解决功率电子器件的热问题

纽约州立大学Buffalo分校电子封装实验室正在为美国海军开发新型的功率电子封装,在一些极端苛刻的工作条件下(比如在军舰和战机上),它们能够解决大电流密度、高温和大的温度梯度所引起的种种问题。这类功率电子封装还有可能很快进入民用产品。     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

功率模块封装结构及其技术

本文从封装角度评估功率电子系统集成的重要性。文中概述了多种功率模块的封装结构形式及其主要研发內容。另外还讨论了模块封装技术的一些新进展以及在功率电子电路系统集成中的地位和作用。     

瑞萨评测EV和HEV用功率半导体芯片键合材料的烧结银浆

正瑞萨电子在"2012最尖端封装技术研讨会"的"EV和HEV时代功率电子最新技术动向"分会(6月14日举行)上,谈到了该公司的产品并以封装为中心,就车载半导体封装作了阐述。该研讨会由日本电子封装学会主办,在东京有明国际会展中心与JPCAShow2012(2012年6月13日～15日)一同举行。演讲者是瑞萨的平松真一(生产本部封装及测试技术统括部通用封装设计部主管工程师),演讲题目为"功率电子用半导体封装的动向"。据平松真一介     

功率MOSFET的研究与进展

器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。     

多芯片机械电子功率封装用的倒装芯片焊接

为满足汽车市场的下一代系统要求，需要新的封装技术。半导体元器件的系统功能性的增强和对减少总成本的需要促成了多芯片封装的解决方案。使用半导体器件开关、控制和监测大电流负载将把逻辑和功率器件集成到一块共用基板上，要求这个基板具有功率耗散和载流能力，带有控制器件和互连所用的细线导体。为了实现这些目标，摩托罗拉公司的先进互连系统实验室(慕尼黑)研究出了一种新的封装概念，一种采用倒装芯片焊接技术和电镀共晶SnPb焊料凸点的多芯片机械电子功率封装。为了提供一个能覆盖系统结构中不同功率等级的先进封装乎台，评价了几种基板技术。     

功率电子模块及其封装技术

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异。同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。     

高温功率半导体器件连接的低温烧结技术

综述了功率电子器件和模块的连接和封装工艺,介绍了粉末致密烧结技术和用于电子封装的现状,对纳米银金属焊膏烧结技术进行了讨论。研究表明,纳米银可有效降低烧结温度,提高设备的高温稳定性、导热性、导电性、机械强度、抗疲劳性等。由于银的熔点较高,这种新技术可应用于高温功率器件的封装。     

泰科电子发布全新小型无极性板对板连接器

Vishay宣布,扩充其用于功率电子的重载Vishay ESTA HDMKP电容器,增添新容值和新封装形式。     

瑞萨电子推出七款采用8-Pin HSON封装之功率MOSFET产品

瑞萨电子公司宣布推出七款采用HSON封装之功率MOSFET,适用于汽车电子控制单元,例如引擎管理及电子帮浦马达控制等应用。     

用于功率电子的重载电容器ESTAHDMKP

Vishay Intertechnology，Inc．宣布扩充其用于功率电子的重载Vishay ESTA HDMKP电容器，增添新容值和新封装形式。     

功率半导体封装技术的发展趋势

每一代新型电子应用都要求电源管理系统有更高的性能.在信息技术和便携式产品市场上,这一趋势尤为明显.直到最近,硅技术一直都是改进电源管理系统性能的最重要因素.然而,硅技术的进步现在受到封装性能提高的限制.为了实现明显的改进,必须提高功率半导体封装技术.下面将对功率封装技术改进的3种途径进行讨论.……     

功率器件管壳的热应力分析

当微电子器件封装中的热应力足够大时 ,常常会导致封装开裂甚至失效 .热应力主要是在制造过程中由于环境温度变化和封装材料热失配而产生的 .因此 ,对封装设计进行热应力估算和可靠性研究是必不可少的 .采用 ABAQUS有限元计算软件 ,对某型混合集成电路的铜基金属功率外壳 ,建立了功率器件封装的三维计算模型 ,进行了应力和变形分析计算 .计算结果为提高封装结构的可靠性和优化封装设计提出了理论依据     

功率半导体封装技术的发展趋势

每一代新型电子应用都要求电源管理系统有更高的性能.在信息技术和便携式产品市场上,这一趋势尤为明显.直到最近,硅技术一直都是改进电源管理系统性能的最重要因素.然而,硅技术的进步现在受到封装性能提高的限制.为了实现明显的改进,必须提高功率半导体封装技术.下面将对功率封装技术改进的3种途径进行讨论.     

功率器件管壳的热应力分析

当微电子器件封装中的热应力足够大时,常常会导致封装开裂甚至失效.热应力主要是在制造过程中由于环境温度变化和封装材料热失配而产生的.因此,对封装设计进行热应力估算和可靠性研究是必不可少的.采用ABAQUS有限元计算软件,对某型混合集成电路的铜基金属功率外壳,建立了功率器件封装的三维计算模型,进行了应力和变形分析计算.计算结果为提高封装结构的可靠性和优化封装设计提出了理论依据     

混合封装电力电子集成模块内功率电路对驱动保护电路的热影响

混合封装电力电子集成模块(IPEM)是目前中功率范围内电力电子集成的主要方式。IGBT器件与控制和驱动电路高密度地封装在一起,IGBT的发热对驱动保护电路会产生非常不利的影响,我们针对这个问题进行了研究。利用三维有限元法建立了模块内的传热模型,对不同发热功率下IGBT的结温以及驱动保护电路PCB的最高温度进行了计算和分析。另外,对功率电路与驱动保护电路PCB之间存在空气隙以及模块完全被密封后模块内的传热问题也进行了实验研究。     

功率型LED封装技术

随着LED芯片输入功率的提高,带来了大的发热量及要求高的出光效率,给LED的封装技术提出了更新更高的要求,使得功率型LED的封装技术成为近年来的研究热点.首先介绍了几种主要的功率型LED封装结构,对功率型LED封装过程的关键技术,如荧光粉涂覆技术、散热技术、取光技术、静电防护技术等及未来发展方向进行了描述.指出功率型LED封装应选用新的封装材料,采用新的工艺和新的封装理念来提高LED的性能和光效,延长使用寿命,以推进LED固体光源的应用.     

爱法将发布新的ALPHALED材料技术

电子焊接材料制造商ALPHA,将在照明战略博览会（StrategiesinLight）暨研讨会上发布新的ALPHALED材料技术系列。这项独有的产品技术将覆盖LED照明系统制造工艺的五个层次,包括芯片粘接和封装、基板封装、光源模块、功率驱动器／电源和控制系统。