基于新型延迟电路的CMOS片上温度传感器

为在较大温度范围内实现高精度的片上温度检测,提出一种基于新型延迟电路的CMOS时域温度传感器。该传感器以新型延迟电路为基础,利用二极管连接的双极结型晶体管（BJT）生成PWM信号,相较于其它时域温度传感器,仅需要单一偏置电流以及比较器就可生成PWM信号;利用简易的数字计数器可确定占空比,且占空比会被转换成数字值;传感器设计采用了0.18 μm CMOS技术。实际测试结果显示,相较于其它类似传感器,提出的传感器在较宽的温度范围内精确度较高;在两个温度点上进行数字校准之后,在0℃~125℃范围内的精确度为±0.1℃;电源为1.5V时,此传感器仅消耗了2.48 μA,功耗为3.8 μW。 关键词：时域温度传感器;延迟电路;低电压低功率;时间数字转换器（TDC）     

基于FPGA的数字温度传感器接口设计

数字温度传感器在实际应用中广受欢迎,以其为基础构成的温度测量系统,线路简单、硬件开销少、编程灵活、成本低廉。介绍了数字温度传感器常用的两种串行总线(单总线和系统管理总线)的接口标准和特点,分析了在现场可编程门阵列(FPGA)中设计这两种接口的方法,并描述了相应的硬件电路和软件设计方案。     

包层折射率变化的光纤温度传感器机理研究

本文从实验角度研究了两种光纤材料的折射率随温度变化的特性，讨论了包层折射率变化的光纤温度传感器机理，设计了一种高精度的包层折射率变化光纤温度传感器系统。     

高精度数字式温度传感器LM92

<正> 美国国家半导体公司是著名的温度传感器生产厂家之一。近年来,随着半导体工艺技术的发展及电子产品的不断更新,促使研发出一系列新型温度传感器,形成四大系列:模拟温度传感器、数字温度传感器、远程二极管温度控制器(主要用于计算机CPU的过热保护,CPU中有测温二极管)、系统温度监示器(主要应用于计算机、系统服务器及控制系统)。该公司生产     

一种0.6 V低压两级时间数字转换器

研究了用于超低功耗全数字锁相环(ADPLL)的时间数字转换器(TDC)在近阈值电源电压下的工作原理,提出了一种近阈值电压时间转换器。采用两级量化的TDC,通过时间放大器对量化余量进行放大,实现二次量化。针对TDC低压下的功耗、速度问题,实现了一种增益可扩展的时间放大器,提高了时间分辨率。基于130 nm CMOS工艺的仿真结果表明,两级量化时间数字转换器的分辨率为2.5 ps,动态范围为640 ps,微分非线性(DNL)最大值为0.9 LSB,积分非线性(INL)最大值为2.3 LSB。4倍时间放大器的增益误差为8.2%。     

一种通用的时间数字转换器码密度校准信号产生方法及其实现

该文提出一种通用的时间数字转换器(TDC)码密度校准信号产生方法,该方法基于相干采样理论,通过合理设置TDC主时钟和校准信号之间的频率差,结合输出信号保持电路,产生校准用的随机信号,在码密度校准过程中,随机信号均匀分布在TDC的延时路径上,实现对TDC的bin-by-bin校准。基于Xilinx公司的28 nm工艺的Kintex-7 现场可编程门阵列(FPGA)内部的进位链实现一种plain TDC,利用该方法校准plain TDC的码宽(抽头延迟时间),研究校准了2抽头方式下的TDC的性能参数,时间分辨率(对应TDC的最低有效位,Least Significant Bit, LSB)为24.9 ps,微分非线性为(–0.84～3.1)LSB,积分非线性为(–5.0～2.2)LSB。文中所述的校准方法采用时钟逻辑资源实现,多次测试考核结果表明,单个延时单元的标准差优于0.5 ps。该校准方法采用时钟逻辑资源代替组合逻辑资源,重复性、稳定性较好,实现了对plain TDC的高精度自动校准。该方法同样适用于其他类型的TDC的码密度校准。     

带有温度选择开关的红外摄像机

本发明提供一种装有温度选择开关的红外摄像机。这种红外摄像机具有功耗低、工作环境温度范围宽和预热时间短的优点。它包括许多个器件工作温度调节电路、一个器件工作温度调节开关和一个温度传感器。它是先根据温度传感器的测量值切换器件工作温     

温度传感器动态性能的改善方法

为了对温度传感器的动态性能进行改善,使温度传感器的响应速度满足快速反应的温度测量系统的要求,在分析了常用的几种改善方法和模糊控制方法的基础上,提出了在温度测量系统中加入PID控制(比例、积分、微分控制),并用仿真工具Simulink(MATLAB的仿真集成环境)进行仿真.仿真结果表明,应用PID控制法可使温度传感器的响应时间极大地缩短,能达到改善温度传感器动态性能的目的.     

基于0.18μm 标准CMOS工艺的嵌入双精度温度传感器的无源超高频RFID标签芯片

文章提出了一种符合EPC Gen-2协议嵌入双精度温度传感器的无源超高频RFID电子标签芯片。设计了一种采用双精度工作模式的新型温度传感器,它能够在满足传感器精度要求的条件下缩短传感时间和降低标签芯片的功耗。标签芯片集成了一个全MOS管构成的射频整流器和一个单多晶硅栅标准CMOS的非易失性存储器。采用0.18μm标准CMOS工艺集成实现了无源超高频RFID电子标签芯片。芯片面积为1mm2,片上非易失性存储器容量为192bit。芯片被压焊到PCB天线上实现了一个完整的标签。当温度传感器关闭/启动时,电子标签的灵敏度为-10.7dBm/-8.4dBm。电子标签达到的最大读/传感距离为4m/3.1m @2W EIRP。在5℃至15℃（-30℃至50℃）的温度范围内,传感器的误差为-0.6℃/0.5℃(-1.0℃/1.2℃)。在高（低）精度模式下,温度传感器的精度为0.01℃(0.18℃)。     

集成电路温度传感器的优势及广泛应用

最近,美国国家半导体公司(National Semiconductor)数据转换系统部亚太区市场经理陈永信先生向记者专门介绍了集成电路温度传感器的特点、日益广泛和深入的应用领域,以及国家半导体公司温度传感器芯片开发概况和产品介绍。鉴于美国国家半导体公司在全球温度传感器集成电路市场处于领先地位,他提供的信息可能会引起读者的兴趣并有参考价值。