掺CdS_xSe_(1-x)玻璃的非线性光学特性研究

用多种方法对掺CdS_xSe_(1-x)玻璃的非线性光学特性进行了研究,表明该种材料具有大的三阶非线性极化率(x~((3))～10(-9)esu),其非线性光学来源于半导体微晶中的等离子体带填充,测得非线性响应时间为3.5ps。     

掺半导体玻璃的简并四波混频

用简并四波混频研究了CdS_xSe_(1-x)半导体玻璃的三阶非线性光学特性。实验结果表明这种材料具有大的三阶非线性系数(x~(3)～10~(-8)esu)和快速非线性响应时间(<1ns)。     

光学非线性中的半导体微晶材料

由于微晶半导体具有减维数的量子尺寸效应,在这类材料中激子被二维和三维地限制为量子线和量子点。从而观察到许多有意思的光学非线性性质。如光谱蓝移,四波混频,载流子弛豫和光双稳等。某些材料已用于光波导与光开关器件。目前半导体微晶的分散形式主要是在玻璃中,单晶中,多晶中和水溶液中。以下分别介绍。一、掺半导体微晶的玻璃掺CdS_xSe_(1-x)的硼硅酸盐玻璃起初是作为锐截止光学滤光片使用的,其体色随x值而变化,从x>0.9的黄色到x<0.2的深红     

掺CdS_xSe_(1-x)玻璃波导变周期光栅空间扫描特性研究

本文报道了在掺CdS_xSe_(1-x),玻璃波导上制备出变周期光栅耦合器,获得了非线性变周期光栅的光控空间扫描特性并指出这种光控扫描特性是热非线性效应所致。     

掺半导体玻璃中的简波四波混频

本文报道了硼酸盐玻璃中掺杂半导体微晶CdS_xSe_(1-x)的简并四波混频。当实验中采用波长λ=0.532μm,脉宽t_p=8ns和t_p=6ps的脉冲进行四波混频时,测得CdS_xSe(1-x)。的三阶非线性极化率x~((3))的值分别为～10~(-9)—10~(-8)esu和10~(-11)esu,瞬态光栅的衰减寿命为30ps。实验装置的时间分辨率为6ps。     

简并四波混频法测量掺半导体玻璃的三阶极化率X~((3))

使用530nm激光及简并四波混频方法,可测量得到后向反射波与探测波的强度比,从而精确给出了掺有CdS_xSe_(1-x)微晶玻璃的三阶极化率x。文中给出了两种样品的测量结果。 1.引言 近几年来,围绕着光通讯和光计算机的研究,人们正在研制和探索具有大的三阶非     

在Ga_xAl_(1-x)As和Ga_xAl_(1-x)P混合晶体中长波长光学声子谱

实验上一般用喇曼光谱和红外反射谱两种方法研究混合晶体材料的长波长光学声子谱,但红外反射谱的结果分析在一定程度上依赖于分析方法并利用调节参数。而喇曼光谱的结果直接给出了长波长光学声子模的频率,带宽和强度。我们测量了不同组份的Ga_xAl_(1-x)P和Ga_xAl_(1-x)As混合晶体材料的喇曼光谱。对Ga_xAl_(1-x)As,我们着重补充富AlAs(x≤0.5)材料的测量结果;对Ga_xAl_(1-x)P,我们着重讨论     

氢化非晶硅系薄膜的特性和应用

氢化非晶硅系薄膜(a-Si:H、a-Si:F:H、a-Si_(1-x)C_x:H、a-Si_(1-x)C_x:F:H、a-Si_(1-x)N_x:H、a-Si_(1-x)Ge_x:H、a-Si_(1-x)Ge_x:F:H……)是新型电子材料,具有广阔的应用前景。本文综述氢化非晶硅系薄膜的制备方法,并通过局域化隙态能级的分析来讨论薄膜的光学和电学特性,最后介绍薄膜的应用。     

Hg1—xCdxTe光学常数测量

根据半导体光学常数间的关系,通过测量Hg_(1-x)Cd_xTe晶片不同厚度时的透射比,求得了Hg_(1-x)Cd_xTe的光学常数。本文采用迭代法精确求解有关方程组,避免了计算过程引入的误差,提高了测量结果的精度。这种方法也适用于其他半导体光学常数的测量。     

TeSeIn相变光学记录介质的研究

用合金Te_x(In_ySe(1-y)_(1-x),单源热蒸发成膜。非晶态Te_x(In_ySe(1-y)_(1-x)膜在100℃左右发生相变。相变引起膜光学性质较大变化。膜Te_x(In_ySe(1-y)_(1-x)抗氧化,对激光束能量要求低,是一种良好的可逆相交记录介质。     

Ga_(1-x)Al_xAs晶体的共振喇曼散射和光学畸变势

为了选择带隙对固定激光线调谐的可能性,借助于Ga_(1-x)A1_xAs的禁带宽度随组分x和温度的变化,测量了Ga_(1-x)A1_xAs晶体的一级和二级共振喇曼散射。用线性化丸盒轨道方法(LMTO方法)计算单声子光学畸变势d_0,从共振喇曼散射的测量得到双声子2LO_2和LO_1+LO_2的光学畸变势D_1。     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y异质结晶格匹配研究

本文报告GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器制造中,用两种液相外延方法把三元系Ga_(1-x)Al_xAs变成四元系Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y.用X射线衍射仪测试结果表明:最佳的GaAS-Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y异质结晶格失配可减至1×10~(-5),相应的失配应力为1.4×10~7达因/厘米~2.用扫描电子显微镜显示结界面很平整.此法大大改善了异质结的制造质量,可望获得高效率长寿命的双异质结激光器.     

Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xP混晶的室温喇曼散射测试结果。所用的样品用液相外延方法生长在〈111〉晶向的GaP衬底上。混晶组分x值在0.16—0.65之间。实验结果表明,Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱呈现双模行为,具有类GaP和类AIP两个光学支。     

GaAs液相外延薄层厚度的控制

一、引言液相外延薄层厚度的控制是GaAsGa_xAl_(1-x)As双异质激光器制备中的一个基本问题,是提高器件寿命的重要措施,也是发展新型器件和集成光学的基础。过去所采用的“配源”的液相生长方法,存在外延薄层     

高应变In_xGa_(1-x)As薄膜的结晶质量及光学特性

通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶In_xGa_(1-x)As薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对In_xGa_(1-x)As薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分(原子数分数)为0.51。光致发光(PL)光谱测试结果表明,室温下发光峰位约为1.55μm;由于In_xGa_(1-x)As薄膜中存在压应变,光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子(TO)模式的峰出现了明显展宽,验证了In_xGa_(1-x)As薄膜中存在应变。     

应变In_xGa_(1-x)As/Al_(0.15)Ga_(0.85)As多量子阱的电光双稳

在垂直于异质界面电场存在的情况下,用光电流光谱学研究了分子束外延生长的应变 In_xGa_(1-x)As/Al_0.15Ga_0.85As 多量子阱的光学吸收性质。在体 GaAs 衬底透明的波长范围内,观察了量子限定斯塔克效应。室温下无须去除 GaAs 衬底,显示出自电光效应器件的光学双稳性。     

塞曼效应石墨炉原子吸收法在碲镉汞材料制备中的应用

本文用塞曼效应石墨炉原子吸收光谱分析法(ZAAS)对淬火-固态再结晶制备Hg_(1-x)Cd_xTe材料的工艺进行了研究,探讨并建立了高纯原料(Te、Cd)、制备晶体的容器(石英、玻璃)及Hg_(1-x)Cd_xTe材料中杂质分析方法。结果表明:ZAAS法是Hg_(1-x)Cd_xTe材料研究中一种重要的痕量分析手段。     

a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H光学特性的研究

本文所用a_Si:H和a-Si_xN_(1-x):H薄膜是用辉光放电法制备而成的。薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N_2/SiH_4)来控制。利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H在波长为2000A～6000A的范围内的光学常数。着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律。     

Hg_(1-x)Cd_xTe光学声子双模行为的物理本质

对于Hg_(1-x)Cd_xTe中的声子,迄今已知的特点是其光学声子有双模行为。本文提出一种物理图象,分析讨论这种双模行为的物理本质,由此得到一种计算Hg_(1-x)Cd_xTe声子谱的可能方法。本文分析的出发点是把Hg_(1-x)Cd_xTe三元合金看成具有0～25%替位杂质的二元晶体。替位杂质最多为25%(x=0.5时),最少为零(x=0或1时)。为分析问题方便起见,此     

高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H 薄膜晶化特性的影响

对GDa-Si_xC_(1-x):H膜进行高温退火,当退火温度在550℃附近时晶化开始,随退火温度升高晶粒尺寸和晶化范围增大.晶化后的a-Si_xC_(1-x):H膜光吸收系数、光学带隙和电导激活能下降,室温电导率增加.