用6英寸圆片制成的光闸流晶体管和GTO

用６英寸圆片制成的光闸流晶体管和ＧＴＯ日本三菱电机公司在世界上首创用６英寸圆片制成ＦＴ４０００ＦＵ－１６０型光闸流晶体管和ＦＧ６０００ＡＵ－１２０Ｄ型ＧＴＯ闸流晶体管。前者主要技术指标：ｄＶ／ｄｔ＝２３００Ｖ／μｓ，ｄｉ／ｄｔ＝２００Ａ／μｓ，８ｋＶ...     

AlInAs／GaInAs异质结构隔离栅场效应晶体管（HIGFET）中的栅电流

ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结构隔离栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）中的栅电流＝ＧａｔｅｃｕｒｒｅｎｔｉｎＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｎｓｕｌａｔｅｄ－ｇａｔｅｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＨＩＧＦＥＴ...     

四元系AlGaInP为发射极异质结双极晶体管研究

本文对ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）进行了研究．设计并制备了ＡｌＧａＩｎＰ为发射极的叉指结构ＨＢＴ器件．研究结果表明,ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ具有较高的电流增益和较好的温度特性．同时,由于对ＡｌＧａＩｎＰ和ＧａＡｓ腐蚀选择性大,因而工艺简单、重复性好．     

富士通研究所开发3．5V GaAs HBT

富士通研究所开发３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ日本富士通研究所已研制成作为新一代便携电话的３．５ＶＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）和新结构ＨＢＴ。ＧａＡｓＨＢＴ具有与用于便携电话的发射部分的ＧａＡｓＦＥＴ相比，芯片面积减少１／２，大功率增益和单一电源工作等...     

AlInAs／GaINAsHBTIC技术

本文描述了用与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结双极晶体管制作的集成电路。ＨＢＴ的发射极尺寸为２μｍ×５μｍ，截止频率ｆ＿Ｔ和最高振荡频率ｆ＿ｍａｘ分别为９０ＧＨｚ和７０ＧＨｚ。用电流型逻辑（ＣＭＬ）制作了环形振荡器、触发器分频电路和双模前置换算器。其环形振荡器每门延迟时间为１５．８ｐｓ，ＣＭＬ触发器分频电路反转速率为２４．８ＧＨｚ。而４／５和８／９双模前置换算器分别由１０６和１２４只晶体管组成，可在高达９ＧＨｚ的时钟速率下工作。这两种双模前置换算器电路是ＩｎＰ基Ｈ８Ｔ制作的最大规模电路。     

高速、高增益InP／InGaAs基HBT

高速、高增益ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ基ＨＢＴ双异质结结构和ＩｎＰ集电极使得双极晶体管具有高击穿电压和高漂移速度。瑞典和芬兰的科学家用ＩｎＰ作发射极和集电极，用ＩｎＧａＡｓ作高掺杂基极薄层，制作出的ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ双异质结双极晶体管（ＤＨＢＴ），既得到...     

分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用

用分子束外延技术生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料,并用ＨＡＬＬ效应法和电化学Ｃ－Ｖ分布研究其特性。讨论了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ宜质结杨效应晶体管（ＨＦＥＴ）的优越性。和ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴＳ或ＨＥＭＴ相比,由于ＨＦＥＴ没有Ａｌ组份,具有低温特性好,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益ＨＦＥＴ。     

势垒厚度在2．5～50nm AlAs／GaAs隧道发射极HBT的奇特电流增益

势垒厚度在２．５～５０ｎｍ　ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ隧道发射极ＨＢＴ的奇特电流增益近几年来，人们对用隧道势垒作为有效质量滤波器的兴趣越来越大。曾有人提出一种新型ＴＥＢＴ结构ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ双极晶体管。在这种结构中，由于其电子和空穴穿过势垒的几率有很大...     

X波段功率AlGaAs／InGaAs p－n－p异质结双极晶体管（HBT）

Ｘ波段功率ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓｐ－ｎ－ｐ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）＝Ｘ－ｂａｎｄｐｏｗｅｒＡｌＧａＡｓ／Ｉｎ－ＧａＡｓｐ－ｎ－ｐＨＢＴ’ｓ［刊，英］／Ｈｉｌｌ．Ｄ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３．１４（４...     

InP衬底上的p—沟和n—沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常用晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ〉０．５３）Ｉｎ０．５３Ａｌ０．４６Ａｓ／ＩｎｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导〉２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖｔｈ＝０．     

高电子迁移率晶体管新结构

介绍了通过插入ＩｎＡｓ层到ＩｎＧａＡｓ沟道中，改善了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的性质，合适的ＩｎＡｓ层厚度和准确的插入位置会使在３００Ｋ时此结构的ＨＥＭＴ比普通结构的ＨＥＭＴ的迁移率和电子速度分别提高３０％和１５％。     

全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究

本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层，制作出了可用于ＧａＡｓ超高速集成电路的场效应晶体管，晶体管的跨导为１６０ｍＳ／ｍｍ，其栅漏反向击穿电压大于５Ｖ．     

毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟

建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质．通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向电场．模拟结果表明栅电压的改变对ＨＥＭＴ器件跨导产生很大的影响．     

InP/InGaAs异质结双极晶体管研究

阐述了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ异质结双极晶体管的最新发展动态,重点讨论了ＨＢＴ的结构与性能以及ＨＢＴＩＣ的高速性能与可靠性问题     

最高振荡频率为46 GHz的GaInP／GaAs异质结双极晶体管

最高振荡频率为４６　ＧＨｚ的ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管钱峰，陈新宇，肖秀红，姚晓峨，周天舒，潘菁，陈效建（南京电子器件研究所，２１００１６）齐鸣，李爱珍（中科院上海冶金所，２０００５０）Ａｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ...     

科研成果介绍

科研成果介绍砷化镓功率场效应晶体管系列ＧａＡｓＰｏｗｅｒＭＥＳＦＥＴｓＳｅｒｉｅｓ南京电子器件研究所已研制成ＧａＡｓ功率场效应晶体管系列，具有以下特点：。用途广：卫星通讯，移动通讯，微波系统，微波数字通讯，相控阵雷达等设备中的振荡与功放。。高可靠：微...     

InP／InGaAs异质结双极晶体管研究

阐述了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ异质结双极晶体管的最新发展动态，重点讨论了ＨＢＴ的结构与性能以及ＨＢＴ ＩＣ的高速性能与可靠性问题。     

移动通信用的半导体技术

介绍了移动通信的发展动向和移动通信对半导体技术的要求。给出了具体的器件技术包括Ｓｉ双极晶体管、ＳｉＭＯＳＦＥＴ、ＧａＡｓＨＢＴ、ＨＪＦＥＴ和ＨＥＭＴ以及电路技术。     

界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响

本文利用高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的直流输出分析模型,首次定量地分析了界面态对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ直流输出特性的影响．考虑界面态的作用,详细分析了不同界面态密度对ＨＥＭＴ的ＩＶ特性和器件跨导的影响．我们的研究结果表明随着界面态密度的增加,栅极电压对电流的控制能力减小,从而使器件的跨导减小．     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。