一种高阶曲率补偿带隙基准的原理与实现

基于指数型和二阶曲率补偿技术,设计了一个高阶曲率补偿带隙基准.在电路结构上采用电流镜和负反馈回路代替运放反馈回路,不仅避免了运放的失调电压所引起的输出误差和温漂问题,而且使得电路相对简单,更适于电路系统集成.;利用二阶曲率补偿和双极晶体管的电流增益β随温度成指数型变化的规律,对输出电压温度特性进行补偿,提高了的温度稳定性.基于0.6μm BiCMOS工艺设计了基准电路和版图.仿真、测试结果表明:基准在ΔV=2.8V的电源电压幅度范围下,具有0.08mV/V的电源抑制特性.在-55～125℃的范围内Vref的温度系数为5×10-6/℃.     

一种采用全温度曲率补偿的2.2-V 2.9-ppm/℃ BiCMOS带隙基准源

本文提出了一种兼容标准BiCMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过简单的架构产生了一种新型的指数曲率补偿和分段曲率补偿,从而实现了全温度范围内的温度补偿。基于0.6-μm BCD工艺进行验证,实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到2.9 ppm/℃的温度系数,高达85 dB的电源抑制比,并且优于0.318mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗45 μA供电电流。带隙基准源的有效面积为260×240 μm2。     

A 2.2-V 2.9-ppm/℃BiCMOS bandgap voltage reference with full temperature-range curvature-compensation

A high precision high-order curvature-compensated bandgap reference compatible with the standard Bi-CMOS process,which uses a simple structure to realize a novel exponential curvature compensation in lower temperature ranges,and a piecewise curvature correction in higher temperature ranges,is presented.Experiment results of the proposed bandgap reference implemented with a 0.6-μm BCD process demonstrate that a temperature coefficient of 2.9 ppm/℃is realized at a 3.6-V power supply,a power supply rejectio...     

弯曲增敏型光纤曲率传感器的优化分析

为一种直接检测弯曲曲率的光强调制型光纤曲率传感器—它采用弯曲增敏技术提高光纤对弯曲的灵敏度,能区分正向弯曲和负向弯曲,具有线性范围宽、成本低和适合薄结构的埋入式检测等优点建立了数学模型。基于这个模型,讨论了敏感区的光强的调制原理,推导出了光功率损耗与光纤弯曲半径、敏感区几何参数的关系,并通过实验验证了理论分析的有效性,为传感器结构的优化提供了定量依据。     

傍轴黎曼几何光学──V．傍轴光束的空间变换

引入一个复数空间（黎曼空间）和空间变换复数曲率ρｓ．利用该曲率与光束的波面曲率ρｗ相耦合所得的新的复数曲率ρｃ研究了傍轴光束传输的一些问题。     

基于曲面特性的图像非线性扩散滤波

利用扩散滤波进行图像降噪的过程中,一个核心问题是,如何控制扩散系数,使得模型在图像信息位置停止扩散,而在噪声处有效地扩散。为了更好地解决此问题,本文采用了一种新的思想,把图像看作是三维空间的一个曲面,这样可以得到图像曲面的两个基本特性:高斯曲率和平均曲率。为了能够在图像进行扩散滤波处理中有效地利用图像在三维空间中的这些曲面特性,文章分析了已有的基于平均曲率或高斯曲率的非线性扩散滤波模型,总结了平均曲率和高斯曲率的特点,并在此基础上,提出了基于混合曲率的扩散滤波模型;该模型作为一种新的基于曲面特性的图像扩散滤波模型,同时利用了图像的高斯曲率和平均曲率,恰当地融合了两种曲率的特点,能够以相对较快的速度滤除噪声,同时保持图像的细节特征。      

Strain relaxation in Ge0.09Si0.91 epitaxial thin films measured by wafer curvature

Strain relaxation in a 7200Å thick Ge_0.09Si_0.91 epitaxial film grown on (100) silicon has been investigated using wafer curvature measurements. The measurements were performed during heating and isothermal annealing in a vacuum furnace at temperatures up to 900° C. For as-deposited samples, strain relaxation was observed between 600 and 800° C and was governed by dislocation nucleation. For films whose surface had been lightly abraded in order to nucleate dislocations, strain relaxation occurred by dislocation motion in a temperature range between 500 and 650° C. Isothermal measurements of strain relief were obtained at various temperatures and used to test models for the dislocation velocity.     

测量激光器谐振腔反射镜苗率半径的新方法

测量长焦距反射镜的曲率半径，不论是在验证近轴光线球面镜成象公式还是在实践上都有重要的意义。本文给出了一种测定激光器光学谐振器曲率半径的简便方法。在曲率半径是１０米左右时的测量不确定度是１．５％。     

管径和光斑影响激光切割开始瞬间吸收率的分析

从理论上研究了曲率半径 (管径 )和激光光斑直径对 30 4不锈钢管材和板材激光切割时开始瞬间吸收率的影响。结果表明 ,当激光光斑直径d与物体外表面的管径 (曲率半径 )D之比大于 0 86 6时 ,它们对激光切割开始瞬间吸收率的影响不能忽略 ,且随着管径 (曲率半径 )的减小或激光光斑直径的增大 ,激光切割开始瞬间吸收率增大     

一种新颖的低温漂高电源抑制比带隙基准源

介绍了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的高阶曲率补偿、高电源抑制比的带隙基准源。利用三极管电流增益的温度特性来实现低温度系数,并且不需要额外的电路。采用一种新颖的电压预调整器来实现高电源抑制比。结果表明,该带隙基准源在-40 ℃~120 ℃内的温度系数为2.83×10-6/℃,在低频、100 kHz、1 MHz处的电源抑制比分别为-127 、-98、-67 dB。最低工作电压为1.8 V,在1.8~3 V电源电压范围内的线性调整率为4×10-5/V,功耗为57 μW。