一台紧凑的166,OOO数位的磁膜存贮器

本文介绍一台166,000数位的磁膜存贮系统的原理、设计和工作特性。虽然这台紧凑的存贮系统是专门为航空上的应用而设计的,它是导航和控制计算机的一个主要部份,但该设计也适用于其它的军用控制计算机。这台随机取数、并行读出、字选择法的存贮系统包括一台256字,24位的破坏读出的存贮器和一台6656字,24位的非破坏读出的存贮器。在程序下的循环时间为3.0微秒,取数时间为0.7微秒。这台存贮器被设计成在没有温度补偿,以及冲击和震动都相当严重的条件下还能可靠地工作。磁膜存贮元件所固有的装配技术已经能够制成一个包括选择线路在内的存贮体,其重量是16磅,体积大约是0.2立方呎。线路的装配保证了结构紧凑和维护方便。整个存贮系统包括全部联接线路在内需要的功率为50瓦。     

一台20兆周不破坏读出薄膜存貯器

本文叙述一台磁薄膜存贮系统(字长48位,共256字),读取时间40毫微秒,不破坏读周期50毫微秒,写周期150毫微秒。给出了薄膜参数、系统结构和有关电路,并附有图片说明。采用不破坏读出方式来防止破坏读出薄膜存贮器恢复周期产生的恢复问题。80×60密尔的薄膜元件当读电流170毫安时能产生1/2毫伏读出信号。由于存贮体延迟约为8毫微秒,地址译码、读出放大和选通的时间允许为32毫微秒;这就要求一些独特的电路,包括一个隧道二极管译码矩阵和读写两用的单地址驱动器。     

航空-宇宙用微型双轴磁心

一、微型双轴磁心的概述 微型双轴磁心是飞歌(Philco)公司最近研制成功的不破坏读出存贮元件。M814-03微型双轴磁心是为了满足航空-宇宙用而专门研制的。这种双轴磁心有以下几个独特的优点。     

英国新型磁薄膜存贮器

EMI电子公司已经把第一批新型磁薄膜存贮系统递交给英国原子能研究所。该系统准备用作高速数据纪录中的通用缓冲存贮器。 高速度——采用了128个字,每个字有16位;读写周期时间是1/3微秒——保证“死寂时间”要比普通存贮器短。由于存贮器忙于处理以前所得的信息而不能收集任何新来的数据时,会出现“死寂时间”。由于缩短了这个时间,EMI新型存贮系统方使昂贵的核装备更有效地工作。 存贮元件是在磁场中将镍-铁合金真空蒸发在玻璃板上而制成的。整个存贮器是用专门的印制电路采用专门的焊接技术装成的。该存贮器约有64块字板,每一个字有50位。目前存贮容量达128至1024个字。普通印制电路板用于装在19吋机架内的驱动和读出电子设备中。     

磁薄膜圆柱形存贮元件

磁薄膜圆柱形存贮元件(也称 Toristor)是一种快速、输出电压高的新型存贮元件,其原理图如图1所示。与磁杆相仿,该元件外面也绕一线圈(正交磁场线),以产生横向访问磁场。但通过 Toristor 的中心还有两条轴向导线:写入线及读出线。通过正交磁场线的读数电流进行访问。输出信号是双极性的,代表“1”与“0”的脉冲极性相反,而不是有无脉冲。该元件可以进行真正的不破坏读出,可以随时访问;     

用偏流复位的环形不破坏读出存储元件

本文讨论使用偏流复位法的(每位一个磁心)不破坏读出元件的工作原理。它易于实现一百毫微秒的不破坏读出时间。信号干扰儿s/n的范围从5:1到15:1。用简单的二度重合法写数。和其他不破坏读出元件相比,它的主要优点是信号电平较高,信号干扰比较大,以及写入和穿线都简单。     

TTL中规模集成电话及其应用(第八讲)

<正> 二、只读存贮器(一)结构与参数1.结构因为双极型只读存贮器(ROM)的信息是预先写入的,一旦写入后,其内容就不能改变了,所以工作时只能读出信息。它不象随机存贮器那样,要用较复杂的双稳态电路作为存贮单元,而ROM可用熔丝、三极管、二极管等作为存贮元件。它是通过究竟是设置还是不设置存贮元件来表示存入的信息是“0”还是“1”的。这样,ROM的结构就要比RAM简单得多。其价格也比RAM要便宜。ROM一般采用多位结构     

变感元件存贮器

前言双频存贮方式构成的磁心存贮器是在目前变感组件计算机中采用的一种存贮方式。这种存贮方式能够随机存取和不破坏读出,可以采用误差自动校正码的地址选择方式,能够与变感组件直接连接,但其速度较慢。本文一般地介绍这种存贮器。     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。     

拜爱克斯(Biax)—一种新的铁氧体计算机元件

美国最近制成一种新的铁氧体元件,称为拜爱克斯(Biax),这种新的磁元件可以用作存储线路,也可以用于逻辑线路。这是一种长方形的磁心,体积为50×50×85密尔。磁心有每边为20密尔的两个正方孔正交穿过其中,双孔间有磁力线的干扰,但因为两者是正交的,所以两孔中间的导体里没有正常的磁耦合。可以根据两孔间距离的大小,做成破坏或不破坏读出的磁元件。在存储线路里,做成不破坏元件,而在逻辑线路里,则做成破坏读出的元件。用作存     

只读存贮器的某些使用方法

本发明的范围 本发明涉及只读存贮器,这是一种能读出但不能写入数据的存贮器。本发明详细涉及到的存贮器其存贮元件是晶体管排列成的阵列或矩阵。例如,“1”可用一通导晶体管来表示,则“0”用一截止晶体管来表示。     

磁性存贮元件及其制造方法

本文研究磁性存贮元件及其制造方法。 磁性存贮元件是将镍-铁薄膜蒸发在一种适当的基体上制成的,用在数字计算机中作为存贮元件。这种存贮元件能高速操作。     

英国EMI公司出售薄膜存贮器

EMI电子公司宣称,他们已制成首批薄膜存贮系统,并开始出售。这种存贮系统可用于最快的计算机和现在使用的数据处理系统。 存贮单元或位是断续的镍铁合金点,这些点是用高度真空的方法蒸发在玻璃板上,其厚度达1000埃。驱动线和读出线用光学方法腐蚀在一对毛玻璃板上,它和插入的磁性单元一起表示64字的平面板,每字50位。     

单管MOS存贮单元的存贮阵列和读出-再生电路

简介——破坏读出单管MOS存贮单元的读数信号随单元面积减小而减小。要达到必要小的单元面积,必需具有大的特殊电容的器件作为存贮电容器,还需要灵敏的再生放大器和补偿噪音的阵列。 对于用硅栅工艺的单元布局设计,存贮电容器建议采用电场感应的非平衡反型层作为一个电极。 提出一个门控触发器作为一个灵敏的再生放大器,它的两个输入结点各连接一条位线。这样得到的对称阵列不但是高度灵敏的(输入电压差的不可辨区大约定晶体管阀值电压的0.3)和与制造工艺参数不相关的,而且容许在触发器的每边用一条假的字线(带有假的存贮单元)进行噪音补偿。 不同的单元和再生电路已经用硅栅工艺实现。面积为1600微米~2(2.6密耳)~2的存贮单元已经成功地进行工作,读/写周期时间为350毫微秒(存贮电容为0.134微微法,每条位线64个单元或每个放大器128个单元的位线电容为0.32微微法)。     

磁膜存储器综述

本文对于在磁膜中反转和转动磁化型式做了分析。讨论了破坏读出及不破坏读出型式存储器的各种方式并考虑了它们性能上的局限性。部分地综述了现有的磁膜存储器方面的成果和叙述了材料及系统问题,也讨论了可能发展的前途。     

计算机中的流体逻辑元件

计算机逻辑网络中流体开关元件技术已经较广泛地研制。最近 IBM 公司试验成功了采用这种技术的二进制计算器、“或”门、多谐振荡器及移位奇存器。这些元件的类形有两种:一种是用轴阀作开关,另一种是利用包括不移动或不变形的固体部份的动态现     

铁氧体磁心的开关特性

本文叙述了铁氧体磁心用于逻辑和存贮线路时的某些开关特性。阐明了恒流和恒压开关的基本特性。还介绍了非对称开关的方法以及恒压与恒流开关的组合特性。     

PERM计算机的磁心存贮器

现已制成一台 PERM 机用的全晶体管化的磁心存贮器,其容量为2048个字,每字是51个二进位,存取时间为8微秒。它有一些有功于经济性和较大工作可靠性的特点(如存贮矩阵中读出线圈穿线方法的简化,新的有效的读出放大器线路扣广泛使用间歇振荡线路)都将分别详细说明。该存贮器没有温度调节,并且不使用 PWD 脉冲(写后干扰脉冲),可靠工作的温度范围为15℃至45℃或者更高一些。存储器中约有650个晶体管和2180个二极管。功率消耗总共约360瓦。     

红外线遥控灯具

本文介绍的装置,可以用手头现成的电视视、录像机或者影碟机的遥控器,去控制灯具的开关,而不会改动原来的遥控器。本电路具有元件不多,制作容易,调试简单的优点。     

高速计算机的几种元件线路

这里介绍几种工作在毫微秒范围内的线路,它们是大容量存储器用的读出放大器,带有非线性反向二极管反馈的共射放大器及晶体三极管-二极管逻辑线路。大容量存贮器用的读出放大器如图1所示。设计指标是元件少、对干扰不敏感而又有高的增益、响应时间短、允许元件有一定的误差和环境条件有一定的变动。