用 M500型全视场投影装置制作 NMOS 器件工艺时的全自动对准

为了检验 Pcrkin—Flmer 公司的具有自动对准和自动放大校正功能的500型全视场掩模投影光刻机的性能,我们用各种尺寸的片子对其进行了不同的测验。其模拟测试也是尽可能采用接近 NMOS 片子工艺的方法。其结果证明在5英寸的片子上该光刻机完全可以获得优于±0.25微米(2σ)的全视场对准精度。     

1:1投影光刻机和10:1缩小片子步进机和混合光刻中的图形位置误差

本文主要参照1:1投影光刻机和10:1缩小片子步进机混合光刻中的套刻图形的差异,研究了这两种机器的特征图形位置误差。分析样品采用近年来由那些高度复杂的光刻机的用户所研制成,专用于精确鉴定大量元件的图形与图形之间的套准误差。通过使用这些样品和数据,就可以看出怎样使这两种类型的曝光设备能够成功地用于经济而有效地制作苛刻图形的器件。对于现今的高密度器件的制造来说,采用一次性全片对准的片子步进机与1:1投影光刻机的混合曝光方法是完全可以胜任的。并研究出了一个用于10:1片子步进机,1:1投影光刻机,以及用于这两种设备混合曝光的实际生产套刻值的预算表。     

NIKON公司已向世界投放2600台步进机

<正> 继GCA公司1976年发明步进投影光刻机之后,日本NIKON公司于1979年下半年也开始了这种新型曝光设备的研制,1980年底推出了第一台10:1缩小投影片子步进机NSR—1010G。该公司充分发挥其先进的光学加工技术优势,采用了自己制造的数值孔径达0.35的高性能镜头,在成象能力上较GCA4800机镜头(NA0.28)技高一筹,因而很快占领了市场,形成批量生产。     

Optistep系列分步重复投影系统

美国加利福尼亚洲的Optimetrix公司最近研制成功Optistep系列分步重复投影曝光系统。该系统包括三台设备,即8010型10:1直接在片子上曝光系统和,8007型7:1直接在片子上曝光系统和8001型1:1投影曝光系统。 8010型10:1曝光系统是一台能直接同GCA公司的Mann4800DSW系统相竞争的设备,它采     

M552型全自动投影光刻机

<正> 世界上很多半导体器件制造厂广泛使用的1:1扫描投影光刻机已成为一种主要的光刻设备。但是,随着以256K 动态 RAM 为代表的真正超 LSI 的正式投产,对光刻设备提出了更高的分辨率,更严格的对准确精度。而以往的1:1投影光刻机,有些地方已无法满足上述要求。珀金·埃尔默公司在多年技术积累和经     

OST-1型一步法投影光刻机、Stepper亚微米光刻镜头、氦-氖双频激光干涉仪在沪通过鉴定

中国科学院上海光机所研制的OST-1型一步法投影光刻机、Stepper亚微米光刻镜头和氦-氖双频激光干涉仪于1987年10月28日在沪同时通过鉴定.鉴定会由中国科学院上海分院主持.OSP-1型一步法投影光刻机采用王之江教授设计的投影物镜,经特殊光学工艺制造而成.它可在大于φ50mm(2时)的硅片上光刻.工作线宽优于4μm、套刻精度1μm; 放大倍率1:1;相对孔径     

SUSS Micro Tec推出面向LED市场的专用光刻系统

用于生产高亮度LED的全自动光刻机MA100e Gen2问世 全球知名的半导体行业及相关设备和工艺解决方案供应商SUSSMicroTec日前推出新一代MA100e光刻机,专用于高亮度发光二极管（HB—LEDs）生产。MA100e基于SUSS Micro Tec光刻机经典设计,具有最大至100mm（4英寸）的载片能力,每小时产量可达145片,业界领先。     

套刻精度为±0.5μm的投影光刻机

<正> Perkin-Elmer公司宣布:他们已试制出二种先进的掩模投影光刻机——Micralig n500型(每小时能处理5英寸的硅片100枚)和Micralign300型(每小时能处理4英寸的硅片60枚左右)。据该公司说,这二种设备的套刻精度均为±0.5um。Micralign500型的分辨率为0.9～1.25μm,这主要随工作波长而定(在紫外线谱带内)。基本价格为68万美元。Micraligu300型的分辨率为1.125～1.25μm,也随工作波长而定。基本价格为29万5千美元。Perkin-Elmer公司声称:Micralign300型的生产率     

先进封装投影光刻机

随着先进封装技术的发展,对光刻的要求（CD均匀性、套刻精度等）将逐渐提高,当硅片尺寸逐渐增大到8英寸乃至12英寸时,步进投影式光刻机更具吸引力。SS B500系列先进封装步进投影式光刻机经过优化设计与改良,逐步具备良好的Bump等工艺适应性,并开始进入集成电路先进封装市场。作为精密而复杂的半导体制造设备,本文以实测数据表明SS B500／10A已实现良好的整机性能。     

缩小投影曝光技术

<正> 高速化、高集成化的迅猛发展把微细加工技术推向更加重要的位置,能进行微细加工的半导体设备不断出现,尤以光刻技术为最,其进展之快也是惊人的。历来都是采用光掩模和片子接触曝光法,近期出现了使用正性抗蚀剂的1:1投影曝光方法。但是,要制造设计规则为2微米以下的半导体器件,使用以往的光刻机,无论是分辨率还是对准精度都难于实     

SSB500系列步进投影光刻机

国家重点新产品:SSB500步进投影光刻机上海微电子装备有限公司(SMEE)主要致力于量产型IC制造、先进封装、3D-TSV、MEMS、OLED-TFT制造等领域的投影光刻机系列产品的研发、制造及销售,公司目前拥有600系列IC前道扫描光刻     

通过滤光改进远紫外线曝光的边缘锐度

<正> 以前报导过用较短的波长曝光能够增加投影光刻机的调制传递函数,因而能有效地提高光刻机的分辨率。本文在上述前提下就边缘锐度的问题发表一些看法。 F/3型投影光刻机经改进后能在275nm～325nm范围内曝光,而且在标准工艺条件下,用重氮型(Shipley)光致抗蚀剂AZ-2400可曝出1μm的图形。硅衬底上有720nm厚的湿法生长氧化物。     

BG—101J型分步光刻机实用化成果鉴定会概况

ＢＧ—１０１Ｊ型分步光刻机实用化成果鉴定会概况ＢＧ—１０１Ｊ分好重复投影光刻机实用化是国防科工委和电子部下达的“八五”重点型谱攻关项目，其主要内容是采用电子工业部第四十五研究所研制的分步投影光刻机制做ＬＣ８０Ｃ８６系列军用微机电路。项目从１９９１年８...     

卡诺FPA__1500型缩小投影光刻机

<正> 为了迎接256KDRAM正式大批量生产的到来,就要搞清楚做为关键生产设备——缩小投影光刻机的性能及光刻技术极限,人们对这种对未来生产具有潜力的设备寄于很大希望。在这种情况下,用户要求这种设备具有更高的分辨能力,更好的对准精度,更佳的生产效     

用于投影光刻机掩模自动对准的锁相干涉技术

<正> 本文叙述了用于投影光刻机中的一种掩模对准技术。在片子与掩模的对准中,通过一种锁相干涉法确定其偏移量。此方法采用的对准图形是一种交叉的栅格,用氦氖激光束照明。经过衍射和干涉后得到了一种谐波强度信号,信号的相位表示了掩模与片子的相对位移。用一个电流计扫描仪驱动一块可倾斜的玻璃片来实现相位调制和精密对准。包括套准和精密对准在内总的对准操作用一个PC单元控制,具有毫微米的套准精度和低于0.3秒的对准周期。此方法特别适用于缩小步进投影光刻机中的逐场对准。最后讨论了其理论研究与试验的结果。     

芯片商茂德设备抵达重庆08年首季将投产

据报道，日前，芯片制造商茂德通过我国中国台湾地区“中华航空公司”的货机将台北新竹工厂的8英寸芯片生产设备空运至重庆的渝德工厂开始安装，预计该厂明年第一季度将投入生产。据悉，8英寸芯片生产设备包括步进光刻机（STEPPER）、化学沉积及刻蚀设备等。     

投影光刻机在先进封装中的应用

随着先进封装技术的发展,对光刻的要求(CD均匀性、套刻精度等)将逐渐提高,当硅片尺寸逐渐增大到200mm(8英寸)乃至.300mm(12英寸)时,步进投影式光刻机在全片一致性上的优势更明显。SS B500系列先进封装步进投影式光刻机具备良好的RDL、Bump等工艺适应性,分析了CD及套刻的影响因素,阐述了绝对套刻测量的意义,并以实测数据表明SSB500/10A已实现良好的整机性能。     

投影光刻技术在大生产中的应用

一、引言1992年为了建立一条3μmr技术的试验线，双极事业部引进了两台PE－340HT投影光刻机，于1993年4月安装调试完毕，投入使用。由于3Pm试验线为正胶工艺，品种少，也不能形成大生产。为提高设备的利用率，同期着手将PE－340HT投影光刻机应用于负胶SPin工艺的大生产中，以克服接触式光刻图形尺寸均匀性差、缺陷多的缺点，从而提高采用负胶工艺的产品、尤其是象二片机之类的高要求产品的工艺一致性。二、设备简介PE－340HT是美国Perkin－Elm。r公司80年代初的产品，处理圆片最大尺寸为4英寸，当时广泛用于64K存贮器的生产，为标准…     

NSR-1755i7A投景光刻机自动对准故障分析

在半导体设备当中投影光刻机应是最为精密复杂的设备,其维修工作具有高度的技术性。论述了NSRl755i7A投影光刻机自动对准系统的工作原理,并分析了两例自动对准系统故障和排除故障的过程。最后提出对此类故障检查的一般原则。     

微电子设备简讯

佳能(美国)公司推出FPA-2500i3型i线步进式光刻机最近,佳能(美国)公司向市场推出FPA-2500i3型i线步进式光刻机。这种光刻机适于64-MbitDRAM的生产,具有0.6数字孔径和20mm~2成象视场。采用CQUEST改进照明技术,其分辨率可达<0.35μm(i线光源)和<0.30μm(深紫外线光源)。这咱i线步进式光刻机,可装配6英寸的高速变换装置,这种变换器可存放掩模原版多达29块。采用标准结构,无论是150mm或200mm硅片均可进行曝