几种实用的晶体管变阻器的设计原理与应用

本文介绍了晶体管变阻器的工作原理及主要在直流稳压电源测试中的应用。与通常使用的可变电阻器作为负载相比，其具有体积小，操作简便，无短路电流冲击危险等优点。晶体管阻器交流阻抗大，远大于其直流电阻，且不随直流电阻改变而变化，对研究直流稳压电源输出纹波特性提供了较为理想的稳压电源设备。     

新型电视机直流稳压电源

适合于电视机用的直流稳压电源有恒压变压器方式和开关式.这两种新型的直流稳压电源对提高电视机的可靠性,节约电能,扩大电网适应范围等方面都具有重要的意义.在六十年代和七十年代,电视机用的直流稳压电源,通常都是线性晶体管直流稳压电     

适用于广播设备自动化的直流稳压电源

一、前言随着电子设备的晶体管化、集成化的发展,各种晶体管直流稳压电源的线路也不断得到发展,特别是在广播领域里,电子设备的自动化已成为发展的必然趋势,这对直流稳压电源的功能提出了更多的要求。一般说来,直流稳压电源包括两部分:一部分是各组整流器,包括     

基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术

STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。     

介绍一种单级直流稳压电源

目前晶体管直流稳压电源虽然已有许多典型线路,但在要求较高,负载电流较大的场合,往往需要采用复杂的线路或是二次稳压线路。这样就造成维修麻烦,调试也比较繁复。本文所介绍的晶体管直流稳压电源,线路形式简单,负载能力强,稳定度很高,同时纹波电压非常小,因此特别适合于作为低噪声电路的供电电源,由于线路简单,调试方便,作为实验室或仪器仪表电源也很满意。图1是线路原理图,其中除标有*号的电阻为调试电阻外,其他电阻对任何输出电压值都是固定的,不必调试。这种电路的工作原理及特点简述如下: 1)比较放大器BG_1与BG_2采用差分形式,流过稳压管2DW7C的电流是BG_2基极回路中的电流,在     

万用表在家电维修中的使用

万用表:主要用来测量交流直流电压、电流、直流电阻,、及晶体管电流放大位数等。使用万用表需要注意:1).识别万用表各档的功能.2).测量三---四个电阻并记录.3).测交     

电源技术讲座 第五讲 晶体管直流变换器

直流变换器通常是指一种直流电压变换装置,其主要功能是转换电压,把直流电压转换成交流电压,或把一种直流电压转换成各种不同的直流电压。所以有人称直流变换器为转换器或换流器,也有专把直流转换成交流的,称作逆变器。本文所讨论的是晶体管直流电压变换器。晶体管直流电压变换器的基本工作原理是,利用晶体管作为断续开关,控制直流电源的接通和断开,再经过变压器输出,把直流变换成交流,然后经过整流成直流。一、单管式直流变换器这里讨论的是单管自激式直流电压变换器,基本电路如图1所示。它是一种反激型电路,其工作原理是,当电源接通后,经电阻 R_1、R_2分压,     

步进式集成电子变阻器

提出一种新型的步进式集成电子变阻器.其电路输出的电阻或电位的变化是逐级平缓地进行,没有跳变现象.还以成功的应用实例介绍了该项技术在直流电动机调速系统中的具体应用,解决了生产实际中的一些问题,使用非常方便,在电子技术应用中有广阔的发展空间.     

几种测定双极型晶体管EM_2模型参数r′_b的方法

基极电阻r′_b是在第二级复杂程度,也是最常用的EM_2模型中引进的,存在于有效基区到基极的欧姆体电阻。由于r′_b对晶体管性能有重要影响,因此r′_b是一个重要模型参数,然而,r′_b又是一个较难测量的参数。它与所用的测试方法和晶体管工作状态有密切关系,因此必须用与研究时的工作状态最接近的方法来测定r′_b。本文简述用于直流分析时的直流测量法,在晶体管作为开关运用时的脉冲测量法,以及当晶体管在小信号线性运用时的输入阻抗圆图法三种测量方法的原理以及实验装置,进而讨论了用这种方法得到的实验结果。     

二维非等温的分布晶体管模型

本文提出了一个考虑了晶体管热电反馈效应的分布晶体管直流模型,称之为“二维非等温的分布晶体管模型”. 本模型考虑了基区高注入效应、Kirk效应以及由内基区电阻、发射极金属化电极薄层电阻所引起的电流横向及纵向集边效应,并计入了晶体管内温度分布的不均匀性对上述诸效应的影响. 借助计算机,利用下降法求解了描述本模型热电特性的非线性方程组,计算结果给出了晶体管发射区内温度、电流的二维分布数值,从而得到了晶体管热电反馈效应的定量描述,且理论结果与实验吻合良好. 利用本模型可进行功率晶体管的计算机辅助设计,预测功率晶体管的安全工作区并指导器件的可靠性设计.     

一种简单优质的双端可调功率直流稳压电源的设计与分析

根据优质直流稳压电源应具有的特点,介绍了采用ＰＩ调节器和共射极连接方式下的晶体管来构成一款简单优质的双端可调功率直流稳压电源的方法,分析了电源的特性,给出了设计实例：其最大输出电流为５Ａ,最大输出电压为５０Ｖ,电压调整率为０．０１２％,负载调整率为０．０４％,纹波抑制比为８４ｄＢ。     

宜普电源转换公司推出高性能氮化镓功率晶体管

正氮化镓(eGaN)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30V至200V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能,例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、     

一种基于负电阻增益增强型的全差分运算放大器

设计了一种新颖的全差分的CMOS运算放大器.在全部晶体管都取最小沟道长度的情况下,层叠的负电阻晶体管结构来提高增益.在电源电压为2.5V, 0.25 μm CMOS工艺条件下进行电路模拟.模拟结果表明, 开环直流增益为86 dB,单位增益带宽为200 MHz,相位裕度为80°.     

晶体管假负载

用晶体管假负载调试直流稳压源比用滑线电阻方便,并且具备滑线电阻不可能具备的一些优点。线路如图1。主要指标如下:最大功耗100瓦。恒流电流分两档:0～500毫安,0～2安,保持恒流电压范围4.5～50伏。并有如下优点。 1.通用性强。一只晶体管假负载可代替几只滑线电阻。 2.具备恒流性能。在调试多档输出稳压源时尤其显得方便。 3.可以程序控制。     

适合噪声参数测试的频谱分析仪

该方法使用一个可编程的变阻器来简单地完成RF和微波晶体管的噪声参数测量任务     

数字晶体管及其测试

文章介绍了常用数字晶体管的一般型号产品。重点介绍了数字晶体管中内置电阻的测试原 理,介绍了数字晶体管中内置电阻精确的计算机测试方法。     

一种新型平面固体扩散源——硼微晶玻璃片在CG39型硅微波低噪声晶体管生产中的应用

本文叙述了硼微晶玻璃片(国外简称为 Boron~(+TM),国内简称为PWB)在硅微波低噪声浅结平面型晶体管扩散工艺中的使用方法和系统的几何尺寸;并给出了温度 T 与扩散电阻 R 口的关系曲线;热处理时间与扩散层电阻的关系曲线;比较了 PWB 和 BN 箱法扩散的直流特性。     

GX2A微瓦功率计直流校正器

GX2A微瓦功率计须经常检定校正以确保其精度,一般可用直流分压3F配上电位差计、检流计及直流稳压电源来进行.为方便起见,我们在直流分压器基础上做了一台直流校正器,如图1所示,不再配置其它仪器就可直接校正GX2A微瓦功率计或直流指示器.     

2dB噪声系数的Ka波段宽带高增益单片低噪声放大器

报道了一种基于商用0.15um赝配高电子迁移率晶体管工艺的单片低噪声放大器,工作频率范围为23~36GHz.它采用自偏置结构.对晶体管栅宽进行了优化设计减小栅极电阻,以得到低的噪声系数.采用吸收回路和加电阻电容网络的直流偏置结构提高电路稳定性,用多谐振点方法和负反馈技术扩展带宽.测试结果表明,其噪声系数低于2.0dB,在31GHz处,噪声系数仅为1.6dB.在整个工作频带范崮内,增益大于26dB,输入回波损耗大于11dB,输出回波损耗大于13dB.36GHz处的ldB压缩点输出功率为14dBm.芯片尺寸为2.4mm×1mm.     

一种可控硅并联稳压电源

直流稳压电源种类较多,它们各具特点,因而可以应用在不同场合。可控硅直流稳压电源,以其输出功率大,应用广泛,晶体管线性直流电源和开关电源无法取代;特别在稳压电源根据需求扩大功率输出时,可控硅稳压电源采用并联方式容易实现。文章阐述了一种可控硅模块并联集成的稳压电源方案,并分析了实施过程中需要解决的关键技术。