高亮度白光LED

最近，日本丰田合成公司用蓝光LED和黄光荧光粉组合得到白光。他们在蓝光LED外延层结构上做了改进而得到高效发光。在20mA电流下发光强度为1300mcd，其亮度是现在手机背光LED(600mcd)的2倍以上，另外还采用了耐热树脂，使寿命是现在LED的1．5倍。     

发光二极管：高亮度,全色化,表面安装

发光二极管技术的现状和趋势 长期以来,全色化和高亮度化一直是发光二极管(LED)技术研究的主要课题。90年代以来,随着新材料新技术的开发成功,LED在多色化、高亮度显示方面取得了显著进展。目前,超高亮度(>1cd)的红色、橙色、黄色、绿色以及蓝色LED已用于户外大屏幕全色显示。镓铝砷红色LED最高亮度已达10cd,大量用于室外显示屏,日本东芝等公司已建立了生产10cd级LED的工艺和设备。利用InGaA1P四元固熔体作为发光材料,采用GaAs衬底和金属有机化学汽相淀积工艺,已制得了超高亮度的橙红色LED;采用同样结构和工艺技术的黄色超高亮     

全色LED照明器

三洋电子公司制成直径5mm 的全色 LED 照明器,发出白、红、橙、黄、绿、蓝和紫各色光。这种全色 LED 照明器有亮度为3mcd(正向电流5mA)的磷化镓红色芯片,亮度为8mcd(15mA)的磷化镓绿色芯片和总亮度为1.3mcd(2片40mA)的2片碳化硅蓝色芯片,它们安装在网孔系统中。一红色芯片和一绿色芯片连接于接头的上部,两个蓝色芯片连接于接头的     

高亮度的橙色发光二极管

日本东芝综合研究所、电子研究所研制成一种高亮度的橙色发光二极管。其峰值波长为620nm,流过20mA 电流时能得到3烛光的亮度,激励电压1.82V,外部量子效率极高,达到了1.5％,为普通发光二极管的5倍。发光部的材料为 InGaAIP,通过改     

信息之窗(二)

超亮AlGaInP发光二极管灯日本夏普公司研制的超亮橙色AIGalnP发光二极管（LED）灯，发射光波长为620urn，发光强度达到300ined或更高。该灯的发光强度为普通GaAsP橙色LED灯发光强度的10倍以上。这种直径5mm的LED灯于1995年度面市，还将有不同型号的橙色LED灯系列和蓝色GaN灯系列一同上市。译自JEI，February1995VX-T14SX1型电视录像组合机日本爱华股份有限公司生产的35cm的VX－T14SXI型高清晰度立体声电视录像组合机，采用单枪3束CRT，G码编程。用户每月可选定8个录像程序和3个电视观看程序。该机调谐器可进行多声频调谐…     

大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术

提出采用 自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题.基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板.采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mmx4.5 mm.在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA.当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08％,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W.     

全色LED照明器

三洋电子公司制成直径5mm 的全色 LED 照明器发出白、红、橙、黄、绿、蓝和紫各色光,这种全色 LED 照明器有亮度为3mcd(正向电流5mA)的磷化镓红色芯片,亮度为8mcd(15mA)的磷化镓绿色芯片和总亮度为1.3mcd(2片40mA)的2片碳化硅蓝色芯片,它们安装在网孔系统中。一红色芯片和一绿色芯片连接于接头的上部,两个蓝色芯片连接于接头的下部,该装置采用4个芯片共用的阳极。     

世界最高亮度1.5cd 绿色LED

日本东芝公司已制成世界最高亮度1.5cd(工作电流20mA 时),波长573mm 的绿色LED(发光二极管)。发光材料采用高效发光的 InGaAIP,另外,器件结构采用高效发光的新结构。以前的绿色 LED 采用 GaP 材料,发光效率受到限制,最高亮度为0.8cd。东芝公司采用以下方法实现高效发光:有效改变电子能态,加一层能转换光的直接过渡型 InGaAIP,采用金属有机物化学汽相淀积法(MOCVD法),在 InGaAIP 层(发光区)的下     

超高亮度10W白光LED

<正> 随着半导体光电器件材料、结构设计、工艺及封装技术的发展,大功率白光 LED 的性能得到了快速发展。这不仅在单颗 LED的功率见长,并且在发光亮度、发光效率上及降低热阻上也有较大进展。本文介绍韩国首尔半导体公司推出的 Z-功率 LED 系列的 W724C0,它是一种超高亮度10W 冷白光 LED。它在2800mA 工作电流时,光通量为700lm(典型值)、900lm(最大值),发光效率可达70-90lm/W,这是目前发光亮度最大的10W     

LED照明市场引爆对LED驱动器的巨大需求

早在2003年,Lumileds Lighting公司的Roland Haitz就提出,LED大约每经过18到24个月可提升一倍的亮度,这就是著名的Haitz定律(图1),也被称为LED行业的摩尔定律.根据这个定律,具有突破性质的亮度达1001m/W的LED约在2008～2010年间出现.实际上,2006年6月日本日亚化学公司就推出1001m/W白光LED工程样品,2007年6月Cree宣布推出在350mA下最小光通量为100lm的高亮度LED.     

奥地利微电子推出超小型8×8矩阵显示LED驱动器

奥地利微电子公司最近推出超小型8×8矩阵显示LED驱动器,型号为AS1116。AS1116的工作电压为2．7～5．5V,工作时最低仅需0．6mA供电电流,而关断模式下仅为200nA。AS1116能以每数字位47mA电流来驱动8个7段数字位,或以氲个LED5.5mA驱动64个独立LED。该驱动器可以通过一个外置电阻来设定电流。AS1116具有±3％的精度,能使备模块之间的亮度差异降至最小,还采用了一个4位PWM来实现全局亮度控制和16位独立调光,提升了LED显示器的画质。     

撷取光明 点亮生活——中电科技集团十三所在LED研制及产业化的新进展

中国电子科技集团公司第十三研究所（简称十三所）是国内最早开展超高亮度LED研制的单位．曾于1996年率先在国内引进了第一台生产型（2400型）MOCVD设备．成立了河北汇能公司光电部，于1998年率先在国内建立了InGaAlP超高亮度LED生产线．建立了河北立德电子有限公司。多年来一直承担国家863计划课题，率先实现了InGaAlP超高亮度LED外延片和芯片的产业化，于2000年完成了InGaAlP超高亮度LED芯片的产品设计定型鉴定，并完成了863“超高亮度LED外延片和芯片的产业化基地”的建设。     

透明导电ITO欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管

提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺.在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反光镜.用Au-Sn合金(Au∶Sn＝8∶2,重量比)作为焊料,把带有金属反光镜的AlGaInP LED(RS-LED)外延片倒装键合到GaAs基板上,并去掉外延GaAs衬底,把被GaAs衬底吸收的光反射出去.与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有分布布拉格反光镜(DBR)的AlGaInP吸收衬底LEDs(DBR-AS-LED)电、光特性的比较,用透明导电ITO做欧姆接触的AlGaInP薄膜RS-LED结构能极大提高光输出功率和发光强度.正向电流20 mA时,RS-LED的光输出功率分别是AS-LED和DBR-AS-LED的2.4倍和1.7倍;RS-LED 20 mA下峰值波长624 nm的轴向光强达到了179.6 mcd,分别是AS-LED 20 mA下峰值波长627 nm和DBR-AS-LED 20 mA下峰值波长623 nm轴向光强的2.2倍和1.3倍.     

发光效率提高10倍的发光二极管阵列

据报道，日本冲电气工业新开发了发光效率提高10倍以上的发光二极管阵列。过去开发的GaAsxP（1－x）LED）阵列，驱动电流为3mA时的每单位电流的发光强度约为5μW。这次开发的LED阵列．在发光层采用了AlxGa（1－x）As材料．在驱动电流4mA条件下．每单位电流的发光强度高达100μW．使用该材料的光波长为750nm。该LED阵列。是采用控制杂质扩散的固相扩散技术形成的．在一块芯片上以21．2μm间距排列了256个LED。发光效率提高10倍的发光二极管阵列@孙再吉     

热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用

设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上.测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350 mA工作电流下正向电压为3.0 V.将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连.     

NS：WEBENCH简化LED设计

由于具有低功耗、寿命长，体积小以及低工作电压等优点，LED的应用越来越广泛。另一方面，LED的驱动电流与电压随着亮度的提升而增大一用作信号灯的LED只需20-30mA的驱动电流，而如今驱动1瓦的LED则需要350mA左右的电流。     

LED汽车前照灯驱动电路设计与仿真

随着大功率LED性价比的提高,输出光流量的增加,使LED应用在汽车前照灯成为可能。在输入电压在10～14V之间变化,负载采用8颗700mA大功率白光LED的条件下确定驱动方式、拓扑结构和调光方式,设计一种基于LTC3783芯片PWM控制LED亮度的恒流I。ED汽车前照灯驱动电路,并用LTspiceIV软件对电路进行了仿真。结果表明,输入电压在10～14V变化时输出电流为一个710mA均值,有0．7％纹波的电流,电流精度为2．1％,输出电压为28．6V,输出功率为20w,电路转换效率为91％。有PWM信号输入时,电路输出一个与PWM信号相同占空比的电流。通过调节PWM信号的占空比实现LED亮度的控制。     

用MOCVD方法生长940nm应变多量子阱发光二极管

采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）方法设计并生长了应变多量子阱InGaAs/AlGaAs,并且对其进行了光致发光（PL）谱、双晶X射线衍射（DXRD）谱和电化学C－V等的测试。然后以InGaAs/AlGaAs作为有源层，以GaAs衬底作为透明衬底，p面金属电极AuBe合金作为镜面反射层，采用倒装技术制备了近红外发光二极管（LED）。在输入电流为20mA下的正向电压为1．2V左右，电致发光谱的峰值波长为938nm,10μA下的反向击穿电压为5－6V，在输入电流为50mA下得出输出功率3．5mW，对应电压为1．3V,在输入电流为300mA时得到最大输出功率为12mW。     

超小型，8&#215;8矩阵显示LED驱动器

AS1116的工作电压为单2．7～5．5V,工作时最低仅需0.6mA供电电流,而关断模式下仅为200nA。其能以47mA／数字位电流来驱动8个7段数字位,或以5．5mA／LED驱动64个独立LED。能够很容易地通过一个外置电阻来设定电流。AS1116具有&#177;3％的极佳精度,使LED及LED模块之间的亮度差异降至最小,从而提升了LED显示器的画质。器件还采用了一个4位PWM来实现全局数字亮度控制和16步长的数字位独立调光。     

高效、高电流的白光LED驱动器

一般白光LED的电流在20mA左右,但高亮度的LED需要200mA￣300mA电流。如果你的产品需要用三至四颗高亮度的白光LED;为了亮度平均,一般的做法都是把它们串连接在一起。市场上绝大部分的白光LED驱动芯片都只能驱动20mA左右。碰上串联大电流LED的应用便要另想办法。Intersil的EL751