一种新型真空开关管的封接方法

介绍了一种陶瓷 不锈钢过渡立封结构 ,通过对封接强度、气密性、热烘烤试验的检测 ,证明了该方法具有封接强度高、气密性好、成品率高的特点 ,可广泛应用于真空开关管和其它真空器件的设计中。     

管壳制作工艺质量控制及检验

探讨了管壳制作过程中,氧化熔封、钎焊及电镀等工艺对其气密性、绝缘电阻及外观质量的影响,介绍了工艺改进措施.通过改进工艺后管壳的性能参数和外观质量有了较大提高.     

一种应用于二次平行封焊的工艺方法

实现二次平行封焊并达到气密性标准是气密性产品返修的关键。该文介绍了一种应用于二次平行封焊的工艺方法,通过对平行封焊后的气密性元器件进行激光开盖,在控制多余物产生后,利用机加工铣平壳体围框表面进行二次平行封焊。测试并分析了气密性元器件系统集成封装(SIP)模块二次平行封焊后的检漏。结果表明,细检漏率＜1.01×10^-8 Pa·m³/s,粗检漏无连续气泡产生,气密性满足电子与电器元件试验方法(GJB 360B-2009)要求。根据该文介绍的工艺方法可为多余物可控的气密性元器件实现二次平行封焊提供一种有效的解决方案。     

Cu镀Au腔体气密性封装工艺研究

Cu镀Au腔体是微波器件常用封装载体之一。在目前应用中,Cu镀Au腔体微波器件的气密性封装一直是工程化技术难题,大幅影响了微波器件的可靠性和使用寿命。对基于Cu镀Au腔体的微波器件进行了气密性封装研究,探讨了Cu镀Au腔体实现气密性封装可能的工艺路线。通过比较激光封焊和真空钎焊等传统气密性封装工艺方法,提出了＂小孔密封...     

金属外壳封接用双层玻坯的研制

以BH—G/K玻璃为基体,以添加Al2O3粉的DM—308玻璃为表层区研制出与金属外壳封接的双层玻坯。分析了Al2O3粒度及添加量对熟坯致密化和线收缩率的影响。结果表明,表层区使用添加质量分数为20%和30%0.5μm粒径Al2O3粉的DM—308玻璃可以实现熟坯的匹配收缩,用于UP2113—14外壳熔封。电镀后外壳气密性、绝缘电阻均有数量级提高,玻璃沿引线上爬高度只为BH—G/K玻璃的1/3,显著降低外壳盐雾试验后引线根部易锈蚀和引线受力后绝缘子开裂的风险。     

气密性平行缝焊技术与工艺

气密性封焊的产品因其杰出的可靠性被广泛应用于军事应用。与储能焊、激光焊相比,平行缝焊具有可靠性高、密封性能优越、运行成本低及生产率高等特点,是微电子器件最常用的气密性封装方法之一。主要阐述了气密性平行缝焊技术与工艺,并对焊接工艺参数进行了详细分析,同时给出了气密性检测要求及针对性措施。     

像增强管制作过程中的气密性研究

作为真空光电器件,像增强管的气密性封装直接决定了整管的性能和可靠性。一般而言,像增强管制作过程中涉及的封接工艺有热铟封、钎焊、低熔点玻璃粉熔封和金属熔融焊。本文从生产实际出发,探讨了低熔点玻璃粉熔封和金属熔融焊对像增强管气密性的影响,并提出了工艺改进措施,结果表明,像增强管的可靠性和成品率均有明显的提升。     

金属─玻璃封接管壳漏气的失效分析

金属管壳是集成电路封装中的一种重要形式，其气密性是一项重要的考核指标。国内复杂结构金属外壳的气密性问题没有解决。本文结合一种产品进行了失效分析，结果表明玻璃熔封和玻璃—金属结合区的质量是影响气密性的关键因素。要解决气密性问题应提高玻璃粉的质量，改进熔封工艺，增加金属的预氧化工序。     

提高塑封双列直插式光耦合器绝缘耐压的设计和工艺要点

介绍了研制出其性能达国际先进公司同类产品水平的塑封双列直插式光耦合器的工作原理和提高绝缘耐压的技术难点，从引线框架设计、加工精度控制、内包封材料选型、理想内包封形状控制、塑封气密性的实现、环境条件的完善等方面讨论了提高绝缘耐压的设计和工艺要点。     

HTCC产品气密性封装的平行缝焊工艺研究

平行缝焊作为气密性封装的一种重要封装形式,以其适用范围广、可靠性高等优势被广泛应用。在高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics, HTCC)产品气密性封装应用时,有诸多因素可能会引起产品密封不合格,导致电路失效。从产品盖板和底座的清洁度、预焊过程控制、封装夹具制作及封装参数的设置4个方面研究了平行缝焊工艺对HTCC产品气密性封装效果的影响。研究结果显示,为减少平行缝焊时陶瓷管壳所受到的热冲击,在脉冲周期内脉冲宽度要短,焊封能量应尽可能小,同时平行缝焊工艺中非封装参数影响的焊道质量也会影响HTCC产品气密性封装的效果。     

提高多芯片微波模块气密性的研究

伴随着现代微电子技术的高速发展,在一些特殊环境条件下使用的各种微波模块,需要进行密封封装,以防止器件中的电路因潮气、大气中的离子、腐蚀气氛的浸蚀等引起失效,采用气密性封装以延长器件的使用时间。密封的实现方式根据具体要求采取不同的措施,对于密封要求相对较低,可以采用锡封的方式实现;对于密封要求相对较高的,可以采用平行封焊的方式实现。影响平行缝焊质量的有诸多因素,盖板与平行缝焊的关系是相当重要的,在壳体性能稳定的情况下,盖板质量的好坏直接影响着器件的气密性,盖板和管壳之间的匹配、工艺参数的设置、电极表面的状态等对平行缝焊的质量都起着重要的作用。     

氧化工艺对玻璃—金属封接管壳气密性的影响

进行了氧化工艺试验，分析了可伐预氧化质量对玻封金属管壳气密性的影响，提出了改进可伐预氧化工艺的途径。     

半球陀螺封装激光焊“错边”现象探析

半球陀螺激光封焊的主要缺陷是匙孔处凝固裂纹。为解决焊缝气密性难题,在运用激光焊接“小孔效应”原理对焊接过程进行理论分析及相关试验验证的基础上,探讨了焊接接头“错边”结构对防止热裂纹的机理,并据此提出了新的焊接结构。研究结果表明,新结构焊缝裂纹受到抑制,气密性得到了显著提高。     

倒装焊器件封装结构设计

倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯片、引脚(焊球、焊柱、针)、盖板(气密性封装)或散热片(非气密性封装)等组成。文章分别介绍外壳材料、倒装焊区、频率、气密性、功率等方面对倒装焊封装结构的影响。低温共烧陶瓷(LTCC)适合于高频、大面积的倒装焊芯片。大功率倒装焊散热结构主要跟功率、导热界面材料、散热材料及气密性等有关系。倒装焊器件气密性封装主要有平行缝焊或低温合金熔封工艺。     

基于平行缝焊工艺的AuSn合金焊料封盖技术研究

为了解决聚合物粘结电路的质量与长期可靠性问题,提出了一种采用平行缝焊工艺对AuSn合金焊料熔封器件进行封盖的新方法。通过对平行缝焊工艺的深入研究,解决了该类器件封盖的气密性与外观质量问题,从而找到了一种有效解决熔封外壳组装的低温聚合物粘结电路水汽含量、抗剪强度、键合强度控制的新方法。     

硅基密封气密性及结构强度研究

探讨了硅基气密性封装的可行性,将电镀镍-金镀层的柯伐盖板、密封区金属化的硅基板用金锡焊料片通过熔封形成密封。硅是一种脆性材料,在硅基气密性密封结构中,需要研究气密性封装腔体大小对结构强度的影响(规律),以及可承受的压力。试验结果表明,腔体小于11 mm×27 mm时(腔体高度不限),350μm厚度的硅基板可直接与柯伐盖板密封,密封结构中的硅基板不会碎裂且可承受至少0.1 MPa的压力。     

提高平行缝焊封帽合格率的初步探讨

随着半导体集成电路封装技术的发展,国内不少单位逐渐采用了平行缝焊工艺。这种工艺达到了集成电路气密性要求,并且具有结合强度高、管壳温升低、成本低、效率高等特点。我所研制的集成电路产品自七七年以来全部采用了平行缝焊工艺。所封10万只器件,经氦质谱检漏,其气密性可达1×     

不锈钢-陶瓷封接技术

根据不锈钢的优良特性及适中的价格 ,越来越多的地方采用了不锈钢与陶瓷的非匹配封接。文中介绍了减少非匹配封接应力的方法及结构。特别提出刀口封接在国内外已有应用 ,并有足够的强度 ,如能用于真空开关管 ,必将进一步降低成本。     

应用超声热压法实现对微波超小型器件的无边缘封帽

本文介绍一种对微波器件实现无边缘封帽的方法.利用超声热压方法来完成对超小型微波器件的无边缘封帽,结果表明用这种方法封帽后的器件其气密性(即漏气率Q≤10~(-6)托升/秒),成品率能达到90%以上,并能通过C级的振动、冲击、离心、变频、热冲、温度循环、加速热潮等项可靠性考核.同时对封帽后的器件进行了抗折强度和抗拉强度的试验.结果表明封帽边缘的抗折强度和抗拉强度高达200公斤/厘米~2,大大地超过了器件本身对管壳所提出的强度要求.采用本法对微波器件实现无边缘封帽,无需对器件管芯加热,使用的超声功率仅为0.3瓦左右,管帽受热时间仅为3秒到5秒,封管温度为340℃到360℃,因此,对器件的性能毫无影响.实践证明,本文所介绍的方法完全可以应用于微波超小型器件的封帽,并且具有效果好、封帽速度快等一系列优点.目前本法已应用到某些同轴型和微带型器件的产品定型和批量生产之中.     

可伐预氧化工艺因素对金属-玻璃封接气密性的影响

本文在不同氧化工艺、相同熔封工艺条件下制作金属-玻璃外壳，并模拟外壳实际应用情况对其气密性进行了考核，分析了工艺因素对可伐预氧化及其对金属外壳气密性的影响。实验结果表明，可伐合金在N2＋H2O混合气氛下氧化随时间遵循抛物线的增重规律，在850℃、N2＋H2O混合气、氧化10-30分钟，外壳均可获得较高的气密可靠性。