共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
为了寻找酞菁在TiO2上成膜新方式,我们用阳极氧化法在TiO2薄膜上成功制备了四氨基酞菁钴薄膜,对酞菁薄膜进行了SEM,XRD,UV-vis表征,并在成膜前后对四氨基酞菁钴分别进行了电化学性能表征. 相似文献
4.
5.
对采用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备的稀土Nd掺杂的SnO2薄膜,进行结构、电学及光学特性的测试分析.实验表明:氧化、热处理条件为500 ℃、45 min时样品性能好.采用一步成膜工艺法制备的SnO2薄膜晶粒度较小,随掺Nd浓度的增大,从31.516 nm减小到25.927 nm;两步成膜工艺法制备的SnO2薄膜晶粒度随掺Nd浓度的增大,从45.692 nm增至66.256 nm.XRD分析,掺Nd(5 at%)薄膜沿[110]、[101]晶向的衍射峰加强,薄膜呈多晶结构.掺Nd可使薄膜透光率下降,而薄膜的薄层电阻随热处理温度升高和掺Nd浓度的增大,呈先降后升趋势. 相似文献
6.
7.
8.
9.
甲胺-铁氰化钾抛光液中铜钝化成膜的机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用电化学循环伏安测试技术研究了铜在甲胺铁氰化钾抛光液中钝化成膜的机理。通过大幅度改变电位扫描速率,分析了氧化峰电流(IApa)、氧化峰电位(EApa)及阳阴峰电流的比值(IApa/IApc)与相应电位扫描速率的关系。结果表明,氧化峰电流和氧化峰电位均与电位扫描速率的平方根成线性关系,说明成膜复盖度θ与电位扫描速率无关,成膜过程符合M櫣ller模型。成膜过程中,电极反应存在后置化学转化,铜在去极化剂作用下发生失去一个电子的阳极溶解反应,然后再进行化学转化反应生成Cu4[Fe(CN)6]钝化膜。在CMP过程中,具有这种钝化膜的铜的腐蚀电流密度及抛光速率随抛光转速的增加而增大。 相似文献