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AlGaInP高亮度发光二极管 总被引:3,自引:3,他引:0
分析了AlGaInP材料的特点和AlGaInP高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出AlGaInP发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率。并利用LP-MOCVD技术制备了cd级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在605nm,FWHM为18.3nm,20mA工作电流下,5.08cm(2英寸)外延片管芯平均轴向发光强度为20mcd,最大30mcd,平均工作电压1.9V,透明峰值角度2θ1/2=15°时轴向发光强度达到1000mcd。 相似文献
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用法国进口的GaAsVPE设备,采用AsCl)3/H_2/Ga体系,以SnCl_4l/AsCl_3为掺杂液,生长了2英寸多层GaAs外延材料,自行设计了反应器的热场分布,在反应器中增加了合适的搅拌器,用以改变反应器中气体流动情况。GaAs外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于5%。浓度均匀性的最佳值为3.7%,厚度均匀性的最佳值为1.5%,当外延层载流子浓度为1.9×10 ̄(17)cm ̄(-3)时,室温迁移率达到4390cm ̄2/V·s。 相似文献
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硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。 相似文献
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利用LP-MOCVD外延生长AlGaInP DH橙色发光二极管,20mA工作条件下发光波长峰值在628nm,FWHM为26nm,15°(2θ1/2)视角封装后亮度达到310mcd;80mA工作条件下亮度达到100mcd。并且分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。 相似文献
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本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3e9cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3e9cm 相似文献
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利用AlGaAs的水汽氧化技术(湿法氧化)成功地在AlGaAs层上生长出基质氧化膜。测量表明:膜厚为100-200nm,折射率范围为1.6-1.8。该膜具有优良的电绝缘特性,电阻率大于10^10Ω.cm击穿场强大于5×10^6V/cm。硅上用MBE生长的QW-GaAs材料在生长基质氧化膜后,经RTA处理(1050℃15s)后,产生明显的IILD(杂质诱导层无序)作用,GaAs量子阱中PL峰蓝移... 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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本文报道我们率先研制出的3~5.3μmInxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能.该探测器具有光伏特征,77K温度、±7V外偏压下的500K黑体探测率达到约1.0×1010cm·Hz1/2/W,并且,与1→2子带间跃迁相对应的光电流峰值响应波长可随外偏压在中红外(3~5.3μm)波段作适当调谐.运用平面波展开法,依据样品的阱、垒结构参数,计算了InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱1→2子带间跃迁的Sta 相似文献
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《微纳电子技术》1994,(5)
在垂直旋转圆形OMVPE外延炉里压力减小到0.2atm下生长的GaAs和AlGaAs的特性非常均匀。衬底旋转500r/min,厚外延层均匀性是±1%。而3~10nm厚的量子阱,其厚度的均匀性是±2%。铝组分的变化系数是1.8×10-3或者更小。对于含有单量子阱有源层的宽面积GRIN-SCH二极管激光器,其阈值电流密度和微分量子效率非常均匀。激光器的激射波长可以通过调整有源层厚度和组分精确控制。175个器件分布在16cm2的片子上,片子包含一个10nm厚的Al0.07Ga0.93As有源层,激射波长,总的变化为3.0nm。从9个其它外延片上取出的所有供试验的管子,其波长范围是从803.5到807.4nm。 相似文献
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陈兆铮 《固体电子学研究与进展》1999,(4)
据《CompoundSemiconductor》1999年第1期报道,Illinois大学、NotreDame大学、Bell通信研究公司分别报道InP基高性能的E-HEMT。器件在半绝缘InP衬底上用MOVPE生长E-HEMT材料,其结构是:缓冲层为In0.52Al0.48As,沟道为20nm未掺杂的In0.53Ga0.47As,5nm未掺杂的In0.52Al0.48AsIn0.52Al0.48As隔离层,Siδ平面掺杂和12nm未掺杂In0.52Al0.48As肖特基层。器件用隐埋Pt栅制作,… 相似文献
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GaAs/AlGaAs多量了阱结构的红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器。本文对基基本原理作了介绍。并报导了最新研制成果;Dλ=1.42×10^11cmHz1/2W^-1=Rλ=2.32×10^6V/W,峰值响应为8.5μm的高性能GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。 相似文献
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首次报道了采用8-羟基喹啉镓螯合物作为发光层制备有机薄膜电致发光器件,器件的结构为:ITO导电玻璃/TPD/Gaq3/Al。研究了Gaq3薄膜的光致发光和器件的电致发光机理,同时测量和研究了器件的电流密度--电压(J-V)特性和发光亮度-电压(B-V)特性。结果表明器件的电致发光峰值波长为540nm,在20V直流电压驱动下的最大发光亮度约2500cd/m^2明显高于上同结构和工艺参数制备的Alq3 相似文献
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In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法 总被引:1,自引:1,他引:0
采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。 相似文献
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本文报道了利用低压金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)技术,在(001)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs体材料及In_(1-x)Ga_xAs/InP量子阶结构材料的结果.对于TMG/TEIn源,In_(1-x)Ga_xAs材料的非故意掺杂载流子依匿为7.2×1016cm-3,最窄光致发光峰值半宽为18.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶结构材料测到±2级卫星峰;而对于TMG/TMIn源,非故意掺杂载流于浓度为3.1×10 ̄15cm ̄(-3),最窄光致发光峰值半宽为8.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶 相似文献
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发光强度为12cd的超高亮度绿色InGaN单量子阱(SQW)结构发光二极管已研制成功。该器件的输出功率、外量子效率、峰值波长和光谱半宽在正向电流20mA下分别为3mW、6.3%、520nm和30nm。这种绿色InGaN单量子阱发光二极管的P-Al-GaN/InGaN/n-GaN是用MOCVD方法生长在蓝宝石衬底上。 相似文献