彩电视放管的设计与制造工艺

已经有许多作者对低频大功率晶体管和大电流型高频大功率晶体管的设计和制造问题进行过详细的研究,关于“高频高反压功率晶体管”方面的研究报告还不多见,作者在设计、试制了彩电视放管之后,觉得对这类晶体管的研制方面还有许多工作要做,而且这类器件是集成电路所不能取代而独立存在的一个重要分支,具有广阔的前景。 众所周知,高频功率器件是在较低的收集结击穿电压下,以提高器件的电流容量和特征频率来实现高频和大功率要求的,而高反压大功率晶体管是在较低的频率下,通过提高击穿电压和电流容量来实现的。显然,对于高频高反压功率晶体管,高频率和高击穿电压的要求     

宽带电流反馈运算放大器OPA623及其应用

以电流模技术和互补双极工艺制造的集成电路具有良好的高频性能，用其构成的电流反馈放大器频带宽，转换速率高，在视频和射频信号的放大和处理以及高速数字通信系统中都得到广泛的应用。通过OPA623集成“运放”，简要介绍电流反馈放大器的原理、性能及其在高清晰度电视及有线电视传输中的应用。     

实用电源（4）

常用开关电源初级大多接市电（50赫兹）,整流器通常采用普通二极管整流。但DC—DC的次级需要专用高频整流二极管等器件。因为整流二极管和功率开关元件是工作在高频电压电流条件下,要求具有高速、快恢复和正向电阻小三种性能的整流二极管。不可使用市电网整流用的普通整流二极管!否则,就会发生意想不到的后果。     

MOS电流模逻辑加法器结构设计

为克服传统静态CMOS电路在高频工作时的缺陷,引入了MOS电流模逻辑(MOS Current Mode Logic,MCML)电路.MCML电路是一种差分对称结构逻辑电路,与传统的CMOS电路比较,在高频段工作时功耗相对较低,具有典型的高速低功耗特性.在对MCML电路的开关条件以及具有不同输入端的MCML逻辑门电路进行分析后,提出了实现MCML加法器的两种电路结构,并给出了不同结构的应用条件.仿真结果验证了电路结构设计的有效性.     

金槽BSIT：一种新型静态感应晶体管

功率型静态感应晶体管BSIT是一种高频、高速的功率场控制器件,它既具有功率MOS管一样高的开关速度,又具有双极晶体管一样低的导通压降。它不会发生功率MOS管那样的静电击窗,也不会发生双极晶体管那样的二次击穿。它具有很大的过电流能力,有很宽的安全工作区,是一种非常优良的功率开关器件。     

VBUS054CV-HS3:4线ESD保护阵列

Vishay推出小型4线ESD保护阵列-VBUS054CV- HS3,该器件可在高浪涌电流下提供低电容,以保护两个高速USB端口或四个其它高频信号线,以免它们受到瞬态电压信号的损坏。     

彩电视放管的设计与制造工艺

已经有许多作者对低频大功率晶体管和大电流型高频大功率晶体管的设计和制造问题进行过详细的研究,关于“高频高反压功率晶体管”方面的研究报告还不多见,作者在设计、试制了彩电视放管之后,觉得对这类晶体管的研制方面还有许多工作要做,而且这类器件是集成电路所不能取代而独立存在的一个重要分支,具有广阔的前景.     

用高频静电感应晶体管制作的高频逆变器的性能评述

本文描述了利用新近研制的高频SIT制作的在1MHz下工作的感应加热金属的高频逆变器。众所周知,理论上预期E类开关型逆变器能将开关器件的开关损耗减到最小.所以详细地讨论了三种E类逆变器的工作情况。其次制作出电流反馈式试验性逆变器,它在1MHz下加热金属棒的功率约0.2kW。业已发现逆变器工作安全并在理论上断定这种模式具有足够高的效率。     

用于高速数字转换器的低抖动时钟设计

高速数字转换系统通常包含一个带通滤波器、A/D转换器、高频时钟、高速存储设备和处理部件。高速性能的A/D转换器要求高频时钟的相位噪声小(抖动小)、能够工作在GHz范围。传统的晶体振荡器输出的抖动小,但是当频率超过120MHz时,就很难找到频率这么高的晶体振荡器。通常用锁相的方法,通过比较压控振荡器输出信号与晶体振荡器输出频率的差别,将压控制振荡器的输出频率锁定到所要求的高频。     

采用SIT高频脉冲宽度调制(PWM)逆变器的3kVA不间断电源(UPS)

我们采用并联的SIT(静电感应晶体管)研制了一种用于UPS的3kVA(100V,30A)高频PWM逆变器。这种逆变器充分利用了功率SIT的特性,即大功率输出、大的安全工作区(SOA)、高速开启和负的电流温度系数。为了改进UPS的输入功率因数和减小输入电流中的高次谐波,我们还研制了一种把输入交变电流全波整流之后不经滤波直接向逆变器供电的电源系统。     

用两个运放加倍输出电流

高速运放的标准线性输出电流一般为３０ｍＡ到４０ｍＡ，在需要更大电流时，有些新型运放可以提供达到２０ＣｍＡ的输出电流，但价格就很高，同时运放的静态电流也提高了，这里提供两种应用方案可以采用双运放来使输出电流加倍的方法，比较经济地提高了输出电流的能力。图１中，增益是１＋（Ｒ２／Ｒ１），输出电流是Ｉ１＋Ｉ２，这种接法适合于低频信号，运放的内部延迟时间相对于输入信号的波长可以忽略不计，但在高频信号中，运放Ｂ比运放Ａ的延迟相对较大，输出电流不可能达到两者之和。在高频应用中推荐图２的接法。这两个运放的工作是…     

应用IGBT的小型化医用二氧化碳激光器电源

应用谐振型功率转换电路,采用谐振型电流过零关断方式工作,利用高频变压器,制作出一种小体积、重量轻的,可精密调节的高稳定度电源。     

高频高速印制板材料导热性能的研究进展

随着电子技术的发展,对高频高速印制板导热性越来越高的要求。除了开发高成本的高导热性聚合物材料外,在聚合物中填充高导热性的无机材料也是提高高频高速印制板基材导热性能的有效方法,而且填充型复合材料可以用理论模型预测其导热系数。主要综述了填料的形貌、分布与表面改性对填充型复合材料导热系数的影响等方面的研究进展。     

应用IGBT的小型化医用二氧化碳激光器电源

应用谐振型功率转换电路，采用谐振型电流过零关断方式工作利用高频变压器，制作出一种小体积、重量轻的，可精密调节的高稳定度电源。     

GaN肖特基SIT的Monte Carlo模拟

用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管(SIT)的特性,给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果。模拟得到的SIT输出特性曲线呈现非饱和特性,即类三极管特性。当VGS=0,VDS=35 V时,漏源电流为47 A/cm,跨导为300 mS/mm,电流截至频率为150 GHz。结果表明该器件具有大电流、高跨导和高频工作的潜力。     

霍尔电流电压传感器模块的性能及应用

近年来,新一代功率半导体器件进入电力电子领域后,交流变频调速逆变装置、开关电源等日渐普及,原有的电流检测元件已不适应中、高频、高di/dt电流波形的传递检测。霍尔电流传感器模块是近几年发展起来的测量、控制电流的新一代工业用传感器,是弥补这一空缺的高性能电流     

电流型运算放大器LM359的一种特殊应用

<正> LM359N是一款单电源工作的高速、宽频带、可编程电流型双运算放大器,它的显著特点是噪声低、增益带宽乘积高、转换速率快,而且用户可根据需要对增益带宽乘积、输入偏置电流、输出偏置电流等进行不同的设定,设计使用非常灵活,被广泛应用于各类视频放大器的制作。     

适用于模拟及模数混合IC的ESD保护结构

本文介绍两种适合于高频 CMOS 模拟电路的 ESD 保护结构,即用于模拟电路的 ESD保护结构和集总(all-in-one)ESD 保护结构。模拟 ESD 保护结构用于保护模拟输入和输出端,适合于电流模式、高频和高分辨率电路。集总 ESD 保护结构适合于高速、射频和混合信号集成电路。     

基于3300V牵引级IGBT的新一代高压变频器

1 3300V牵引级IGBT简介 IGBT（绝缘栅双极晶体管）集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。各大半导体厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠技术，取得巨大的进展。     

具有宽带调制特性的SOA的优化设计考虑

基于半导体光放大器（ＳＯＡ）的高频滤波效应，分析了半导体光放大器的偏置电流，微分增益，输入光功率和模场限制因子与半导体光放大器响应速度（载流子密度响应速度）关系，给出了具有高速响应特性的半导体光放大器各参量的优化设计方法。