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C3N4膜的制备,结构和性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用微波等离子体化学气相沉积法,用高纯氮气(99.999%)和甲烷(99.9%)作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4薄膜。利用扫描电子显微镜和扫描隧道显微镜观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。X射线能谱分析了这种晶态C-N膜的化学成分,对不同样品不同区域的分析结果表明,N/C比接近于4:3。X射线衍射结构分析说明,该厝主要由α-C3N4和β-C3N4和β-C3N4组成。ano Inde 相似文献
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以N2,CH4作为反应气体,采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)进行碳氮膜的合成研究。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压,在Si(111)和Si(100)基底上气相合成β-C3N4晶态薄膜。扫描电子显微镜(SERM)下观察到生长在Si基底上的薄膜具有六角晶棒的密结构。EDX分析胡沉积条件的不同,六角晶棒中N/C在1.0~2.0之间。X射线衍射分析(XRD)发现薄膜中含有β-C3 相似文献
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研究了生工在硅片,合金钢片上的氮化碳薄膜的X射线衍射谱(XRD),实验结果表明在硅片上先生长Si3N4过渡层和对样品进行热处理,有利于β-C3N4晶体的生成,不同晶面的硅衬底,生长C3N4薄膜的晶面不同,合金钢片上C3N4薄膜,出现七个β-C3N4衍射峰和六个α-C3N4衍射峰,这些结果与β-C3N4和α-C3N4的晶面数据计算值相符合。 相似文献
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采用射频-直流等离子增强化学气相沉积技术用C2H2和N2气的混合气体制备出a-C:H(N)薄膜,用TEM、红外谱、XPS等多种分析测试手段研究了薄膜的结构。结果表明a-C:H(N)薄膜中N与C原子可形成N-C、C=N和N≡C键,而碳氢原子主要以CH2基的形式存在。且薄膜中存在具有理想化学配比的C3N4相,薄膜的结构是由C3N4相镶嵌在非晶态CNx基体中组成。 相似文献
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沉积在Si(100)基片上的CNx膜是用微波等离子体化学气相沉积法(MWPCVD)制备的,本文着重探讨了CH4,N2的流量比对CNx膜的Raman谱的影响,并采用X-射线光电子能谱(XPS)方法分析了CNx膜的化学状态。 相似文献
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在等离子体化学气相沉积系统(PECVD)中,使用高氢稀释硅烷(SiH4)加乙烯(C2H4)为反应气氛制备了纳米硅碳(nc-SiCx^2H)薄膜,随着(C2H4+SiH4)/H2(Xg)从5%时,由于H蚀刻效应的减弱,薄膜的晶态率从48%下降到8%,平均晶粒尺寸在3.5-10nm。当Xg≥6%时,生成薄膜为非晶硅碳(a-SiCx^2H)薄膜。nc-SiCx^2H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相 相似文献