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Sungmo Young 《世界电子元器件》2006,(3):39-40,70
功率金属氧化半导体场效应晶体管(Power MOSFET)是当今电源中广泛使用的开关器件。功率MOSFET的工作频率不断提高,以减小器件尺寸和提高功率密度。这样就会增加电流变化率(di/dt),增强了寄生电感的负面作用,导致功率MOSFET源极和漏极之间产生很高的电压尖峰。这种尖峰电压在器件上电时更为严重,因为在上电瞬间变压器的初级电感几乎达到漏感的水平,同时器件的体电容还未完成充电且电感较小。幸好功率MOSFET具有一定的抗过压能力,因此无需外加成本高昂的保护电路。 相似文献
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IR2233是IR公司生产的一种高压高边功率MOSFET和IGBT驱动器。该器件内部集成了互相独立的三组丰桥电路,并具有多种保护电路。文中简要介绍了IR2233的电气性能、工作原理,给出了IR2233的典型应用电路。 相似文献
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输出电容是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数。在开关应用中,根据输出电容C_(oss)来确定器件的开关损耗具有一定的局限性。为了准确地评估器件的开关损耗,研究了功率MOSFET的有效输出电容C_(oer)和C_(otr)及其测试方法。首先,以液压模型理论为基础阐述了器件参数C_(oer)和C_(otr)的具体含义,并完成相应的测试电路设计。然后,建立了基于测试电路的数值计算模型;为了保证测试精度,模型中充分考虑了电压测试电路产生的负载效应。最终,采用该方法对器件的有效输出电容进行测试和计算。实验结果表明,该测试方法能对功率MOSFET的有效输出电容进行可靠测试。 相似文献
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《电子工程师》2003,29(5):62-62
功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出全新 6 0 0 V HEXFET功率MOSFET系列 ,新器件具备快速本体二极管特性 ,专为零电压开关 (ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率 ,并能提高功率输出 ,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新 L系列 HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性 ,因此无需在 ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管 ,减少了元件数目 ,节省了电路空间。新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正… 相似文献
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单片同步整流芯片中功率MOSFET分析及电路仿真 总被引:1,自引:1,他引:0
同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术。遵循转换效率最高原则.使用器件结构仿真软件Medici对同步整流DC-DC变换器中的功率MOSFET进行结构分析,并得出选择建议。同时在Cadence中对同步整流技术相关电路进行仿真分析,得到了同步整流技术中的功率器件优化结果和外围线路结构。 相似文献
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本从电源的小型化出发,简要介绍几种导体器件和电路的具体应用情况及其发展趋势,其中包括功率晶体管、低耐压MOSFET、CMOS开头稳压器及单芯片电源。 相似文献
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《电子设计技术》1999,(9)
具有自动保护功能的大功率MOSFET ST微电子公司的新一代OMNIFETⅡ系列MOSFET具备完善的自动保护功能。该系列用PVIPower M0-3技术制造,降低了导通电阻,增大了电流,由于把栅漏电压箝制在低于雪崩电压,所以更加牢固。利用PVIPower M0-3技术可以把大功率MOSFET和模拟电路以及数字电路做在一块硅片上。新系列中集成了用户看不到的箝位电路和保护电路,其中包括限流电路,电压过载保护,电流过载保护、栅极ESD保护以及动作很快的过热保护电路。过热保护电路中的传感器是在功率器件的热点上。保护电路无须外部供电,当器件接通时,从栅极吸收少量 相似文献
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三相控制整流器和变换器,矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率晶体管,每支晶体管都有自己的驱动电路。图1中的电路用1kHz~200kHz频率的全占空比脉冲驱动一个容性输入功率器件,如MOSFET或IGBT《绝缘栅双极晶体管)。一只变压器起隔直作用,电路在15V初级电源电压下只消耗少量功率。采用具有输入电容高达5nF的几只MOSFET和IGBT,测试满意,该驱 相似文献