GIS局部放电模拟用亚纳秒脉冲发生器研究

GIS内部的局部放电脉冲前沿一般在1 ns以内,文中研究脉冲前沿在1 ns以内的快前沿脉冲发生电路,可以在实验中模拟局部放电信号,用于需要局部放电信号的实验中。文中利用晶体三极管的雪崩效应,三极管的雪崩工作时产生的脉冲信号幅值较高,前沿时间较短,可以达到前沿在1 ns之内的要求。选择BFP450型雪崩三极管,制作电路板测量脉冲信号,可以得到特高频脉冲电压信号,可以通过特高频天线进行传输。通过文中设计的脉冲产生电路,可以得到幅值4 V左右,重复频率20 kHz以内,前沿时间1 ns以内的快前沿脉冲信号。     

混合储能脉冲电源中电容重复利用方案设计及仿真

在基于超导电感-电容混合储能脉冲电源中,两个储能电感比值较大时转换电容的容量要求也较大,降低了超导储能的体积优势。针对这一问题,本文分析了转换电容对单模块电路工作特性的影响,提出了多模块超导电感-电容混合储能脉冲电源电路共用一个转换电容支路的设计思路,并以三模块为例对同时放电和延时放电模式进行了仿真验证。仿真结果表明:多模块超导电感-电容混合储能脉冲电源电路可以共用一个转换电容支路,两种放电模式对负载电流脉冲都进行了改进,但同时放电模式进一步降低了超导储能的优势,而延时放电模式可大幅提高超导储能的优势。     

小型纳秒级方波脉冲电源的研制

采用飞行时间法测量原子氧束能谱时,要求离化源为纳秒级脉宽、能量均匀的脉冲电子束,以尽量降低离子收集器附近产生的等离子体鞘层电位对原子氧束能谱测量精度的影响。针对上述脉冲电子束的性能要求,研制了一款基于雪崩三极管Marx电路的小型方波脉冲源。首先介绍了雪崩三极管的工作特性、Marx电路的升压原理以及元器件的选取方法;然后结合脉冲形成线电压波反射原理,建立了同轴线缆充电时的电路方程;分析了方波脉冲成形机理和传输线阻抗对输出脉冲波形的影响,将同轴电缆传输线等效为分布式电感电容模拟网络,搭建了同轴电缆传输线仿真模型;设计制作了具体电路,在各级模拟网络充放电特性仿真结果的指导下,针对性地对同轴电缆传输线的姿态进行微调,改善了输出波形。实际电路产生了幅值±200～300 V、频率1～10 kHz可调、双快边沿纳秒方波脉冲。     

基于雪崩三极管的高重频高压纳秒脉冲产生方法综述

激发大气压脉冲等离子体通常对施加脉冲的要求是k V级幅值、ns级前沿和宽度、k Hz级重复频率,尤其要求脉冲前沿和宽度尽量小,雪崩三极管脉冲产生电路非常适合于这样的要求。本文综述了基于雪崩三极管的脉冲产生方法。首先介绍了雪崩三极管的基本原理和研究概况,进而介绍了多管串联电路、多级Marx电路、多管并联电路以及脉冲截断电路四种典型电路结构的研究现状,分析了各电路的性能特点,并以多级Marx电路为例理论分析了影响输出脉冲幅值、前沿、后沿、脉宽、重复频率、效率和稳定性等参数的关键因素。最后介绍了多管串联Marx电路、多管并联Marx电路以及多路Marx并联电路三种组合型脉冲产生电路的研究进展,并对基本原理进行了分析。     

雪崩电路及其应用

本文讨论雪崩晶体三极管的雪崩过渡过程。采用微分方程推导出雪崩晶体三极管的雪崩过渡过程的一般公式。找出过渡过程的动态电源,以及雪崩过程中工作点在静态特性曲线中的移动路径。本文中也阐述了雪崩晶体三极管的一般特性、工程筛选的一般方法等。文中的最后给出了雪崩实用电路举例。     

基于Saber的磁脉冲发生电路仿真研究

磁脉冲发生系统利用快速饱和磁性材料在饱和时电感量的突变来实现对能量的压缩和释放。本文设计了一种包含快饱和磁性器件的单级脉冲发生电路,对电路的工作原理进行了详细分析并对关键参数进行了设计,讨论了中储电容和限流电感对脉冲压缩效果的影响。利用Saber仿真软件,对电路进行了仿真研究。由仿真结果可知,当储能电容初始电压为280V时,该电路可在350Ω的纯阻性负载上产生下降沿约83ns,峰值为13. 64kV的负极性高压脉冲,验证了理论分析的正确性与电路的可行性。     

电感储能和爆炸导体转换大功率毫微秒脉冲发生器

一、引言众所周知,较早的脉冲放电功率技术,一般都采用单级并联电容器组、或者用麻克斯(Marx)发生器、或用带有脉冲变压器的电容器组作储能电源。这类电容电源的储能电容C和电路固有电感L。构成的特征时间(?)较长,往往限制了能量的传递时间和速率,因而     

脉冲电源对电弧放电等离子体温度的控制研究EI北大核心CSCD

等离子体温度是电弧放电过程中的重要参数,控制等离子体温度能够有效的控制等离子体化学反应过程。为此,在研制电感储能和电容储能2种脉冲电源的基础上,测定了在不同放电频率、电容电压和储能电容条件下的脉冲电弧放电等离子体发射光谱,并计算了对应条件下的温度。结果显示:电弧放电等离子体温度可以通过改变电感储能电源中的放电频率和电容储能电路中的电压和电容值控制,其线性关系良好,相关系数分别为0.946、0.974和0.979。     

一种超宽带窄脉冲信号发生器的设计

宽度窄、幅度大的脉冲生成是探地雷达系统中要解决的关键问题之一.本文在比较了几种不同实现电路的优缺点,详细分析了雪崩三极管原理的基础,提出利用雪崩三极管的雪崩特性,实现超宽带、窄脉冲的生成.文中给出了电路原理图和实验结果,电路分为正、负脉冲2部分,可生成底宽为纳/亚纳秒级、正、负脉冲的峰-峰值高达160 V的窄脉冲信号,并且脉冲拖尾的振荡起伏小,很好地满足了雷达系统的宽度窄、幅度大的要求.电路结构简单、参数可调、移植性强、适用范围广.     

脉冲电源对电弧放电等离子体温度的控制研究

等离子体温度是电弧放电过程中的重要参数,控制等离子体温度能够有效的控制等离子体化学反应过程。为此,在研制电感储能和电容储能2种脉冲电源的基础上,测定了在不同放电频率、电容电压和储能电容条件下的脉冲电弧放电等离子体发射光谱,并计算了对应条件下的温度。结果显示:电弧放电等离子体温度可以通过改变电感储能电源中的放电频率和电容储能电路中的电压和电容值控制,其线性关系良好,相关系数分别为0.946、0.974和0.979。     

Compact CMOS active quenching/recharge circuit for SPAD arrays

Avalanche diodes operating in Geiger mode are able to detect single photon events. They can be employed to photon counting and time‐of‐flight estimation. In order to ensure proper operation of these devices, the avalanche current must be rapidly quenched, and, later on, the initial equilibrium must be restored. In this paper, we present an active quenching/recharge circuit specially designed to be integrated in the form of an array of single‐photon avalanche diode (SPAD) detectors. Active quenching and recharge provide benefits like an accurately controllable pulse width and afterpulsing reduction. In addition, this circuit yields one of the lowest reported area occupations and power consumptions. The quenching mechanism employed is based on a positive feedback loop that accelerates quenching right after sensing the avalanche current. We have employed a current starved inverter for the regulation of the hold‐off time, which is more compact than other reported controllable delay implementations. This circuit has been fabricated in a standard 0.18 µm complementary metal‐oxide‐semiconductor (CMOS) technology. The SPAD has a quasi‐circular shape of 12 µm diameter active area. The fill factor is about 11%. The measured time resolution of the detector is 187 ps. The photon‐detection efficiency (PDE) at 540 nm wavelength is about 5% at an excess voltage of 900 mV. The break‐down voltage is 10.3 V. A dark count rate of 19 kHz is measured at room temperature. Worst case post‐layout simulations show a 117 ps quenching and 280 ps restoring times. The dead time can be accurately tuned from 5 to 500 ns. The pulse‐width jitter is below 1.8 ns when dead time is set to 40 ns. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd.     

适用于探地雷达应用的低过冲平衡脉冲发生器

设计了一种新型的超宽带ns级低过冲平衡脉冲发生器.该脉冲发生器包含驱动电路、雪崩三极管脉冲电路和脉冲整形电路3部分,驱动电路用以锐化触发脉冲;雪崩三极管脉冲电路采用独特的晶体管级联结构产生大幅度的高斯脉冲;脉冲整形电路利用并联端接电阻网络和肖特基二极管减小信号反射,最后使用巴仑产生平衡的高斯脉冲,该电路最高可以在300 KV脉冲重复频率下正常工作.测量结果表明,在100 KV脉冲重频时该脉冲发生器可以输出一对峰峰值为230 V、前沿为1.3 ns的平衡脉冲,并有着极小的振铃和过冲.这些特征说明,该脉冲发生器在探地雷达应用中有着更深探测距离和更快数据处理速度的优势.     

Design and Simulation of Solid State Pulser with Fast Rise Time and Double-exponential Waveform

Voltage pulses with fast rise time can be obtained from Marx circuits based on avalanche transistors. In this research, the ZETEX avalanche transistors are used as the switches in a Marx circuit to generate stable voltage pulses with double-exponential waveform and fast rise time. By using these transistors, the circuit is able to generate higher pulsed voltage with fewer stages. A three stages and a ten stages Marx circuit, as well as their triggering circuits, are designed. The two Marx circuits are also tested by simulations based on the Pspice code and by experiments, results of which are consistent with each other. With the ten stages Marx circuit, we obtain positive and negative pulses with the rise time of about 1.5 ns, the amplitude above 1 100 V, and the pulse width below 5 ns. It is proved that the proposed Marx circuit equipped with avalanche transistors could be an effective kind of solid-state pulse generator.     

试论PiN二极管雪崩电压公式

对功率整流二极管必须具有的雪崩特性,进行了详细分析与论述,界定了二极管雪崩性状,叙述了雪崩二极管的3个基本特点和雪崩的一般原理,进而在截面电阻率均匀度的认识基础上给出了可行的二极管雪崩电压公式,说明了影响二极管雪崩的因素,为雪崩二极管的生产与制造工艺改进指明了方向。     

Ein Impulsmeßplatz mit einer Zeitauflösung von 18 Pikosekunden

Übersicht Sampling-Oszillographen mit einer Verzögerungsleitung im Meßkanal gestatten heute eine Zeitauflösung von etwa 200 ps. Nur wenn für die Erregung des Meßobjektes eine Impulsamplitude von ca. 200 mV ausreicht, kann als Impulsquelle ein triggerbarer Tunneldioden-Impulsgenerator eingesetzt werden. In diesem Fall erreichen handelsübliche Geräte eine Zcitauflösung von 30 ps.Durch Verwendung cines Relaisgenerators und von Richtkopplern als Impulsformer konnte mit einem neuartigen Selbst-Abtastverfahren ein Impuls-meßplatz mit einer Zeitauflösung von 18 ps aufgebaut werden. Mit ihm gelingt es, die Impulsantwort von Meßobjekten bis zu einer Amplitude von 5 V jitterfrei zu bestimmen.

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Contents The delay line in the test channel limits the time resolution of convetional sampling-oscilloscopes to about 200 ps. If pulse amplitudes greater than 200 mV are required to switch modern devices triggerable pulse generators with tunnel diodes cannot be used.With a new self-sampling system, based on a relay generator with directional couplers as pulse formers, measurements of the transient response of a test device with a time resolution of 18 ps without any time-jitter and amplitudes up to 5 V have been achieved.

     

三极管2SC3402方波电磁脉冲效应实验研究

针对硅微波低噪声三极管2SC3402进行方波电磁脉冲效应实验,主要研究三极管在方波电磁脉冲作用下哪些部位对电磁脉冲最为敏感,哪些电参数最容易发生变化.实验采用方波电磁脉冲发生器对三极管进行方波电磁脉冲注入,观察三极管电参数的变化.实验结果表明,三极管对电磁脉冲最敏感的部位是集电结,最灵敏参数是CE反向击穿电压VBRCEO.     

Single Miller capacitor frequency compensation with nulling resistor for three‐stage amplifiers

A frequency compensation technique for three‐stage amplifiers is introduced. The proposed solution exploits only one Miller capacitor and a resistor in the compensation network. The straightness of the technique is used to design, using a standard CMOS 0.35‐µm process, a 1.5‐V OTA driving a 150‐pF load capacitor. The dc consumption is about 14µA at DC and a 1.8‐MHz gain–bandwidth product is obtained, providing significant improvement in both (MHzpF)/mA and ((V/µs)pF)/mA performance parameters. Copyright © 2007 John Wiley & Sons, Ltd.     

半导体三极管静电放电敏感端对实验研究

针对典型的硅微波低噪声三极管进行静电放电电磁脉冲效应实验,主要研究静电放电沿着三极管的哪个管脚组合(端对)注入时最容易造成三极管的损伤.三极管的那个部位对静电放电最为敏感.实验采用静电放电模拟器对三极管的所有管脚组合(端对)进行静电放电,每次静电放电后测量三极管主要电参数的变化情况,根据有关规定判断三极管是否损伤.实验发现,国产三极管3DG120D和日本产三极管2SC3331沿着各个管脚组合(端对)注入静电放电电磁脉冲时的损伤电压不同,沿着CB端对注入静电放电电磁脉冲时的损伤电压最小,CB端对对静电放电最为敏感.硅微波低噪声三极管对静电放电电磁脉冲最敏感的部位是集电结(CB结).