异质结双极晶体管的最新进展

八十年代以来，微波半导体技术的迅速发展，应用领域不断扩大，为适应微波、毫米波半导体技术的发展，近年来已出现不少新结构、新器件，如异质结双极晶体管（HBT）、高电子迁移李晶体管（HEMT）、双极反型沟道场效应晶体管（BiCFET）调制掺杂场效应晶体管（MOFET）、谐振隧道晶体管（RTT）、负阻效应晶体管（NBERFET）、毫米波混合隧道雪崩渡越时间（MITATT）二极管、超导器件及量子器件等。本文主要叙述异质结双板晶体管的最新进展及其应用。     

Ge_xSi_(1-x)/Si异质结器件的研制现状

介绍了应变层Ge_xSi_(1-x)/Si异质结构的生长、材料特性及其在异质结双极晶体管(HBT)、双极反型沟道场效应晶体管(BICFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、谐振隧道二极管、负阻效应晶体管(NERFET)、毫米波混合隧道雪崩渡越时间(MITATT)二极管和光电探测器等器件中的应用状况,并指出了其发展前景。     

倍频程带宽的微带晶体管放大器

微波晶体管是六十年代中期发展起来的新型微波半导体器件之一。它包括双极晶体管和场效应晶体管两种类型。微波双极晶体管主要用在5千兆赫以下的频段,而砷化镓场效应晶体管的工作频率已经超过18千兆赫。微波晶体管放大器与其它微波放大器(行波管放大器、参量放大器和隧道二极管放大器)相比较,具有频带宽、相位特性的线性度好、噪声系数小、动态范围大、工作稳定性好、便于级联获得高增益、电路简单、体积小、重量轻等优点。因此,它完全取代了行波管放大器、隧道二极管放大器在接收机前端中的地位,在某些情况下还能取代参量放大器。现时,微波晶体管     

超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性

研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对此作出了新的解释．     

MOS集成电路及其发展状况

一、MOS集成电路的发展过程及其特点 半导体场效应器件的发展历史远比双极晶体管为早（双极晶体管于四十年代末出现）,大约在二十年代后期,人们就发现了“场效应”,并在三十年代初期出现了应用场效应原理工作的原始的场效应器件。     

势垒飞越晶体管

本文提出一种能在毫米波很好工作的三端半导体器件—异质结势垒控制飞的电子晶体管(简称势垒飞越晶体管)。器件的基本结构相似于“热电子晶体管”,其性能兼有通常场效应晶体管和双极晶体管的优点,频率性能预期比一般场效应晶体管要高一个数且级。     

SOS工艺的进度及应用

引言绝缘衬底上外延硅工艺起始于1963年。这种工艺分别简写为SIS、ESFI(绝缘层上外延硅薄膜)、SOS、SOSL(尖晶石上外延硅)等。用硅-兰宝石(SOS)工艺已制作出各种器件和电路,如二极管、二极管开关和二极管带、P沟与n沟MOS场效应晶体管及SIG场效应晶体管,用于动态逻辑和存储器的互补MOS电路,高频双极晶体管,由SOS有源元件制作的甚高频和超高频集成电     

直流不可逆数字伺服系统功率转换电路的研究

１引言在现代伺服控制中，绝缘栅双极三极管（IGBT）作为一种新型的功率转换元件，与大功率晶体管（GTR）、场效应晶体管（MOSFET）等功率器件相比，以其具有的管压降较低、所需驱动功率小、工作频率范围较广（０．５kHz～３０kHz）、无二次击穿现象等特点得到了越来越广泛的应用。当应用于不可逆伺服控制系统时，考虑到成本和简化电路，而多采用单管IGBT方式实现。利用单管IGBT驱动电机的功率电路如图１所示。调宽波控制IGBT栅极以驱动高速电机；VD１为IGBT模块中集成的快速二极管；VD２为续流二极管，当IGBT关断时为高速…     

半导体存储器件及其制造方法

本专利发明的一种半导体存储器包含有SOI衬底,在SOI衬底上,半导薄膜制作在半导体衬底上,在它们之间插入一绝缘物膜。由制作在SOI衬底上的MOS开关晶体管形成存储单元结构,江崎二极管制作在MOS晶体管上。这种存储器件还包含由复杂隧道二极管提供的存储单元和由江崎二极管提供的另外存储单元,隧道二极管与半导体衬底上构成场效应晶体管的掺杂区之一连接,而江崎二极管则是     

新型半导体器件—联栅晶体管（GAT）

联栅晶体管（ＧＡＴ）是一种介于双极型晶体管和结型场效应晶体管之间的电流控制型电力电子器件。本文介绍了ＧＡＴ的结构、特点及其应用。     

IGBT设计与制程技术的发展

引言 自绝缘闸双极型晶体管（IGBT）于上世纪80年代面世以来,一直成为中等功率应用中最常用的部件“1,2”。IGBT兼具金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗,以及双极结型晶体管（bipolar junction transistor．BJT）的载流能力,可简化闸极驱动要求,同时增强导通状态性能“3”。     

半导体研究的进展

尽管半导体市场出现了萧条不景气的景象,然而固态研究规划却使其继续向前发展。尤其是微波研究人员在双极晶体管、场效应晶体管和二极管等几方面发展了半导体技术。新材料和改进后的制造技术可以制造出新型的俘越二极管、大功率X波段场效应晶体管和被装在一平方毫米基片上并具有电流源的高速差分放大器。当然,在这阶段中,这些器件的绝大部分还是实验室雏形,但这不正是二十五年前晶体管的状况吗? 过去的俘越二极管是传统的台式结构。现在出现了较优越的平面设计,普林斯顿RCA实验室的研究员已经成功地制造出p型和n型的平面俘越二极管,单个的和多元的     

用IGBT设计特种电源

绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）开关电源,特别是特种电源,像大功率开关电源、ＵＰＳ电源、变频电源及变频调速装置等的功率变换器,其核心的功率器件通常为双极型功率晶体管和ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物半导体场效应晶体管）。但是随着对小型、轻量、高频、高效和低噪音的...     

InGaAsP激光器和驱动电路的单片集成

日本松下电气工业公司中心研究实验室对InGaAsP 二极管激光器和驱动电路在单片InP基片上单片集成已进行了实验验证。驱动电路以异质结双极晶体管为基础。用掩埋式异质结二极管激光器掩埋外延层制成。研制者已经实现了一个关键性的集成指标，即能够高速运转，用集成电路可以以1.6 GHz的速率调制激光输出。     

新型双注入结型场效应器件

本文提出一种新型双注入结型场效应晶体管（BJFET）器件构思，并说明其工作原理。这种器件兼有双极型器件和结型场效应器件的特点，即有两种载流子参与导电，导电能力受电压控制，具有较大的电流容量和输入电阻。     

在半绝缘InP衬底上集成半导体激光器、pin光电二极管和FET的光集成片

日本电报电话公司厚木电气通信研究所试制成在光纤通信中用作光信号放大器的光集成片。在半绝缘InP衬底上集成隐埋双异质结InGaAsP激光器、pin光电二极管、2级柱形栅FET(场效应晶体管）四种元件。     

高频开关整流器的应用和电路原理

介绍了高频开关整流器的特点和技术发展，国内外通信企业中的应用及其一般电路原理；重点对高频开关整流器功率因数有源和无源补偿法，高频变换技术，绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）并联电路原理作了介绍和分析。     

1970、1971和1974年度美帝半导体产品产值估计

(单位:百万美元)类一_年份}另。-一一一一一.~~一__}一︸197019711974毛~.一_年份}*刀lJ一~~~~~__}197019711974八U八曰八口勺‘,‘nJO 23普通分立器件 晶体管 硅双极晶体管 小信号晶体管(耗散功率 小于1瓦) 功率晶休管(耗散功率等 于或大于1瓦) 储双极晶体管 爆效应晶体管 单结晶体管 二极管 错二极管 硅二极管专用分立器件 闹流管 隧道二极管 微波二极管 变容二极管 齐纳二极管 微波晶体管 复合器件(两个的或二极管障 列)单片集成电路 线性集成电路 功能放大器类型 共他类型492。5364。2270.14712353.4260‘3383.329].32]2 .5348。0 68.…     

半导体与微电子技术

Y2002-63306-232 0305073用于逻辑电路的 InP 单片集成谐振隧道二极管/异质结双极晶体管单稳-双稳变换逻辑单元=InP-basedmonolithically integrated RTD/HBT MOBILE for logiccircuits[会,英]/Otten,W.& Glosekotter,P.//2001IEEE International Conference on Indium Phosphide andRdated Materials.—232～235(E)     

运算放大器可实现带宽增倍与噪声减半

场效应晶体管简称FET，其主要利用场效应原理工作。场效应即改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。与双极型晶体管相比，FET的特点是输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小、温度性能好、抗辐照能力强、多功能和制造工艺简单等。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等，