K3C60单晶薄膜制备及表征

根据K在C60晶体中的扩散系数分析了在C60（111）单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确实为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。     

K3C60单晶膜制备及同步辐射光电子谱表征

根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。     

K3C60能带色散和分子取向结构

测量了K3C60单晶薄膜[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。首次观察到K3C60能带色散。通过对能带色散关系的分析，确立了K3C60低温下的一维无序取向结构。     

Rb3C60单晶薄膜的同步辐射光电子谱研究

在C60单晶(III)解理面上制各出Rb3C60单晶薄膜．得到了室温和150K温度时导带的光电子谱峰形，费米面附近的电子态密度随温度显著变化．甚至在室温时也能观察到导带有不少于6个子峰．     

C60单晶价带色散的同步辐射光电子谱研究

测量了C60单晶（111）解理面法向发射的角分辨光电子谱。利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO－1的能带的色散关系。实验观察到HOMO和HOMO－1能带在Г－L方向存在明显的色散，最大色散分别为0.27eV和0.42eV色散曲线与理论电子结构基本符合。     

C60单晶电子结构的同步辐射光电子谱研究

测量了C60单晶[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。观察到HOMO能带和HOMO－1能带明显且有规律的色散。色散曲线与LDA理论结果符合得较好。     

K3C60光电离截面振荡

对K3±δC60多晶薄膜进行了同步辐射光电子谱研究。入射光子能量为17－86cV。实验发现K3±δC60光电子谱的HOMO－1，HOMO及LUMO等导出能带的谱峰强度均随入射光子能量的增加而呈现振荡的性质，与纯C60的光电子谱峰随入射光子能量变化的趋势相似。结果C60分子独特的笼状几何结构，认为其电离截面的变化是由于K3±δC60的末态电子在C60分子笼内形成球状驻波引起的。以驻波的边界条件为基础进行理论计算，得到的电离截面极小值对应的光子能量与实验得到的结果符合良好。     

钙钛矿型氧化物薄膜电子结构的XPS研究

用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。     

钙钛矿型氧化物La0.9Sn0.1MnO3庞磁阻薄膜电子结构XPS研究

用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。     

用角分辨光电子谱研究有序和突变的f.c.c.Fe／Cu{111}的界面

本利用同步辐射角分辨光电子谱研究了f.c.c.Fe与Cu{111}之间的界面。观察到了位于表面布里渊区中K点附近的界面态，表明它是一个有序的界面。垂直出射的价带谱表明外来Fe原子对衬底Cu{111}的能带结构无任何影响。这与互混的Co/Cu{111}的结果不同，表明界面处不存在Fe与Cu原子之间的互混。     

用ARUPS研究在Cs／Ru（1010）面上的CO分子轨道对称性

用同步辐射角分辨紫外光电子谱对CO与Cs在Ru(1010）面上共吸附的研究结果表明：由于Cs的强烈影响，CO的分子轨道重新排列。对应清洁表面上CO分子的（5σ＋1π）轨道的7．5eV谱峰分裂成两个，分别处于6．3和7．8eV，6．3eV谱峰关于一个垂直于Ru(1010)面面平行于＜0001＞晶向的镜像面反对称性。     

α-Al_2O_3:C单晶的β辐射热释光与光释光性能研究

以高纯碳粉作为碳源直接加入原料,采用导模法(EFG)生长了α-Al2O3:C单晶。研究了晶体经过低剂量β射线辐照后的热释光与光释光特性,α-Al2O3:C单晶的热释光发光曲线在350 K、540 K和689 K附近有3个热释光峰,540 K附近为主要热释光峰,689 K附近为新的热释光峰,发现晶体的陷阱能级深度发生变化并产生了新深度的陷阱能级;随着β吸收剂量的增加,发光强度也随之增强,但是3个热释光峰温位置大致保持不变。在多次连续同剂量辐照过程中,随着辐照次数的增加,主热释光峰强度增强,峰温向高温方向偏移。α-Al2O3:C单晶的光释光衰减曲线呈指数变化,其由前期快衰减部分和后期慢衰减部分组成,快衰减部分衰减速率随着吸收剂量的增加变化很小,而慢衰减部分衰减速率则有较为明显的减慢。在低剂量范围内(低于10Gy),热释光和光释光过程灵敏度不随吸收剂量而变化,剂量响应曲线呈线性的特点。     

C2H2、C2H4与K在Ru（1010）表面上共吸附的UPS研究

利用角分辨紫外光电子谱对乙烯和乙炔气体在Ru(1010)表面的吸附及与K的共吸附的研究结果表明：当衬底温度超过200K，乙烯即发生脱氢反应，σCH和σCC能级均向高结合能方向移动。在室温下，σCH和σCC能级位置与乙炔在Ru(1010）表面的吸附时的分子能级完全一致。乙烯发生脱氢反应后的主要产物为乙炔。衬底温度从120K到室温，Ru(1010）表面上乙炔的σCH和σCC能级均未发现变化。室温下乙炔仍然可以在Ru(1010）表面以分子状态稳定吸附。在有K的Ru(1010）表面上，室温时σCC谱峰几乎。碱金属K的存在促进了乙炔的分解。     

C_(70)富勒醇的激光光解研究

用时间分辨激光光解技术对富勒烯水溶性衍生物C_(70)富勒醇［C_(70)（OH）_m］研究发现，与通常富勒烯衍生物，如C_(60)［C（COOEt）_2］_n，C_(60)（C_4H_6O），C_(60)（C_3H_7N）在溶液中光解常产生激发三重态不同，C_(70)富勒醇能被248nm激光单光子电离。以KI溶液为参照，测定其水合电子的量子产额（Ф_(e-)）为0．11。将激光光解与SO~-的氧化对比，确认了到C_(70)富勒醇阳离子自由基的吸收峰。     

NSRL表面物理线站的性能测试及角分辨光电子能谱实验

介绍了中国科技大学国家同步辐射实验室（NSRL）表面物理站的调试及获得的初步结果。利用光电二极管进行了光束线光通量的测试,分别得到了3块光栅的光通量响应曲线。利用纯金样品的二次谐波和费米边分别对高能和低能部分的入射光子能量进行了标定,并给出了系统的能量分辨率。最后用同步辐射零级光和激光束对实验站的电子能量分析器进行准直,用Cu单晶样品的角分辨光电子能谱实验测试了整个系统的性能,结果表明,NSRL表面站能够满足用户开展角分辨光电子能谱实验的要求。     

NSRL在宽带隙半导体能带结构的研究进展

综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展。首次利用全势线性Muffin-tin轨道(FP—LMTO)方法，计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构，从理论上证明了Zn境隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因，并讨论了它们对ZnO的光谱特性的影响。利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了纤锌矿结构GaN(0001)体态和表面态的能带色散。首次通过全势绕加平面波（FPLAPW）方法，对β-SiC(110)表面进行了第一性原理计算。我们的计算结果显示出顶层Si—C键长收缩且发生扭转的驰豫特性，而表面弛豫实现了从金属性到半导体件质的转变。     

TEPC中子和γ分辨技术研究

混合辐射场中子剂量、剂量当量的测量需进行中子、γ分辨。依据各种辐射沉积线能的不同,组织等效正比计数器（TEPC）具有一定的中子、γ分辨能力。本文采用自制的圆柱形TEPC在5SDH-2加速器单能中子辐射场进行了微剂量谱测量,对其中子、γ分辨技术进行了探讨分析。采用¹³⁷Cs纯γ辐射微剂量谱匹配法,在²⁵²Cf、²⁴¹Am-Be中子辐射场进行了中子、γ分辨研究。分辨后的中子剂量当量与约定真值一致性较好,表明TEPC用于中子、γ混合辐射场的吸收剂量、剂量当量测量是可行的。     

用同步光微束作激发源的PSS性能研究

用同步光微束作激发源,对所研制的平面晶体波长色散位置灵敏谱仪（PSS）性能进行了研究。结果表明,用LiF（200）晶体测得TiKα的能量分辨率达14．2eV,比Si(Li）探测器的能量分辨率好一个多量级;用Si(Li）观察不锈钢样品中的含CrKβ与MnKα两X线为一重叠的峰,而用PSS能清楚地分辨它们;对K2Cr2O7样品中Cr的探测限＜200μg/g和对一气溶胶样品中Ti的可检测量达10^-9-10^-9g量级。结果表明,随着实验条件的使PSS的探测限进一步降低,在同步光束线上用PSS开展高能量分辨的微量元素分析将是可行的。     

铀铌合金在O2气氛中氧化初期的XPS研究

采用X射线光电子能谱（XPS）分析研究了298K时铀铌合金的清洁表面在O2气氛中的原位氧化过程。通过分析反应各阶段U4f,Nb3d和Ols谱峰的变化,揭示了O2在轴铌合金表面吸附解离后,优先与表面Nb原子和U原子结合生成NbO、UO2-x和UO2,然后NbO进一步氧化为NbO2和Nb2O5,在氧化的不同阶段U和Nb分别向表面偏析。     

C60薄膜在快重离子辐照下的结构稳定性研究

用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱、X射线光电子谱和拉曼散射技术分析了能量为GeV量级的S、Fe、Xe、和U离子,以及120keV的H离子在室温下辐照多层堆积C60薄膜的结构稳定性,即快重离子在C60薄膜中由高密度电子激发引起的效应,主要包括C60分子的聚合、分子结构的损伤、新的高温-高压相的形成和晶态向非晶态的转变.