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相似文献
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1.
以钛酸四丁酯、乙酸钡和乙醇为原料,分别以Fe(N O 3)3.9H 2O和La(N O 3)3.6H 2O为Fe3+和La3+源。按照化学配比式(Ba1-3xLa2x)(Ti1-3xFe4x)O 3(x=0.0025、0.005、0.0075、0.01)的要求设计试样组成。采用溶胶-凝胶法制备了Fe3+/La3+共同掺杂BaTiO 3粉体。分析讨论了工艺参数(pH、温度)对掺杂La3+/Fe3+BaTiO 3溶胶凝胶体系的影响。在1250~1300℃烧结(Ba1-3xLa2x)(Ti1-3xFe4x)O 3陶瓷,发现随着掺杂量的增加,相应的烧结温度随之上升。用TEM、SEM、X R D等手段对微观结构和组成进行了分析。组成为(Ba0.9925La0.005)(Ti0.9925Fe0.01)O 3时,在1260~1280℃烧结2h下,可以使得致密度较高;颗粒粒径在1μm左右,在0~80℃温度范围内1,kH z测试频率下可以获得介电系数为2800,电容变化率△C/C25℃为1%的BaTiO 3陶瓷。  相似文献   

2.
采用固相合成法制备了Ba1–3x/2Lax(Mg1/3Ta2/3)O3陶瓷,研究了La掺杂对钽镁酸钡的结构和微波介电性能的影响。结果表明:A位取代能改进其烧结性能。在x≤0.02时,烧结样品为单相的钙钛矿结构,B位离子1:2有序;当x〉0.02时出现第二相Ba0.5TaO3。B位离子有序度随着x的增大先增加后减小,在x=0.04时出现最大值。x≤0.02时介电常数变化较小,而后其值逐渐增大。品质因数与谐振频率的乘积(Q×f)值随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时取得最大值;谐振频率温度系数(τf)值随着x增大而增大。  相似文献   

3.
过量TiO2助烧剂对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷晶粒生长的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用电性能测定和微观结构分析等方法研究了过量TiO2助烧剂对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷晶粒生长的影响.结果表明:对于Ba0.998La0.002TiO3陶瓷在有液相参与烧结的晶粒溶解-淀析过程中,晶粒生长的必要条件是不仅要有液相的形成,而且BaTiO3晶粒必须在液相中有一定的溶解度.由于BaTiO3晶粒在Ba6Ti17O40和Ba2TiSi2O8液相中有足够的溶解度,促进了晶粒的生长,同时旌主掺杂离子进入晶格而释放氧,形成半导性的陶瓷,而BaTiO3晶粒不能溶解于Ba2Ti2SiP2O13液相中,抑制了晶粒的生长.  相似文献   

4.
含铋BaTiO3基PTC陶瓷半导化研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用zBi4Ti3O12+(1-z)BaTi1-xLaxO3系统,按照传统的氧化物工艺制备陶瓷样品,分析La掺杂量对陶瓷电阻率的影响.采用两种气氛烧结:在空气中和在还原气氛中烧结,分析烧结气氛对陶瓷半导化的影响.结果表明:BaTiO30.2%La2O3制备Ba0.998La0.002TiO3时,没有加入促进烧结的液相添加剂,使得烧结温度很高1 350℃.在制备zBi4Ti3O12+(1-z)Ba0.998La0.002TiO3时,在空气中烧结,任何配比下都无法实现半导化样品,但在氮气中无论裸烧还是埋烧,均是配比为0.3:0.7时的样品显现出较好的半导化效果.  相似文献   

5.
采用非均相共沉淀法制备Ba Ti2O5粉体,以固相烧结法制备了Cu O和B2O3复合掺杂的Ba Ti2O5陶瓷,并对样品进行了XRD、SEM表征和电性能测试。结果表明:掺杂后制得的Ba Ti2O5陶瓷在1100℃烧结2 h的致密度达到96.71%,晶粒发育较完整,在室温下具有良好的铁电滞后特征,在测试频率1 KHz时,Ba Ti2O5陶瓷的介电常数为εr=71.96,说明在烧结过程中加入复合烧结助剂Cu O和B2O3可以促进液相形成并减少了气孔率,从而提高了陶瓷的致密度和介电性能。  相似文献   

6.
以Ca(NO3)2.4H2O、Cu(NO3)2.3H2O、La(NO3)3、Ti(OC4H9)4为先驱体,利用溶胶-凝胶法合成了Ca0.9La0.2/3Cu3Ti4O12陶瓷粉体,研究了不同物相和粒径粉体的烧结特性以及陶瓷的介电性能和非线性性能。结果表明:干凝胶的煅烧温度低于450℃时,所得粉体主要为无定型态;煅烧温度超过500℃后,晶相开始大量形成;当以无定型粉体或500℃煅烧获得的细小粒径粉体为原料时,均难以获得致密结构的陶瓷;形成完整的粉体原料晶相以及粒径的增大,有利于陶瓷体的致密烧结及电性能的提高。粒径为250~350 nm的陶瓷粉体,在1050℃烧结后获得良好的电性能:介电常数εr=42748,非线性系数α=3.55。  相似文献   

7.
采用固相反应法制备斜方晶系钙钛矿结构Ca07Ti07La0.3Al0.3O3微波介质陶瓷,研究了Al3+、Ca2、Ba2+和La3+离子掺杂对CTLA陶瓷微观组织结构和介电性能的影响.研究结果表明不同掺杂离子对于CTLA陶瓷的微观结构和介电性能有很大的影响,不同离子掺杂CTLA陶瓷的晶粒尺寸、气孔率、晶界析出相有很大的不同.Al3+、Ca2+、Ba2+和La3+离子掺杂可以有效降低CTLA陶瓷的谐振频率温度系数,但Ca2+、Ba2+离子掺杂同时也降低了CTLA陶瓷的致密度和Q×f值,Al3+、La3+离子掺杂不仅有效提高了CTLA陶瓷的致密度和Q×f值,并且有效降低了谐振频率温度系数.适量掺杂La3离子可以有效促进CTLA陶瓷的致密化,提高了CTLA陶瓷的微波介电性能.掺杂0.15mol% La3+的CTLA陶瓷在4.7 GHz下测试介电性能为:εr=48.39,Q×f=32560 GHz,τf=23.68 ppm/C.  相似文献   

8.
采用溶胶-凝胶法合成了Ni-Mn共掺杂Ba Ti O3纳米粉体,同时研究了工艺参数对其形貌的影响。通过X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征手段,分析了Ba Ti O3纳米粉体的结构和组成。实验结果表明,该方法可以制备出单纯的立方相,粒径均匀,颗粒大小在250 nm左右的Ba Ti O3纳米粉体,适量Ni-Mn共掺杂不仅能保持Ba Ti O3立方晶格的稳定性,还能抑制杂质Ba CO3的形成。  相似文献   

9.
采用传统固相法制备了Bi4Ti3O12掺杂的MgTiO3陶瓷,研究了其对MgTiO3陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响。通过测试分析发现,Bi4Ti3O12不仅可以显著降低陶瓷的烧结温度,同时还可以大大提高其介电常数,当Bi4Ti3O12/MgTiO3摩尔比为0.02时,MgTiO3-0.02Bi4Ti3O12陶瓷的最佳烧结温度为1 150℃,介电常数为31.99。  相似文献   

10.
采用溶胶-凝胶法合成了Fe和La共掺杂BaTiO_3基陶瓷,并且用XRD与SEM对所合成的样品进行分析表征。考察了Fe和La掺杂量对BaTiO_3基陶瓷的相组成、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明:BaTiO_3基陶瓷均呈现单一的钙钛矿结构;随着Fe和La的掺杂量的增加,BaTiO_3基陶瓷从四方相转变为立方相,陶瓷的晶粒尺寸呈现增大的趋势,室温介电常数先增大后减小,而室温介电损耗随着Fe和La的掺杂量的增大几乎没有影响。当Fe和La的掺杂量各为4mol%时,室温介电常数达到最大值6333,介电损耗较小约为0.016。  相似文献   

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