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卤化银多晶光纤传输CO2激光性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
通过采用高真空熔炼、反应气氛下区域融熔和高真空石英安瓿内单晶生长等特殊工艺方法对卤化银原料进行提纯,并用热挤压成型方法制得卤化银光纤.本文研究了卤化银原料的提纯和光纤成型工艺对损耗的影响,研究结果表明,增加提纯次数可降低卤化银光纤预制棒的吸收系数.通过合理控制工艺参数,提纯后的卤化银原料制成的光纤预制棒,经CO2激光量热计法测量在10.6μm处的吸收系数<5×10-4cm-1,热挤压成型的光纤在10.6μm处的损耗为0.3~0.5dB/m,直径φ10mm、长度1.64m的光纤可传输CO2激光功率>20W. 相似文献
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采用反应氯气气氛下水平区域熔融生长单晶的方法对卤化银原料进行超提纯,反应氯气气氛是由裂解低沸点碳氯化合物得到;化合物的通式为CHnCl4-n(n=0,1,2).提纯的温度为450~500℃,温区移动速度为0.2~0.8mm/min;载流气体Ar的流量为80~160mL/min.提纯后的卤化银原料红外吸收光谱显示,在4000~800cm-1(2.5~12.5μm)区域内的吸收随波长的增加而降低,中红外4000~600cm-1(2.5~16μm)区域是卤化银材料最佳的传输波段.用此原料制成的光纤可传输3.3~16μm中红外光谱;传输10.6μmCO2激光的损耗为0.3~0.5dB/m. 相似文献
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溶液温度对电化学沉积氧化亚铜薄膜相成分和显微结构的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
用电化学方法在不锈钢基体上沉积多晶Cu2O薄膜并用X射线衍射和扫描电进行了分析研究了溶液温度对薄膜相组成、晶粒尺寸和择优取向的影响,当溶液的PH=9,温度低于50℃时得到的是Cu2O/Cu复相薄膜,纯Cu2O薄膜可在溶液温度高于50℃时获得,纯Cu2O薄膜具有(100)择优取向,实验发现薄膜的晶粒尺寸随溶液温度的增加从0.12μm增加到0.65μm。 相似文献
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目的研究变形温度对AZ31B镁合金等通道转角挤压(ECAP)过程中晶粒尺寸演变的影响。方法建立AZ31B镁合金动态再结晶和晶粒长大数学模型,采用Fortran语言编写晶粒演变子程序,并通过商用有限元软件MARC的二次开发接口,建立耦合微观组织演变的AZ31B镁合金等通道转角挤压有限元模型,研究变形温度对等通道转角挤压过程应变场、再结晶百分数和晶粒尺寸的影响规律,并与实验结果进行比较。结果随变形温度从200℃增至400℃,原子热激活效应增强,再结晶百分数从75.37%增加至99%,平均晶粒尺寸从6.67μm增加至25.7μm,且晶粒尺寸分布均匀性增大,但是200℃变形的ECAP试样出现开裂。结论在250~300℃温度区间内进行ECAP变形,有助于获得细小均匀的微观组织,同时避免出现变形开裂。 相似文献
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基于Deform 2D有限元模拟优化挤压工艺参数,在挤压速率2mm/s,挤压温度470℃下对铝镁双金属进行复合挤压实验,并采用扫描电镜(SEM)、显微硬度测试以及电子背散射衍射(EBSD)对复合挤压件界面结合层进行微观组织观察与分析。结果表明:在铝镁合金接触区反应生成了界面层,层内新的物相为靠近AZ31镁基体一侧的Al_(12)Mg_(17)以及靠近铝基体一侧的Al_3Mg_2。Al_3Mg_2相显微硬度值最高,平均值约为210HV,Al_(12)Mg_(17)相平均硬度约为170HV,因而界面区硬度高于两侧基体母材,形成典型的脆硬结合层,电子背散射衍射(EBSD)结果显示,Al_(12)Mg_(17)相的平均晶粒尺寸为30μm,Al_3Mg_2相的平均晶粒尺寸约为20μm,复合界面结合层区域晶粒取向各异,晶粒尺寸大小也不均匀,而复合外层纯铝基体取向区域均匀,新生成相在晶界上有部分再结晶发生。 相似文献
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采用SEM、EDS和XRD等手段研究了不同固溶处理温度对GH3625合金热挤压管材组织性能的影响。结果表明,1 120℃是合金组织和力学性能的一个转折点。当固溶处理温度为910~1 120℃时,由于晶界处NbC相的钉扎作用,使得晶粒长大缓慢,合金硬度和强度缓慢下降;当固溶温度超过1 120℃时,NbC相大量回溶,钉扎作用减弱或消失,晶粒急剧长大,合金硬度和强度的下降趋势明显增大。随着固溶温度的升高,合金断口中的韧窝变得大而深邃,塑性逐渐提高;当固溶温度超过1 120℃时,拉伸断口基本以韧窝为主。GH3625合金热挤压管材在固溶处理时间为1h时的最佳固溶处理温度为1 120℃。 相似文献
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利用搅拌铸造-热挤压-轧制工艺制备SiCp/2024复合材料薄板。通过金相观察(OM)、扫描电镜(SEM)及力学测试等手段研究了该复合材料在铸态、热挤压态及轧制态下的显微组织及力学性能,分析了材料在塑性变形过程中显微组织及力学性能的演变。结果表明,该复合材料铸坯主要由80~100μm的等轴晶组成,粗大的晶界第二相呈非连续状分布,SiC颗粒较均匀地分布于合金基体中;热挤压变形后,晶粒沿挤压方向被拉长,SiC颗粒及破碎的第二相呈流线分布特征;轧制变形后,基体合金组织进一步细化,晶粒尺寸为30~40μm,SiC颗粒破碎明显,颗粒分布趋于均匀,轧制变形对挤压过程中形成的SiC颗粒层带状不均匀组织有显著的改善作用。数学概率统计指出,塑性变形有利于提高颗粒分布的均匀性。力学测试表明,塑性变形后,复合材料的抗拉强度、屈服强度和延伸率显著提高。SiCp/2024铝基复合材料主要的断裂方式为:合金基体的延性断裂、SiC颗粒断裂及SiC/Al界面脱粘。 相似文献