Co—Ti,Ti—Zr—Cu高温钎料在Si3N4陶瓷上润湿性与界面连接

设计了Ｃｏ－Ｔｉ，Ｔｉ－Ｚｒ－Ｃｕ两种高温钎料，进行了它们与Ｓｉ３Ｎ４表面的润湿性实验，利用ＸＲＤ分析钎焊合金与陶瓷界面，结果表明Ｃｏ－Ｔｉ合金中Ｔｉ以化合形态形式存在时，钎料不润湿Ｓｉ３Ｎ４陶瓷，钎焊合金与陶瓷间的办面连接强度与基体材料及界面反应产物密切相关。     

熔盐热析出反应金属化Si3N4与Si3N4的连接

在采用熔盐热析出反应在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷表面沉积钛金属膜的基础上,对ＣｕＡｇ合金在金属化表面的润湿性进行了研究,结果表明,ＣｕＡｇ合金能对采用该方法金属化的Ｓｉ３Ｎ４陶瓷实现良好润湿,在此基础上,成功实现了钛金属化Ｓｉ３Ｎ４陶瓷与Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的连接并对连接工艺进行了系统研究。连接界面的ＴＥＭ研究发现,界面上广泛存在Ｔｉ－Ｃｕ－Ｓｉ－Ｎ相并对这种相对连接强度的影响进行了讨论。     

Cu基三元合金与SiC之间的润湿性及界面反应

采用静滴法、电子探针和扫描电镜研究了 Cu-Sn-M(M=Ti,Zr,V,Cr)三元合金与烧结碳化硅及单晶碳化硅间的润湿性及界面反应。在 Cu-Sn-Ti 合金与两种碳化硅垫片的铺展前沿均发现有前驱膜存在,同时在 Cu_(85)Sn_(10)Ti_5与烧结碳化硅的界面发现裂纹。实验结果表明:Ti 的加入显著改善 Cu-Sn 二元合金与碳化硅间的润湿性,其原因是 Ti 在界面上的吸附、富集及界面反应。     

Al－SiC系润湿性与界面现象的研究

本文通过座滴法测定了真空条件下的几种铝合金与ＳｉＣ的润湿角。研究了温度、合金元素Ｓｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ等对Ａｌ－ＳｉＣ系润湿性的影响。并运用金相观察、电子探针能谱分析、扫描电镜、ｘ射线衍射分析研究了Ａｌ－ＳｉＣ系的界面现象。     

连续碳化硅纤维增强Ti—15—3合金基复合材料界面的初步研究

本文对连续ＳｉＣ纤维增强Ｔｉ－１５－３合金基复合材料的界面进行了初步的研究，试验结果表明，真空热压或热等静压复合固结ＳｉＣ／Ｔｉ－１５－３试样中界面反应区尺寸约为４μｍ左右，界面部位含有较多的Ｔｉ，Ｓｉ和较少的Ｖ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ａｌ．     

连续碳化硅纤维增强Ti－15－3合金基复合材料界面的初步研究

本文对连续ＳｉＣ纤维增强Ｔｉ－１５－３合金基复合材料的界面进行了初步的研究。试验结果表明，真空热压或热等静压复合固结ＳｉＣ／Ｔｉ－１５－３试样中界面反应区尺寸约为４μｍ左右，界面部位含有较多的Ｔｉ、Ｓｉ和较少的Ｖ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ａｌ。     

第四组元对机械合金化MgNiCu合金贮氢性能的影响

采用机械合金化方法由Ｍｇ，Ｎｉ和Ｃｕ单质粉末以及添加第四组元粉末按选定比例合成ＭｇＮｉＣｕ和ＭｇＮｉＣｕ－Ｍ５％贮氢材料，着重研究了分别添加不同的第四组元Ａｌ，Ｍｎ，Ｔｉ元素对不同球磨时间后ＭｇＮｉＣｕ合金贮氢性能的影响。结果表明，添加第四组元都不同程度地改善了ＭｇＮｉＣｕ俣金的初始活化条件；添加Ｍｎ能降低ＭｇＮｉＣｕ合金的吸放氢平台，显著改善其吸放氢动力学性质；添加Ｔｉ提高了ＭｇＮｉＣｕ合金的最     

离心喷射成形Ti—48Al—2Mn—2Nb合金的变形特征

研究了离心喷射沉积（ＣＳＤ）成形的Ｔｉ－４８Ａｌ－２Ｍｎ－２Ｎｂ合金的形变,断裂过程及表面裂纹的特征,ＣＳＤ合金形变时可能发生了以层片作为滑移单元沿层片间界面的滑动;ＣＳＤ合金压缩变形量可超过２５％,但在压缩变形量仅１％时,就又观察到了微裂纹的萌生,裂纹与层片方向成一一夹角,与压缩方向平行。     

镀Ti立方氮化硼（cBN）与玻化SiO_2－Na_2O－B_2O_3结合剂的作用

为了防止玻化ＳｉＯ２－Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３结合剂烧结时对立方氨化硼（ｃＢＮ）的侵蚀，并实现ｃＢＮ晶体与结合剂间的化学键结合，本文用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等研究了Ｔｉ镀层与ＣＢＮ界面在６００～１２００℃温度范围的界面反应过程及界面成分结构特征，讨论了镀ＴｉｃＢＮ与结合剂复合体在烧结过程中的成分结构及性能．结果表明：Ｔｉ镀层与ｃＢＮ晶体在６００℃以上，以反应扩散的形式发生界面反应形成ＴｉＮ，８００℃以上形成ＴｉＢ２及ＴｉＢ，这些在ｃＢＮ表面外延生长的难熔化合物使Ｔｉ镀层与ｃＢＮ牢固结合并阻止了结合剂中的碱性组分对ｃＢＮ的侵蚀，镀ＴｉｃＢＮ晶体与结合剂则由低价的氧化钛为中介实现良好结合．     

高弹性导电合金Cu—Ni—Sn的研究现状

Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｎ合金是调幅分解强化型合金。本文综述了Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｎ合金的研究现状，对材料的制备，热处理工艺，合金的强化机理，微观结构，性能，及它们在电子工业中的应用作了介绍。     

陶瓷薄膜与金属间的浸润性及其界面的研究

本文在对 ＴｉＮ、ＴｉＣ陶瓷薄膜与金属 Ａｇ、 Ｃｕ、 Ｎｉ、 Ｆｅ间的浸润性测量的基础上，用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、电子探针（ＥＰＭＡ）对其界面进行了观察。结果表明：浸润性较差的Ａｇ、Ｃｕ与ＴｉＮ、ＴｉＣ的界面平整，几乎没有发生相互扩散和化学反应；而浸润性较好的 Ｆｅ、Ｎｉ与 ＴｉＮ、ＴｉＣ的界面有明显的扩散和化学反应现象沿着ＴｉＮ、ＴｉＣ的晶界扩散；薄膜部分甚至全部溶入金属中。ＴｉＣ薄膜与Ｆｅ的界面反应程度大于ＴｉＮ 薄膜。     

镀Ti立方氮化硼（cBN）与玻化SiO2—Na2O—B2O3结合剂的作用

为了防止玻化ＳｉＯ２－Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３结合剂烧结时对立方氮化硼（ｃＢＮ）的侵蚀，并实现ｃＢＮ晶体与结合剂间的化学键结合，本文用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等研究了Ｔｉ镀层与ｃＢＮ界面在６００￣１２００℃温度范围的界面反应过程及界面成分结构特征，讨论了镀ＴｉｃＢＮ与结合剂复合体在烧结过程中的成分结构及性能。结果表明：Ｔｉ镀层与ｃＢＮ晶体在６００℃以上，以反应扩散的形式发生界面反应形成ＴｉＮ，８     

一步法电沉积CuInSe2半导体膜

在以ＩｎＣｌ３、ＣｕＣｌ、ＳｅＯ２为主盐，酒石酸为络合剂，聚乙二醇和硫脲为添加剂的电镀液中，在Ｍｏ片或Ｔｉ片上进行阴极电沉积，可获得ＣｕＩｎＳｅ２半导体膜，它与ＣｄＳ组成的ｎ－ＣｄＳ／ｐ－ＣｕＩｎＳｅ２光电池光电效率可达７－８％，部分达１１％。     

代位原子在Fe3Al亚点阵中的占位与合金的塑性

采用中子衍射法测定了Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｉ等代位原子在ＤＯ３结构Ｆｅ３Ａｌ亚点阵中的原子占位，并从解离能角度探讨了原子对之间的相互作用及合金室温塑性的影响，结果表明：Ｃｒ、ＭＯ、Ｔｉ都占据了Ａｌ原子的次近邻位置，替代Ｆｅ原子；Ｎｉ、Ｍｎ占据Ａｌ原子的最近邻位置，（Ｓｉ＋Ａ）当量成分以内的Ｓｉ原子替代占据Ａｌ原子的位置，由于Ａｌ－Ｃｒ原子对的结合能低于Ｆｅ－Ａｌ，ＡＬ－Ｍｏ用Ａｌ－Ｔｉ对     

化学镀Cu－Sn－P合金性能研究

在含有Ｃｕ~（２＋）和Ｓｎ~（２＋）的溶液中加入ＮａＨ_２ＰＯ_４为还原剂可以获得金黄色的Ｃｕ－Ｓｎ－Ｐ合金镀层。研究了镀液中Ｃｕ~（２＋）／Ｓｎ~（２＋）浓度比、络合剂、催化剂、还原剂和酸度对镀层沉积速度和镀层中Ｃｕ／Ｓｎ比的影响，同时还测量了镀层的孔隙率和耐蚀性。结果表明，镀层色泽与镀层中铜含量有关，Ｃｕ－Ｓｎ－Ｐ合金层的耐蚀性取决于镀层中磷的含量。     

SiC纤维补强微晶玻璃基复合材料的界面结合

本文通过ＳｉＣ纤维对ＬＣＡＳ（Ｌｉ２Ｏ－ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２）和ＭＡＳ（ＭｇＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２）微晶玻璃的补强，观察和分析了在不同复合系统中纤维与基体的界面结合。在ＳｉＣ纤维／ＬＣＡＳ微晶玻璃复合系统中，发现纤维与基体之间有一中间界面层，它主要是在复合材料的烧结过程中通过扩散形成，并且于１２００℃时在界面上形成富Ｃ层。ＳｉＣ纤维／ＭＡＳ微晶玻璃基复合材料由于在烧结过程中有化学反应发生     

高能离子辐照引起硅上铜膜附着力增强的SAM／SIMS研究

本文通过用扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了高能氯离子注 入Ｃｕ／Ｓｉ系统，对Ｃｕ薄膜附着力增强效应进行了研究。俄歇深度剖面分析发现，高 能氯离子注入后导致Ｃｕ膜中出现了大量的碳，在Ｃｕ／Ｓｉ界面处存在碳的浓度峰，并 且Ｃ与 Ｓｉ衬底有一定深度的混合，从 ＳＩＭＳ分析结果我们初步推测在 Ｃｕ／Ｓｉ界面上 存在一定量的氧化硅和碳化硅。我们认为这些可能是引起Ｃｕ膜附着力增强的主要因素 之一。文中就Ｃｕ膜中碳的来源提出了与文献不同的观点．     

高弹性导电合金Cu-Ni-Sn的研究现状

Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｎ合金是调幅分解强化型合金。与铍青铜相比，该合金性能优良、价格便宜，因此是一种很有发展前途的铜基弹性材料。本文综述了Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｎ合金的研究现状，对材料的制备、热处理工艺、合金的强化机理、微观结构、性能、及它们在电子工业中的应用作了介绍。     

Fe—Mn—Si形状记忆合金中元素对材料耐蚀性的影响

研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金中元素对材料耐腐蚀性能及形状记忆性能的影响。结果表明：在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中，随着Ｍｎ，Ｓｉ含量的增加，其耐腐蚀性能略有提高，但Ｍｎ含量过高会导致合金形状记忆性能下降。而在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中加入适量的Ｃｒ，可明显提高该合金的耐腐蚀性能，并使之具有良好的形状记忆性能。     

Fe－Mn－Si形状记忆合金中元素对材料耐蚀性的影响

研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金中元素对材料耐腐蚀性能及形状记忆性能的影响。结果表明：在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中，随着Ｍｎ、Ｓｉ含量的增加，其耐腐蚀性能略有提高，但Ｍｎ含量过高会导致合金形状记忆性能下降。而在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中加入适量的Ｃｒ，可明显提高该合金的耐腐蚀性能，并使之具有良好的形状记忆性能。