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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 160 毫秒
1.
采用铌、钴氧化物共掺杂钛酸钡(BaTiO_3,BT)制备铌钴钛酸钡(BTNC)粉体,采用硅烷偶联剂KH550对BTNC进行表面改性,制得改性铌钴钛酸钡(R-BTNC)粉体,再采用溶液共混法与聚偏氟乙烯(PVDF)制得BTNC/PVDF复合材料,并对复合材料进行了表征。研究结果表明,KH550能有效地改善填料在基体中的分散性和相容性,BTNC的加入使得PVDF中具有极化效应的β相增加,在10~2 Hz,R-BTNC用量为50%(体积分数)条件下,制得的R-BTNC/PVDF复合材料的介电常数为79.4,介电损耗为0.0520。  相似文献   

2.
为了在环氧树脂( EP) 复合材料中改善碳纳米管(CNTs) 的分散性和获得优良的界面特性, 利用Fenton 试剂对CNTs 进行了羟基化处理, 然后分别利用硅烷偶联剂KH550、KH560、KH570 和钛酸酯偶联剂NDZ201对羟基化CNTs 进行表面修饰, 通过SEM、TGA、DSC 和阻抗分析仪研究偶联剂修饰对CNTs/ EP 复合材料性能的影响。实验结果表明: Fenton 试剂和4 种偶联剂修饰都能显著改善CNTs 在复合材料中的分散性, 提高EP的玻璃化温度(Tg) 和热稳定性, 其中偶联剂修饰比Fenton 试剂处理更有效; 然而这些改性却大幅度降低了复合材料的导电性能、介电常数以及介电损耗。4 种偶联剂中, KH560 对应的复合材料的Tg最高, 热稳定性和导电性能最好, 同时具有较高的介电常数和较低的介电损耗。   相似文献   

3.
以15wt%十六烷基三甲基溴化铵改性碳化硅晶须(CTAB-SiCw)和KH550改性纳米BaTiO3(BT)为填料,聚偏氟乙烯(PVDF)为成膜物质,通过溶液流延法制备了BT-SiCw/PVDF三元复合薄膜,利用FTIR、XRD、SEM和LCR介电温谱仪-高温测试系统联用装置对产物进行结构表征和介电性能测试。结果表明:KH550可以成功改性BT粒子且不会改变BT晶体结构,SiCw和BT能够较好地分散在PVDF基体中;随着BT引入量的增加,复合薄膜的介电常数先增加后减小,其中当引入10wt%BT时介电性能最优,即频率f=500 Hz、介电常数εrmax=33、介电损耗tanδmax=0.154。随着温度的升高,该试样的介电常数和介电损耗也逐渐增加,并在120℃达到最大值(f=500 Hz、εrmax=110、tanδmax=1.3)。结果对于研究具有高介电常数的三元复合电介质材料为在埋入式电容器中获得应用提供了一种策略。   相似文献   

4.
刘国隆  周宏  张宏达  葛静 《复合材料学报》2021,38(10):3237-3244
采用水热合成法制备拟薄水铝石(AlOOH)纳米棒,以3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)为表面改性剂,制得mAlOOH,以环氧树脂(Epoxy,EP)为基体,制备AlOOH/EP和mAlOOH/EP复合材料。研究AlOOH和mAlOOH的填充量对AlOOH/EP及mAlOOH/EP复合材料性能的影响。结果表明,mAlOOH明显提高了mAlOOH/EP复合材料的力学性能。mAlOOH的填充量为4wt%时,mAlOOH/EP复合材料的冲击强度和弯曲强度分别比聚合物基体分别提高了259%和44%;填充量不超过5wt%时,mAlOOH/EP的介电常数与介电损耗均略低于纯环氧树脂。当添加量为3wt%时,mAlOOH/EP具有最低的介电常数和介电损耗及最高的玻璃化转变温度(123℃)。   相似文献   

5.
采用不同的偶联剂KH550、KH560、KH570和KH8431对纳米SiO2进行表面改性,采用熔融共混法将未改性和改性纳米SiO2(5%(质量分数)SiO2)与EVOH共混制成复合材料,并吹塑成薄膜。利用FT-IR、TEM、SEM对不同偶联剂处理的纳米SiO2和复合材料的结构进行表征,并对复合材料的流变性能、阻隔性能、力学性能、耐热性能和透明性进行了表征。结果表明,纳米SiO2与4种偶联剂均形成化学键合,改性纳米SiO2比未改性纳米SiO2在EVOH中分散性好,加工时熔体的流动性更好。用KH550处理的纳米SiO2在EVOH中分散性最好,与EVOH能形成较大界面相互作用力,与EVOH/未改性纳米SiO2复合材料相比,EVOH/改性纳米SiO2复合材料的拉伸强度和储能模量分别提高17.2%和136%,透湿、透氧系数分别下降11.2%和9.5%,透光率达到74.9%,雾度为14.9%。  相似文献   

6.
为研究石英纤维/聚酰亚胺(KH308)复合材料介电性能与纤维体积分数、频率、温度和吸水率之间的关系,通过热压成型法,制备了4种不同纤维体积含量的石英纤维/KH308复合材料,采用高Q谐腔法分别测试这4种复合材料在不同状态下的介电常数和介电损耗。结果表明:石英纤维/KH308复合材料的介电常数随着纤维体积分数增加而变大,介电损耗随纤维体积分数变化不大;7~18 GHz频率下,复合材料的介电常数和介电损耗基本不随频率变化;25~300℃下,复合材料的介电常数随温度增加变化比较平缓,而介电损耗随温度的增加而降低;复合材料吸水后,介电常数和介电损耗都会增加;复合材料介电常数ε<4,介电损耗tanδ<0.1,能满足导弹天线罩透波材料介电性能的要求。  相似文献   

7.
采用γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为偶联剂,以有机溶剂正丁醇为分散剂对微纳米SiO2颗粒进行改性.利用傅里叶红外光谱仪、扫描电镜(SEM)对改性前后的粒子进行表征分析,结果表明SiO2颗粒被成功改性,颗粒团聚现象明显改善.将改性后的微纳米SiO2颗粒与环氧树脂基底复配得到微纳米SiO2/环氧复合涂层.考察不同微纳...  相似文献   

8.
分别采用γ-胺丙基三乙氧基硅烷(KH550)、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)及双-[γ-(三乙氧基硅)丙基]-二硫化物(Si75)湿法改性白炭黑,将改性后的白炭黑、丁苯橡胶(SBR)制成母炼胶,制备出白炭黑(SiO_2)/丁苯橡胶(SBR)复合材料。利用结合胶含量、橡胶加工分析仪、扫描电镜等方法研究了白炭黑与橡胶基体间的相互作用效果及填料在橡胶基体中的分散性,用压缩疲劳生热、动态力学性能分析和滞后损耗测试研究了白炭黑与橡胶基体的作用效果对丁苯橡胶/白炭黑复合材料生热的影响。结果表明,改性后白炭黑与橡胶基体间的相互作用力增大,分散性明显提高,随橡胶-填料相互作用增大,SiO_2/SBR生热明显降低,其中KH550在硫化过程产生化学反应接枝于橡胶大分子,其改性后的白炭黑与丁苯橡胶相互作用力最大,KH550-SiO_2/SBR生热最低。  相似文献   

9.
分别采用γ-胺丙基三乙氧基硅烷(KH550)、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)及双-[γ-(三乙氧基硅)丙基]-二硫化物(Si75)湿法改性白炭黑,将改性后的白炭黑、丁苯橡胶(SBR)制成母炼胶,制备出白炭黑(SiO_2)/丁苯橡胶(SBR)复合材料。利用结合胶含量、橡胶加工分析仪、扫描电镜等方法研究了白炭黑与橡胶基体间的相互作用效果及填料在橡胶基体中的分散性,用压缩疲劳生热、动态力学性能分析和滞后损耗测试研究了白炭黑与橡胶基体的作用效果对丁苯橡胶/白炭黑复合材料生热的影响。结果表明,改性后白炭黑与橡胶基体间的相互作用力增大,分散性明显提高,随橡胶-填料相互作用增大,SiO_2/SBR生热明显降低,其中KH550在硫化过程产生化学反应接枝于橡胶大分子,其改性后的白炭黑与丁苯橡胶相互作用力最大,KH550-SiO_2/SBR生热最低。  相似文献   

10.
目的研究纤维表面改性对复合材料结晶、热稳定性、动态力学性能、尺寸稳定性、吸水率等的影响。方法采用碱、碱+马来酸酐、碱+KH550这3种处理方法对纤维表面进行改性,通过熔融挤出与聚乳酸(PLA)混合制备聚乳酸/亚麻纤维(PLA/Flax)复合材料。结果亚麻纤维经表面改性后使PLA更容易发生冷结晶,结晶结构更加致密、完善,PLA/Flax尺寸稳定性优于PLA。纤维的加入提高了PLA的吸水率,但热稳定性能有所降低。纤维表面改性降低了PLA/Flax的储能模量。结论碱+KH550处理纤维与PLA共混所得复合材料的结晶性、尺寸稳定性最佳,为高性能PLA/Flax复合材料的制备提供了一定的实验及理论依据。  相似文献   

11.
为了使微波基板材料与Cu金属衬底的热膨胀性能匹配,对陶瓷/聚四氟乙烯(PTFE)微波复合基板材料的热膨胀性能进行了研究。采用湿法工艺制备了以SiO2和TiO2为填料的SiO2-TiO2/PTFE复合材料,研究了复合材料密度、填料粒度和填料体积分数对SiO2-TiO2/PTFE复合材料热膨胀性能的影响。结果表明,当SiO2的体积分数由0增至40%(TiO2 :34%~26%)时,SiO2-TiO2/PTFE复合材料的线膨胀系数(CTE)由50.13×10-6 K-1减小至10.03×10-6K-1。陶瓷粉体粒径和复合材料密度减小会导致CTE减小。通过ROM、Turner和Kerner模型计算CTE发现,ROM和Kerner模型与实验数据较相符,而实验值与Turner模型预测值之间的差异随PTFE含量的升高而逐渐增大。  相似文献   

12.
采用不同的稀土改性剂(La、Ce、Pr、Nd和Sm)对SiO2和玻璃纤维(GF)进行改性处理,SiO2含量为55wt%,GF含量为2wt%。填料改性处理后与聚四氟乙烯(PTFE)分散液在高速分散机中混合,然后通过热压烧结法制得GF-SiO2/PTFE复合材料。考察了不同的稀土改性剂对GF-SiO2/PTFE复合材料吸水性、介电性能、热膨胀系数和力学性能的影响。采用FTIR手段对稀土La改性剂,未改性的填料和改性后的填料结构进行了测试。并用SEM和EDS对复合材料的断口形貌及表面处理前后填料的形貌进行观察和能谱分析。结果表明:由于稀土La的电子层结构比其他轻稀土更稳定,对阴离子的吸引作用比其他轻稀土强,稀土La改性剂比其他的稀土改性剂能更好地促进填料GF与PTFE界面粘合,改善GF-SiO2/PTFE复合材料性能。GF-SiO2/PTFE复合材料的介电性能受到La含量的影响,当La含量为0.3wt%时介电性能最佳。  相似文献   

13.
SiO2粒子经偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)表面改性后,与木质纤维、聚氯乙烯(PVC)及其它助剂通过熔融混炼制备改性SiO2-木质纤维/PVC复合材料,用FTIR、SEM和同步热分析仪(STA)对SiO2粒子和SiO2-木质纤维/PVC复合材料的结构与性能进行测试与表征。FTIR分析表明,SiO2粒子表面接枝了KH550的特征官能团,KH550成功地接枝到SiO2粒子表面;SEM分析表明,改性纳米SiO2粒子能在木质纤维/PVC复合材料中均匀分散,其粒径在100 nm左右;添加改性的SiO2粒子后,木质纤维和PVC结合更加紧密,孔洞间隙减少。纳米SiO2质量分别占木质纤维质量的10%、8%和10%时,SiO2-木质纤维/PVC复合材料的弹性模量、拉伸强度、冲击强度分别达到最优值4.66 GPa、31.12 MPa和4.11 kJ/m2,与未添加SiO2的复合材料相比分别提高了50.29%、28.91%和16.65%。  相似文献   

14.
采用改进Hummers法制备了氧化石墨烯(GO),并将GO与经硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)改性的纳米SiO2进行复合,制备出纳米SiO2-GO。通过FTIR、XRD、SEM、TEM等分析手段对SiO2-GO进行表征。采用机械搅拌与超声分散的方法将SiO2-GO添加到环氧树脂(EP)中。对添加不同质量分数纳米SiO2、GO和纳米SiO2-GO的EP基复合材料涂层的物理性能和电化学性能进行测试。结果表明,与纯EP涂层相比,SiO2/EP、GO/EP和纳米SiO2-GO/EP复合材料涂层的硬度、附着力和耐腐蚀性能得到显著增强,其中加入2wt%纳米SiO2-GO/EP复合材料涂层硬度达到5 H,附着力等级达到1级,浸泡24 h后涂层保护效率为99.33%。15天浸泡试验结果表明,添加1.5wt%纳米SiO2-GO/EP复合材料涂层的硬度达到5 H,附着力达到1级,涂层保护效率仍能达到97.12%。  相似文献   

15.
选用三种具有不同疏水官能团的硅烷偶联剂,即含苯基的偶联剂1(Ph-1)、含氟基的偶联剂2(F-2)和含环氧丙氧基的偶联剂3(GP-3)对SiO2进行表面改性,并采用空气辅助干法共混、冷压烧结并车削成膜的方法制备了SiO2填充量为35wt%、厚度为50 μm的SiO2/聚四氟乙烯(PTFE)复合薄膜。改性后SiO2在PTFE中分散均匀。研究了不同含量F-2对SiO2/PTFE复合薄膜性能的影响,发现当含氟基的硅烷偶联剂F-2用量(与SiO2质量比)为0.3%时,SiO2/PTFE复合薄膜的针孔缺陷最少,拉伸强度由9.2 MPa提高至16.2 MPa;在10 GHz下,SiO2/PTFE复合薄膜的介电常数由2.475降低至2.416,介电损耗由2.66×10?3降低至2.01×10?3,SiO2/PTFE复合薄膜显示出优异的综合性能。   相似文献   

16.
赵伟  陈昊  范勇 《复合材料学报》2019,36(8):1822-1829
采用砂磨机将疏水性气相SiO2纳米粒子分散到无溶剂环氧树脂(Epoxy,EP)中,经加热固化后制备了不同掺杂量的疏水性气相SiO2/EP复合材料,通过XRD检测和SEM表征,证实疏水性气相SiO2纳米粒子以无定形态均匀分散在EP中。疏水性气相SiO2/EP复合材料的理化性能测试结果表明:其热稳定性、介电常数、介电损耗和电导率均随纳米SiO2粒子掺杂量的增加而有所升高;纳米SiO2粒子掺杂量为2wt%时,击穿场强达到最大值为24.66 kV/mm,较纯EP材料提高了21.35%;疏水性气相SiO2/EP复合材料耐电晕寿命随纳米SiO2粒子掺杂量增加而增加。在室温、80 kV/mm电场强度下,纳米SiO2粒子掺杂量为8wt%时,疏水性气相SiO2/EP耐电晕寿命可达42.7 h,是纯EP的18.9倍。   相似文献   

17.
为提高纳米SiO2在硅橡胶(SR)基体中的分散性及两相间的界面结合力,设计以羟基硅油(HSO)和γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)为纳米SiO2的表面封端改性剂,并将改性SiO2与双组份加成型液体SR复合得到改性纳米SiO2/SR复合材料。通过一系列表征手段对改性纳米SiO2的形貌结构及其在乙醇中的分散性等进行分析,研究了改性纳米SiO2对纳米SiO2/SR复合材料的断面形貌、力学性能及热稳定性的影响。结果表明:KH570成功接枝到纳米SiO2表面并与SR基体间形成化学键。当HSO协同KH570改性纳米SiO2时,可有效改善纳米SiO2在SR基体中的分散性能及纳米SiO2与SR两相间的界面结合性能,并显著提高纳米SiO2/SR复合材料的力学性能和热稳定性。将SiO2∶HSO∶KH570以质量比为2.0∶0.2∶0.6处理的改性纳米SiO2粒子,得到的改性纳米SiO2/SR复合材料起始热分解温度提高了230℃。当SiO2∶HSO∶KH570质量比为2.0∶0.2∶0.45时,改性纳米SiO2/SR复合材料的拉伸强度和断裂伸长率分别提高了约1倍。   相似文献   

18.
以硅烷偶联剂3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(KH570)对纳米二氧化硅(SiO2)进行表面处理,通过分散聚合工艺分别制得SiO2-g-KH570-g-PS、SiO2-g-KH570-g-PMMA和SiO2-g-KH570-g-PAN,采用熔融共混法制备了乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)/纳米SiO2复合材料(5%(...  相似文献   

19.
采用热压成型工艺,制备了一种低损耗ZrTi2O6陶瓷填充聚四氟乙烯(PTFE)的新型微波复合基板材料。采用介质谐振器法研究了ZrTi2O6/PTFE复合材料的微波介电性能(8~12 GHz)。结果表明,ZrTi2O6/PTFE复合材料的相对介电常数(ε r)和介电损耗(tanδ)随着ZrTi2O6陶瓷体积分数(0~46%)的增加而增大,介电常数实验值与Lichtenecker模型预测值最吻合。ZrTi2O6/PTFE复合材料的热膨胀系数和介电常数温度系数随着ZrTi2O6陶瓷体积分数的增加而减小。46%的ZrTi2O6为较优填料比例,ZrTi2O6/PTFE的相对介电常数为7.42,介电损耗为0.0022(10 GHz)。  相似文献   

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