电荷转移组合薄膜的光电导性质研究

C60作为一种新型材料，由于其独特的电子结构，具有较大的电子亲和势（~2．6eV），是一种优良的电子受体，接受电子可多达6个，而PVK的电离势为Ip=5．9eV，是较好的电子给体，将C60掺杂到PKV中去，可以极大地提高PVK的光电导性能，而我们用新型的制膜技术制备薄膜的结果表明，PVK／C60分层膜的光电导可以有几个量级的增强。我们采用物理喷束波积制膜技术（PJD）装置，安装有两个喷束头，待镀材料C60和PVK分别受热蒸发，再由惰性气体挟带C60和PVK分子喷镀到基片上，通过转动样品架，可以获得混合、分层、单层等多种系列薄膜。通…     

脉冲激光纳米薄膜制备技术

脉冲激光薄膜沉积（ＰＬＤ）是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了该技术的物理原理;探讨了脉冲激光沉积制膜的物理过程,激光作用的极端条件及等离子体羽辉形成的控制对薄膜成长的影响;评价了脉冲激光沉积技术在多种功能材料薄膜,特别是纳米薄膜及多层结构薄膜的制备方面的特点和优势,结合自行研制的设备,介绍了在ＰＬＤ基础上发展起来的兼具分子束外延（ＭＢＥ）技术特点的激光分子束外延技术（Ｌ－ＭＢＥ）,指出脉冲激光沉积技术在探讨激光与物理相互作用和薄膜成膜机理方面的作用,尤其是激光分子束外延技术在高质量的纳米薄膜和超晶格等人工设计薄膜的制备上显现出的巨大潜力。     

聚乙烯咔唑／铟锡氧化物的界面分析

用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑(PVK)薄膜的表面形貌和PVK／铟锡氧化物(ITO)界面电子状态。结果表明，PVK分子虽然体积较大，但分布较均匀。XPS数据显示，在界面处PVK分子骨架和SnO2分子结构几乎没有发生变化，但PVK分子的侧基和In2O2分子结构发生了变化，因为界面处存在大量的，不能用制备过程的空气污染来解释的C-O键；在界面处，In2O3分子部分分解，所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C—O键；所产生的In原子则扩散至PVK内部。     

影响1.06μm光学薄膜激光损伤因素的实验研究

本文对光学薄膜淀积过程中真空室的真空环境对薄膜激光损伤的影响了理论与实验方面的分析，对分子泵，扩散泵真空系统及扩散泵＋离子束辅助淀积（ＩＡＤ）制备出的膜系样品所进行的损伤实验表明，分子泵系统制备出的薄膜显示出较高的损伤阈值。     

基于PVK/PbS纳米晶有机无机复合薄膜电双稳器件性能研究

通过简单旋涂方法,制备了一种基于硫化铅（PbS）纳米晶与聚乙烯基咔唑（PVK）的有机/无机复合薄膜电双稳器件,并对所制备的器件进行性能测试及其电荷传输机制研究。首先采用热注入的方法制备了尺寸均一的立方形PbS纳米晶,然后将PbS纳米晶与PVK聚合物混合作为活性层材料,制备了有机/无机复合薄膜电双稳器件。该器件展示了良好的电双稳特性并且可以实现稳定的“读-写-读-擦”操作。器件的最大电流开关比能够达到10⁴。并进一步对器件在正向电压下的I-V曲线进行了理论拟合,发现在不同电流传导状态下,器件符合不同的电传导模型。进而分析了该电双稳器件中的电荷传输机制,认为在电场的作用下,发生在纳米晶与聚合物之间的电场诱导电荷转移是产生电双稳特性的主要原因。     

PPV/C_(60)组合薄膜的制备和光学性质研究

ＰＰＶ材料是一种具有共轭双键的高分子聚合物，与无共轭性的ＰＶＫ材料相比，其给电子能力较强，而且载流子的迁移率也较大；而Ｃ６。分子具有较大的电子亲和势，易于接收电中．如果Ｃ。。与具有给电子性的材料相结合，则可构成一种给体一受体体系，即Ｄ－Ａ结构．在其中可以得到显著的电荷转移（ＣＴ）过程．这对于制备基于ＰＰＶ的多种光电器件无疑是很重要的．为此我们对ＰＰＶ／Ｃ６。组合体系材料进行了制备和研究．我们对键合有不同侧链的几种ＰＰＶ衍生物和Ｃ６。的组合材料进行了吸收、荧光和光电导测量．对于可溶性的ＰＰＶ材料，…     

金刚石镶嵌非晶碳膜和类金刚石薄膜的场致电子发射研究

报道了在钼衬底上利用微波等离子体化学气相淀积技术制备金刚石镶嵌非晶碳膜，在硅衬底上用脉冲激光淀积技术（pulsedLaserDeposition）制备类金刚石薄膜，并对其场发射特性和机理进行了进一步的研究。用金刚石镶嵌非晶碳膜作阴极，在2．1V／μm的场强下便有电子发射，最大发射电流密度为4mA／cm2。实验表明，金刚石镶嵌非晶碳膜是制做场效发射冷阴极的合适材料。     

激光分子束外延制备氧化物薄膜研究

激光分子束外延（LaserMBE）集PLD方法的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，不仅可以生长通常的半导体超晶格材料，尤其适于制备多元素、高熔点、复杂层次结构，如超导体、光学晶体、铁电体、田电体、铁磁体以及有机高分子等薄膜，同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究．激光分子束外延是近几年才出现，具有重要学术意义和广泛的应用前景，现正在发展和完善的一种高精密新型制膜技术．经过两年多的多方合作与共同努力，由物理所牵头与沈阳科仪研制中…     

BaTiO3铁电纳米膜制备及物性和微结构表征

采用脉冲激光淀积法在硅基氧化铝纳米有序孔膜版介质上（膜版孔径平均尺寸20nm,内生长Pt纳米线作为底电极一部分）制备了BaTiO3铁电纳米膜,并对其物性（铁电和介电性能）和微结构进行了表征。结果表明厚度170nm BaTiO3铁电膜的介电常数,随着测量频率的增加（103Hz至106Hz）,从400缓慢下降到350;介电损耗在低频区域（103～105Hz）从0.029缓慢增加到0.036,而在高频率区域（〉105Hz）后,则迅速增加到0.07。这是由于BaTiO3铁电薄膜的介电驰豫极化引起的。电滞回线测量结果表明,该薄膜的剩余极化强度为17μC/cm2,矫顽场强为175kV/cm。剖面扫描透射电子显微镜（STEM）图像表明,BaTiO3纳米铁电薄膜与底电极Pt纳米线直接相连接,它们之间的界面呈现一定程度的弯曲。选区电子衍射图和高分辨电子显微像均表明BaTiO3铁电薄膜具有钙钛矿型结构。在BaTiO3纳米铁电薄膜退火晶化处理后,部分Pt纳米线的再生长导致顶端出现分枝展宽现象。为了兼顾氧化铝纳米有序孔膜版内的金属纳米线有序分布和BaTiO3纳米薄膜结晶度,合适的退火温度是制备工艺过程的关键因素。     

C60聚氨酯胺薄膜的非线性光学特性的研究

利用Z扫描技术，分别测量了五种C60聚氨酯胺薄膜（C60含量分别为0％、0．16％、0．30％、0．42％、0．52％，厚度均为0．3mm）的非线性光学吸收系数和折射系数，并研究了该薄膜的光限幅特性。实验表明：随着样品中C60的含量由0增加到0．52％，薄膜的透射率可由70％逐渐减小到10％，且透射光功率可限制在25mJ／cm^2以下。薄膜的透射率或透射功率可以随C60含量不同而改变，即薄膜的光限幅性能可以通过调节C60含量的方式加以控制。最后，基于C60分子的五能级模型，采用激发态吸收（反饱和吸收）物理机理解释了薄膜的非线性光学特性及光限幅性能。     

反应式脉冲激光溅射淀积AlN薄膜化学稳定性研究

就反应式脉冲激光溅射淀积制备氮化铝薄膜的过程，讨论了激光脉冲能量密度及脉冲频率对所有制备薄膜结构性能的影响，并对薄膜的化学稳定性作了比较详细的研究，结果表明，当薄膜中存在有未反应的单质铝时，薄膜的化学稳定性较差。比较而言具有高取向性，择优生长的致密ＡＩＮ微晶膜的化学稳定性优于结构相对疏松的非晶膜。     

LD泵浦全固体激光器用光学薄膜的研究进展

介绍了二极管泵浦固体激光器（DPSSL）使用的一系列光学薄膜。由于DPSSL的泵浦波长与输出波长不同，泵浦方式、腔型结构及使用的激光材料种类繁多，因此所涉及的薄膜类型也多种多样，包括许多新型截止滤光片、增透膜、高反膜和偏振膜等。分析了此类薄膜元件设计和制备中的关键技术难题，同时对该领域国内外的研究现状进行了报道。     

掺杂Ag对溶胶-凝胶法制备TiO_2薄膜微晶结构与光学性能及光催化性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了TiO_2和Ag掺杂的TiO_2薄膜,不同的Ag掺杂浓度会形成不同的微观结构。当以较低摩尔浓度(<15%)掺杂Ag时,可以观察到微晶尺寸发生了变化,掺杂破坏了O—Ti—O键的同时形成诸如Ag—Ti—Ag键等其他化学键,与相应的纯锐钛矿膜相比,Ag掺杂减小了微晶尺寸,通过SEM成像可以观察到微晶尺寸的差异。这种晶体结构降低了TiO_2的禁带宽度,增加了TiO_2薄膜的透射率。Ag掺杂方便转移光生电子和空穴,降低了复合几率,有利于生成具有高光催化活性的O_2~-和·OH,显著提高TiO_2材料的光催化性能。     

由时间飞行光谱技术测量激光制膜过程中出射粒子的飞行速度

激光烧蚀沉积法是近几年迅速发展起来的新型高温超导薄膜以及超导微电子器件制备的一项重要工艺。实验研究表明,采用这种沉积方法能够实现超导薄膜的原位低温外延生长,进而易于获得性能优良的超导膜,其原因除了在制膜过程中靶面上各种元素具有     

MCM—D介质膜及通孔工艺技术

MCM—D中薄膜介质层主要是用于多层布线的层间绝缘及埋置电容器介质层。介质膜的制备及刻蚀工艺是（MCM—D）薄膜多层布线工艺的基础和关键技术。聚酰亚胺具有高热稳定性、低介电系数、良好的平坦性及可加工性，是用的最多的薄膜介质材料。本文通过对聚酰亚胺的选择、旋涂、固化工艺控制解决了聚酰亚胺介质膜的制备及稳定性难题。通过精确控制腐蚀时间来实现通孔的湿法刻蚀。     

烧结温度对BaxSr1-xTiO3薄膜性能的影响

Ba、Sr0.3TiO3具有优良的介电和热释电性质，特别是可以通过改变组分来调节居里点，使其在动态随机存储器（DRAM）和红外探测器方面有着广泛的应用前景。制备薄膜的方法很多，如射频磁控贱射法、激光沉积法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶（Sol-Gel）法等。本文用溶胶-凝胶法以乙二醇甲醚为溶剂制备出BST薄膜，并用SPM对BST薄膜进行表征，得出对薄膜进行热处理的最佳条件及掺杂对薄膜表面形象的影响。     

激光能量对脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜性能的影响

脉冲激光沉积技术(PLD)易于获得高质量的氧化物薄膜已成为一种重要的制备ZnO薄膜的技术.采用脉冲激光沉积(PLD)(KrF准分子激光器:波长248 nm,频率5 Hz,脉冲宽度20 ns)方法在氧气气氛中以高纯Zn(99.999%)为靶材、在单晶硅和石英衬底表而成功生长了ZnO薄膜.通过X射线衍射仪、表面轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究,分析了激光能量变化对其性能的影响.实验结果表明我们使用PLD法可以制备出(002)结晶取向和透过率高于75%的ZnO薄膜,激光能量为450 mJ的ZnO薄膜的发射性能较好,但激光能量的增加不能改善薄膜的透光率.     

脉冲激光沉积工艺

脉冲激光沉积是一种新型沉积工艺，跟其它沉积工艺相比它具有许多的优点，这是因为在沉积过程中其靶材料的相对原子浓度可保持不变，从而可制备出理想配比的沉积薄膜。本文介绍了采用这种脉冲激光沉积工艺制备而成的新型ＺｎＯ：Ｇａ透明导电薄膜，以及Ｚｎ－Ｇａ２Ｏ４和Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ荧光薄膜。     

类石墨薄膜的场致电子发射研究

利用脉冲激光烧蚀技术在硅衬底上制备了类石墨薄膜，以该薄膜为阴极进行了场致电子发射实验。当在阴阳极之间加电场后，两极之间出现了放电现象。放电之后．类石墨薄膜的阈值电场大大降低了．当电场为20V／μm时．该薄膜的发射点密度可以达到10^6/cm^2。利用Raman光谱、扫描电镜和X射线光电子谱对薄膜的表面形貌和微结构进行了测试．薄膜中的类石墨微结构对该薄膜的场致电子发射特性起了促进作用．场致电子发射实验显示类石墨薄膜作为冷阴极电子材料具有潜在的应用价值。     

有机半导体波导和双异质结构器件的激光作用

自60年代后期首次演示接染料凝胶和分子晶体的激光作用以来，固体有机材料光泵所产生的受激发射已变得众所周知。对该领域的兴趣也因聚合物有机薄膜和轻分子量有机薄膜的高效、长寿命和很强电致发光的演示而复苏，此种现象象征着这些材料具有产生激光作用的可能性。最近对光泵聚合物几个研究的报导意味着有激光发射的现象。这里介绍圆盘波导和双异质结构中光泵真空淀积有机分子薄膜时产生激光作用的明显证据。在有机导电薄膜中实现激光作用将开辟发展新一类电泵浦激光二极管的道路。根据如下五个现象可对激光发射（与放大自发辐射不同，这里…