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1.
采用准分子脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管.在氧气氛350℃低温沉积、原位530℃快速退火工艺条件下,获得了多晶纯钙钛矿结构的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜.PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线,其剩余极化和矫顽场分别为13μC/cm2和48kV/cm.从C-V和I-V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象,记忆窗口约1.1V,+4V偏压下电流密度为3.9×10-6A/cm2. 相似文献
2.
PLZT薄膜的结构、介电与光学性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以硝酸镧、醋酸铅、钛酸丁酯和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚作溶剂。用简单的溶胶一凝胶法和快速退火工艺在Si(111)、石英和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片成功地制备出了高度多晶和(111)取向生长的(Pb,La)(Ti,Zr)O3(PLZT)薄膜。用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌;测试了薄膜的铁电和介电特性。PLZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为10.3μC/cm^2和36kV/cm;在100kHz,薄膜的介电常数和损耗因子分别为682和0.021。生长在石英基片上的薄膜具有好的透光性,当波长高于360nm,其透过率高达72%。 相似文献
3.
用脉冲激光淀积法成功地在p-Si底片上制备了高c轴取向的Bi3.2Nd0.8Ti3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性。研究表明,用钕Nd替代Bi的3.2Nd0.8Ti3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10V,测试频率为1MHz下,其剩余极化(Pr)及矫顽场(E)分别达到27μC/cm^2和70kV/cm。更为重要的是,Au/Bi3.20Nd0.80Ti3O12/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到10^10后仍表现出较好的抗疲劳特性。 相似文献
4.
基于溶胶-凝胶技术的PZT厚膜快速成膜研究 总被引:2,自引:0,他引:2
摘要:采用快速成膜技术在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上成功制备了总厚度为2.56μm,结构致密且无裂纹的Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3铁电厚膜。研究了快速成膜技术中热分解温度对薄膜结晶取向的影响,分析了在相同退火条件下,分别采用不同热分解温度制备得到的薄膜的结晶状况。X射线衍射分析表明,采用350℃热分解温度得到的薄膜为单一钙钛矿相结构,且沿(100)晶向强烈取向;薄膜断面的扫描电子显微镜照片表明,该薄膜结构致密,晶粒呈现明显的柱状生长;薄膜的电学性能测试结果显示,薄膜的相对介电常数高达819,剩余极化为15μC/cm^2,矫顽场强为39kV/cm。 相似文献
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(Ba1—xSrx)TiO3薄膜的制备及性能的研究 总被引:10,自引:0,他引:10
选用Ba(C2H3O2)2、Sr(C2H3O2)2.1/2H2O和Ti(OC4H9)4为原材料,冰醋酸为催化剂,乙二醇乙醚为溶剂。用改进的溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si基片上成功地制备出钙钛型结构的(Ba1-xSrx)TiO3薄膜。该薄膜是制备铁电动态随机存储器、微波电容和非致冷红外焦平面阵列的优选材料;分析了薄膜的结构;测试了薄膜的介电和铁电性能。在室温10kHz下,(Ba0.73Sr0.27)TiO3薄膜介电系数和损耗分别为300和0.03。在室温1kHz下,(Ba0.95Sr0.05)TiO3薄膜剩余极化强度的矫顽场分别为3μC/cm^2和50kV/cm。 相似文献
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在P型(100)Si衬底上,采用MBE法生长一层厚约2.5μm的P-Ge0.05Si0.95,形成P-GeSi/P-Si异质结。测试了它的I一V特性,并用双肖特基二极管模型进行了分析,两者大体符合。测试还发现,在白光强度和爱光面积相同的情况下,P-Ge0.05Si0.95/P-Si异质结的光响应电流是SiPIN结构的7-8倍。 相似文献
8.
采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火工艺条件下 ,获得了多晶纯钙钛矿结构的 Pb (Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3(PZT)铁电薄膜 . PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别为 13μC/ cm2和 48k V/ cm.从C- V和 I- V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象 ,记忆窗口约 1.1V,+4 V偏压下电流密度为 3.9× 10 - 6 A/cm2 . 相似文献
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采用射频磁控溅射技术,在室温溅射、后续退火条件下,以PbO为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜;比较了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的微结构和铁电性能。实验结果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度,并且所制备的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有优良的介电和铁电性能,其剩余极化强度Pr为21.76μC/cm2,室温热释电系数p为2.75×10-8C/cm2.K。 相似文献
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通过溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备了多层PT/PZT(PbTiO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3)薄膜,研究了不同退火时间对其纳米结构、结晶性能及相变特性的影响。利用FESEM测试了不同退火时间对薄膜纳米结构的影响,选用XRD与Raman分析了薄膜的结晶取向及相变特点。实验结果表明,随着退火时间的增加,薄膜的三方相向四方相转变,并具有(110)择优取向。退火时间为20 min是PZT薄膜的最佳退火时间,此时薄膜的结晶效果良好、晶粒大小均匀、具有纯钙钛矿结构,此种结构的薄膜有望应用于MEMS器件中。 相似文献
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采用化学溶液法在Si基衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3异质结构。X-射线衍射测量结果表明,制备的PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3异质结构中PbZr0.4Ti0.6O3薄膜呈高度(100)择优取向;原子力显微镜测量表明制备的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的表面平整、均匀、结构致密;RT-66A测量表明,400 kV/cm的外加电场下,LaNiO3/PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3结构具有优良的铁电性,剩余极化强度为14.6μC/cm2,矫顽电场为41 kV/cm。翻转1×108次极化下降小于10%,显示了很好的疲劳特性。并进一步研究了Pb含量对PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的微结构和极化特性的影响。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在La Ni O3/Si(100)底电极上成功制备了厚度为1μm的Pb0.88La0.08(Zrx Ti1–x)O3(PLZT,x=0.30,0.55,0.80)铁电厚膜。研究了不同Zr/Ti比对PLZT铁电厚膜的介电与储能性能的影响。结果表明,随着PLZT中Zr含量的增加,厚膜材料的储能密度与储能效率均增大,Pb0.88La0.08(Zr0.8Ti0.2)O3厚膜在1 400×103V/cm的储能密度为23.8 J/cm3,储能效率为60%。 相似文献
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有机/无机光电探测器的AFM和XPS分析 总被引:7,自引:3,他引:4
采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p—Si有机/无机异质结样品。对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构。经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3eV和288.7eV;O原子与C原子相邻,一些O原子通过双键与C原子相结合,另外的O原子则通过单键与2个C原子相结合。经Ar^ 束溅射研究界面电子状态表明,随溅射时间增加,C1s和O1s峰逐渐减弱,而Si 2p和Si 2s峰渐渐增强。C1s和Si 2p谱峰随着溅射时间的增加而逐渐向低束缚能力方向移动。由于荷电效应和碳硅氧烷(C—Si—O)及SiO2的存在,Ols谱峰随溅射时间的增加先向高束缚能方向移动,然后向低束缚能方向移动。 相似文献
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Ba(Ti0.91Zr0.09)0.99Al0.01O3陶瓷的介电弛豫特性 总被引:2,自引:0,他引:2
采用固相反应法制备了Ba1-xBi(Ti0.09Zr0.09)0.99Al0.01O3陶瓷,借助XRD、Agilent4284A、ZT-I电滞回线测量仪,研究了Bi^3+和Al^3+共掺杂后对陶瓷的相结构和介电特性的影响。研究结果表明,掺杂后Ba(Ti0.91Zr0.09)0.99Al0.01O3陶瓷的体积密度在x=0.03时,可达5.859g/cm^3,XRD结果显示,在x≤0.01时,衍射峰具有单一的四方BaTiO3结构,观察介电温谱(-30℃≤T≤130℃,10^-1kHz≤f≤10^3kHz,其中f为频率)可发现陶瓷从正常铁电体转变成弛豫铁电体,电滞回线显示矫顽场(Ec)和剩余极化强度(Pt)小,即Ec=0.93kV/cm,Pc=2.63μC/cm^2。 相似文献
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以TiO2粉体、Pb(NO3)2和ZrOCl2.8H2O为原材料,KOH为矿化剂,水热合成了Pb(Ti0郾48Zr0郾52)O3微晶。研究了KOH浓度、反应时间、反应温度、Pb/Z(r+Ti)、原料浓度以及矿化剂种类等因素对水热合成Pb(Ti0郾48Zr0郾52)O3微晶的影响,确定了水热合成Pb(Ti0郾48Zr0郾52)O3微晶的最佳工艺参数。对水热合成的Pb(Ti0郾48Zr0郾52)O3粉体用XRD和SEM进行表征,得到了颗粒均匀、团聚少、粒径0郾5~1郾0μm的Pb(Ti0郾48Zr0郾52)O3粉体颗粒。 相似文献
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采用搅拌复合方法制备了SiCp/Al-1.2Mg-0.6Si-0.1Ti-1.0Pb复合材料,通过透射电镜研究了复合材料的界面结构。复合材料中增强体SiC与基体合金的界面主要为SiC/Al、SiC/Pb、SiC/Mg2Si,Pb在复合材料中主要以面心立方Ph相形式存在于SiC颗粒的界面上,部分SiC颗粒的界面存在Al4C3。界面Ph相中存在着Ti元素,由于合金元素之间的相互作用使基体合金中的Ph、Ti元素集中存在于SiC的界面上。 相似文献
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Bi3.25La0.75Ti3O12超薄铁电薄膜的光学性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了厚度小于100nm的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,测量了光子能量为2~4.5eV的紫外可见椭圆偏振光谱.根据经典的电介质光学色散关系和五相结构模型,拟合获得薄膜在透明区和吸收区的光学常数、表面粗糙度、薄膜与衬底界面层以及BLT薄膜的厚度.薄膜在透明区的折射率色散关系可以通过单电子Sellmeier模型成功地进行解释.最后,根据Tauc’s法则,得到Bi0.25La0.7Ti3O12薄膜的直接禁带宽度为3.96eV. 相似文献