JB-Ⅴ型红外光刻机总体设计

本文概述了红外对准光刻机的对准原理,分析了微动工作台的特点,对本机的电控系统及红外对准光学系统、曝光系统都作了探讨与总结、对机器总体结构及应用效果也作了叙述。     

含特异材料缺陷层一维光子晶体多缺陷现象及其内部场分布

通过数值模拟和理论分析含特异材料缺陷层一维光子晶体中特异材料折射率与缺陷模式的关系,从而发现调节特异材料折射率可以得到不同状态的振荡透射模。同时还分析了保持特异材料折射率不变的情况下其它材料折射率改变对缺陷模式的影响,理论模拟了含特异材料缺陷层一维光子晶体内部场分布,从而可以非常清晰地再现缺陷模式的局域特性。     

机器人手臂数字化制造技术研究

为了实现机器人手臂的快速制造,介绍了一种机器人手臂的数字化制造方法。与基于二维图纸和铸造经验的传统铸造不同,机器人手臂的数字化制造全流程都是在三维CAD模型的驱动下,实现了铸造工艺模拟优化以及铸型的无模数字化切削加工制造。与传统铸造相比,将基于经验的定性铸造工艺变为基于数值模拟的定量铸造工艺,将基于模具的有模铸造变为基于铸型数控加工的无模铸造,时间更短,成本更低。     

酒店业如何增加毛巾使用寿命

据调查显示,在众多类别的酒店用品中,客人对毛巾和厨具的关注程度最高.如果酒店毛巾的用料及布质讲究,每天洗濯仍洁白如新,无疑会给入住的宾客留下美好的印象.毛巾已是各酒店洗衣房中的重点清洗对象. 　　……     

用于5英寸圆片的掩模对准技术

年轻的集成电路技术,其技术革新快,并且经济效果大。目前人们正以片子的大型化和图形的微细化手段提高集成度,追求其经济效果。本文叙述一下卡诺公司为实现最经济的2微米掩模对准技术而研制的“卡诺PLA-500FA”设备。该设备的优点在于能使接近式、软接触式、接触式三种曝光方式互相转换,能根据所需要的分辨率选择曝光方式。此外,又由于采用深紫外线光源,选择接近式能曝光2微米的线条,选用接触式能曝光亚微米图形。再者,设备上还装有激光束扫描的高精度检测自动对准系统。程序控制采用微电子计算机,从而提高了可靠性和保证系统的运     

通过滤光改进远紫外线曝光的边缘锐度

<正> 以前报导过用较短的波长曝光能够增加投影光刻机的调制传递函数,因而能有效地提高光刻机的分辨率。本文在上述前提下就边缘锐度的问题发表一些看法。 F/3型投影光刻机经改进后能在275nm～325nm范围内曝光,而且在标准工艺条件下,用重氮型(Shipley)光致抗蚀剂AZ-2400可曝出1μm的图形。硅衬底上有720nm厚的湿法生长氧化物。     

X射线曝光

近年来,随着技术的发展,在半导体大规模集成电路、磁泡、光集成电路及表面波器件等多种器件领域,亚微米加工技术已成为提高器件特性的有效手段。作为最适用的装置是由扫描型电子显微镜发展起来的电子束扫描装置。现在,国内外对电子束扫描装置都在着力研究,其成果将陆续有报导。但是,由于扫描很费时间(≥数十小时/片),目前还不能用电子扫描装置直接扫描大量的片子,它的作用还只限于制备掩模图形。对于由电子束扫描装置制备出的高精度掩模图形,为使其能在较短时间内在片子上曝光而不致降低精度,这就需要一种新的     

关于提高接触式光刻机套刻精度的几个问题

随着半导体技术突飞猛进的发展,对于制造半导体器件的重要工艺——光刻工艺的要求也越来越高。这些要求中“关于如何提高接触式光刻机套刻精度问题”已成为当前设计新的接触式光刻机的焦点。本文仅就这个问题谈一些粗浅看法。一、目前光刻机发展概况从目前光刻机发展趋向来看,曝光光波越来越短。因为光刻图形分辨率与所用曝光光波的长度的平方根成正比,所以总的趋向是改变曝光的光源。由于它的改变又引起曝