难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．     

日盲探测器高Al组分n-Al_(0.6)Ga_(0.4)N欧姆接触(英文)

研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti（20nm）/Al（100nm）之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4Ω·cm^2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.     

大型天线背架的精密测量与结果分析

针对某大型天线背架的整体检验要求,作者将大尺寸工业测量系统方法引入其中,采取了独特的技术措施,用电子经纬仪测量系统对背架实现了快速、无接触和高精度测量,398个点的测量时间约为2小时,点位精度为0.17mm;在数据处理和分析方面,采用公共点转换法全面评价背架的制造误差,用CAD转换法求得背架偏离设计曲面的法向偏差以用于指导天线面板的铺装。实际结果表明,该法观测方案先进,数据处理思路正确,是一种检测大型构件非常有效的方法。     

零部件材质物性对ECM特性影响的讨论

3 对振膜式ECM中背极材料的讨论 振膜式ECM中振膜兼有2种功能：（1）有振膜的功能;（2）有驻极体的功能,它能提供电场,使ECM不需外加偏压。一般用FEP薄膜经过绷紧后再极化充电完成。而作为下电极的背极则是由铜一锌合金的黄铜作为主要材料被应用的。为了研究背极材料对ECM特性的影响．笔者先讨论如图10所示的Cu—Zn合金相图。     

RFID在现代支付领域的应用

一、RFID技术的发展历史和现状 （一）RFID技术简介及其发展史 射频识别技术RFID（RadioFrequencyldemfication）是自动识别技术的一种,即通过无线射频方式进行非接触双向数据通信对目标加以识别。与传统的识别方式相比,RFID技术无需直接接触、无需光学可视、无需人工干预即可完成信息输入和处理,且操作方便快捷。     

化学水浴法制备CdS薄膜退火工艺的研究

基于化学水浴沉积法以硫脲为硫源,醋酸镉为镉源,氨水作为缓冲剂,制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),研究不同的退火温度和是否涂敷CdCl2溶液对CdS薄膜的影响。采用X线衍射仪、电子扫描电镜和紫外/可见光分光光度计研究了不同退火工艺对硫化镉薄膜的结构、形貌及光学特性的影响。实验表明,悬涂CdCl2溶液退火处理可明显改善CdS薄膜的结晶及其光学性质,最佳退火温度为400℃,退火时间为60min。     

n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火

实验研究了不同表面处理方法和不同退火条件对GaN上的Ti/Al电极的影响,用CH3CSNH2/NH4OH处理后的GaN材料的荧光光谱强度最高,在该材料上制作的Ti/Al电极的欧姆接触电阻率最小.通过欧姆接触电阻率,I-V曲线,X射线衍射等手段,分析了GaN与Ti/Al 电极接触表面在退火过程中的固相反应,提出了二次退火的方法.     

基于再生锁模光纤激光器的RZ码光源研究

进行了再生锁模光纤激光器（RMLFL）在光学归零（RZ）光源应用的实验。通过外接马赫一曾德（M-Z）调制器加伪随机码调制得到良好的背背（back-to-back）测试眼罔,获得了可以满足长途传输要求的10Gbit／s波长可调谐RZ码光源,稳定输出脉宽5ps,可通过4路复用后升级为40bit／s RZ光源。同时,将这种RZ码光源与利用两级调制方式产生的RZ码光源作了比较,结果表明,前一种方案在脉宽、信噪比等方面具有明显优势。     

场面多点定位信号处理独立性的实现

大型机场的场面多点定位（MLAT）系统具有接收站布局复杂和非视距（NLOS）传播严重的特点,为了选择最佳定位站点组合和消除NLOS对目标定位的影响,需要提供一个目标的估计位置。以往采用目标前次定位位置的方式存在将前次定位误差引入到当次目标信号处理中的缺陷。为了实现多点定位系统对目标当次信号处理的独立性,采用一种基于最优水平精度因子（HDOP）的目标位置估算方法,利用当次测量达到时间（TOA）信息,基于最优HDOP,通过快速优选、位置一致性判定和优化站点等方法,快速估计出目标当次二维位置,数据处理系统利用当次目标估计位置完成最佳站点组合选择和NLOS处理。仿真测试和机场场面真实数据测试验证了该方法的可行性,同时表明利用该方法提高了多点定位系统的定位连续性和定位精度。     

化学水浴法制备CdS薄膜退火工艺的研究

基于化学水浴沉积法以硫脲为硫源,醋酸镉为镉源,氨水作为缓冲剂,制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),研究不同的退火温度和是否涂敷CdCl2溶液对CdS薄膜的影响。采用X线衍射仪、电子扫描电镜和紫外/可见光分光光度计研究了不同退火工艺对硫化镉薄膜的结构、形貌及光学特性的影响。实验表明,悬涂CdCl2溶液退火处理可明显改善CdS薄膜的结晶及其光学性质,最佳退火温度为400℃,退火时间为60min。     

近空间升华法制备CdTe薄膜

研究了初底材料和基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整。在结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大,尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2甲醇溶液,可促进热处理过程中薄膜晶粒的长大。     

CdTe Films Deposited by Closed—space Sublimation

CdTe films are prepared by closed-space sublimation technology,Dependence of film crystalline on substrate materials and substrate temperature is investigated.It is found that films exhibit higher crystallinity at substrate temperature higher than 400℃.And the CdTe films deposited on CdS films with higher crystallinity have bigger crystallite and higher uniformity.Treatment with CdCl2 methanol solution promotes the crystallite growth of CdTe films during annealing.     

CdTe-HgCdTe叠层太阳电池CdS窗口层透射光谱性能研究

CdS窗口层光谱透射率的提高对CdTe-HgCdTe叠层太阳电池有效利用入射太阳光并增大电池的短路电流密度有重要的影响。通过研究化学水浴法、近空间升华法和磁控溅射法制备的CdS薄膜在CdCl2退火前后的光谱平均透过率和短路电流密度损失表明:在光谱区520~820 nm,化学水浴法制备的CdS薄膜在退火前后具有最高的光谱平均透过率,对应的CdTe顶电池有最小的短路电流密度损失;在光谱区820~1150和520~1150 nm,磁控溅射法制备的CdS薄膜在退火前后均具有最高的光谱平均透过率,对应的HgCdTe底电池和CdTe-HgCdTe叠层太阳电池有最小的短路电流密度损失。在光谱区520~820、820~1150和520~1150 nm,CdCl2退火可以显著增大CdS薄膜的光谱平均透过率,降低对应CdTe顶电池、HgCdTe底电池和CdTe-HgCdTe叠层电池的短路电流密度损失。     

近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能

在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能.结果表明:多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势,源表面有CdO粉末的存在,经H2在一定条件的高温还原,可以去除表面的氧化物,为源的重复使用奠定基础.     

CdTeO_3纳米颗粒的制备及其气敏性能

以CdCl2·2.5H2O和碲粉为主要原料,在水相中反应制备CdTe前驱体,将其于500℃煅烧1h得到CdTeO3纳米颗粒。通过XRD、SEM和TEM对其物相和形貌进行了分析;并将其制成了气敏元件,进行气敏性能测试。结果表明:成功合成了单斜晶相的、平均粒径为100nm的CdTeO3纳米颗粒。以该材料制备的气敏元件对体积分数为50×10-6的乙醇有较高的灵敏度(15.1)和选择性。     

CdTe solar cell in a novel configuration

Polycrystalline thin‐film CdTe/CdS solar cells have been developed in a configuration in which a transparent conducting layer of indium tin oxide (ITO) has been used for the first time as a back electrical contact on p‐CdTe. Solar cells of 7·9% efficiency were developed on SnO_x:F‐coated glass substrates with a low‐temperature (<450°C) high‐vacuum evaporation method. After the CdCl₂ annealing treatment of the CdTe/CdS stack, a bromine methanol solution was used for etching the CdTe surface prior to the ITO deposition. The unique features of this solar cell with both front and back contacts being transparent and conducting are that the cell can be illuminated from either or both sides simultaneously like a ‘bi‐facial’ cell, and it can be used in tandem solar cells. The solar cells with transparent conducting oxide back contact show long‐term stable performance under accelerated test conditions. Copyright © 2004 John Wiley & Sons, Ltd.     

Hydrogen transport vapor phase epitaxy of CdTe on hybrid substrates for x-ray detector applications

The growth of thick CdTe epitaxial layers by the hydrogen transport vapor phase epitaxy (H₂T-VPE) method is reported for the first time. The thermodynamics of the H₂ transport method of CdTe is analyzed to determine the equilibrium partial pressures of the molecular species in the vapor and its supersaturation as a function of growth conditions. (100)-oriented CdTe epilayers are successfully grown by H₂T-VPE on hybrid ZnTe/GaAs(100) substrates prepared by metalorganic vapor phase epitaxy. Growth rates up to 10 μm/h are obtained at temperatures ∼760°C and with the CdTe source temperature at 827°C. The achievement of even higher growth rates can be foreseen by using the present method under slightly different conditions; several hundreds micron thick CdTe layers can be thus grown by the H₂T-VPE. CdTe samples have mirror-like, nearly featureless surfaces. Also, CdTe epilayers have shown a medium-to-high resistivity at room temperature, possibly as a result of compensation by donor impurities diffusing from GaAs. Still the growth of highly resistive layers by in-situ chlorine doping during the H₂T-VPE growth is possible. In summary, H₂T-VPE is a potential alternative to traditional melt- and vapor-growth methods for the synthesis of detector-grade CdTe for application to the 1–100 keV x-ray energy range.     

偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究

晶面偏角是提高(211) Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的新方向。     

Cathodoluminescence studies of the 1.4 eV bands in vapor-phape-grown CdTe

Vapor-phase-grown CdTe is interesting in that it represents an alternate growth technology for CdTe and in addition provides an alternate setting in which to observe the poorly-understood 1.4 eV luminescence that has received much attention in liquid-phase-grown material. In this paper we present the first cathodoluminescence measurements in vapor-phase-grown CdTe. We describe the injection level dependence, temperature dependence, and frequency response of the luminescence of vapor-phase-grown CdTe and compare the results to those reported previously on liquid-phase-grown CdTe.     

氩氧气氛下沉积的CdTe薄膜及太阳电池的性质

研究了在氩氧气氛下近空间升华沉积CdTe的技术．发展了在表面十分平整的玻璃衬底上沉积优质CdTe薄膜的方法,对比了在玻璃衬底和CdS薄膜上CdTe薄膜的结构特征．通过研究氧分压对CdTe薄膜择优取向的影响,证实了在恰当的近空间升华沉积过程中,两种衬底上的CdTe薄膜具有相同的结构．研究了玻璃衬底上CdTe薄膜的电学与光学性质,观察了后处理对上述薄膜性质的影响,并研制出了效率达1338%的小面积CdTe 薄膜太阳电池．