聚焦,已经成为日益发展的离子束应用技术中的一个重要环节。因此,研究离子束在横向磁场中的传输问题有着广泛的意义。实验是在离子轨道半径为1000毫米和1600毫米的两台磁分析器上进行的。用阻滞场方法测量了束电位。束电位的大小表征了束在传输过程中的中和程度和离子束的品质。     

强脉冲离子束材料表面改性研究进展

强脉冲离子束材料表面改性技术是正在发展中的新的材料表面改性技术。近四、五年来,我们围绕发展强脉冲离子束材料表面改性技术对其主要机制(强脉冲能量效应)、离子辐照诱发的热力学过程、表面熔坑现象及大面积均匀离子束技术开展了比较全面的基础性研究。研究表明,强脉冲离子束改性除了离子注入的元素掺杂效应外,其更可利用强脉冲能量沉积诱发的热力学效应,有望突破离子射程对改性层厚度的限制,并高效利用离子剂量和能量,成为新一代低成本、高效率、高生产率、实用化的离子束材料改性与合成工艺。本文对于上述研究的主要进展和相关问题进行了总结和评论。     

重离子束的Bragg峰定位于麦粒的自由基探针技术

为了实现定点定位诱变，提出了一种利用ＥＳＲ波谱术对离子束Ｂｒａｇｇ峰在麦粒中的定位方法，即自由基探针技术，采用该技术有效地测定出２１ＭｅＶ／ｕ氮离子束的Ｂｒａｇｇ峰位于小麦胚部，注入深度不超过１．０±０．２ｍｍ，而４８ＭｅＶ／ｕ氮离子束贯穿全麦粒，不能实现定点定位诱变。     

离子束诱导电荷显微术的现状与发展趋势

离子束诱导电荷显微术（IBIC）是核子微探针显微成像技术的又一新发展，它具有低束流（fA量级），高效率的特点，已被广泛应用于半导体材料和微电子材料研究中。本文简述了离子束诱导电荷显微术（IBIC）的原理和实验方法，综述了IBIC 研究的现状和进展。     

脉冲离子束作用下金属氚化物氦释放测量技术研究

为认识脉冲离子束作用下金属氚化物的氦释放行为,建立了脉冲离子束作用下金属氚化物氦释放测量系统。利用标准体积气体取样装置,采用气体反扩散法,对系统的容积比、灵敏度进行了实验标定。在此基础上,发展了脉冲离子束作用下金属氚化物氦释放的测量技术,开展了脉冲离子束作用下金属氚化物氦释放实验研究。结果显示,单次脉冲离子束作用下金属氚化物的氦释放呈脉冲式,释放量最大可达10~(13)个原子以上。     

用于双离子束注入器的杂质消除系统

研制了一套用于双离子束注入器的杂质消除系统，该系统由两台速度选择器、1台单透镜和1台双孔选束光阑组成，可实现不同荷质比的两种离子束在同时传输过程中消除杂质离子。该技术已用于1台H⁺₂和He⁺两种离子束同时传输的50 keV双离子束注入器，实现了1台加速器同时产生、传输两种离子束，并同轴注入靶内，离子束纯度好于99.9%。     

用离子束技术研究稀磁半导体和纳米磁性材料

综述用离子束技术研究稀磁半导体和纳米磁性材料的构建、调控和改性的进展和现状。离子束注入是优选的构建和调控方法,测试结果表明在GaN和ZnO等新半导体光电材料中注入Mn、Ni和Co等过渡金属离子可得到低温和室温下的铁磁性。离子束分析技术给出这些新材料薄膜的微结构信息,透射电镜下观察到过饱和剂量Mn+注入GaN形成的纳米磁性颗粒。     

离子束分析在艺术和考古学中的应用

本文通过与运用其它分析技术的同类工作进行比较来述评离子束分析法在艺术和考古学研究中的应用。为了说明离子束分析法的利弊,精选了一些实例来阐述该方法在艺术和考古学领域中的发展趋势和重要成就。     

组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用

将组合技术和离子束技术结合起来,用于硅基发光材料的研究用组合离子束技术在硅基材料上制备了64个直径为2mm的单元--材料芯片,并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐背散射质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析