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1.
随着微电子技术的快速发展,电子元器件日益向微型化、集成化以及高频化方向发展。电子浆料作为电子元器件的关键材料,发挥着越来越重要的作用。玻璃粘结剂是电子浆料的重要组成部分,在电子浆料中占据重要位置。通过介绍广泛应用于电子行业的Au、Ag、Cu、Al、Ni、Zn等电子浆料研究应用现状及其特点,总结了广泛应用于电子浆料的玻璃粘结剂的种类和特性,并重点讨论了玻璃粘结剂的性能对电子浆料研究应用的影响。最后,结合电子浆料用玻璃现状,介绍了电子浆料用玻璃的发展趋势。  相似文献   
2.
为改良微晶玻璃结合剂,以熔融法制备锌铝硼硅系微晶玻璃,研究硼硅比和烧结工艺对其热学、力学性能,析晶行为,显微结构及对磨料的润湿性的影响。发现:硼含量增多,锌铝硼硅系玻璃的热膨胀系数升高、耐热性下降、抗弯强度先升高后降低;硼含量过高时,结合剂完全包覆磨料,不利于磨削加工。另一方面,硅含量增多,玻璃的黏度增大、对磨料的润湿性能变差;硅含量过高时,试样抗弯强度不足。ZABS系微晶玻璃的最佳配比wB:wSi=1:1。热处理工艺为710℃时保温2 h,得到的试样的热膨胀系数为5.132 7×10-6℃-1,抗弯强度达78 MPa,对磨料的润湿性好。   相似文献   
3.
采用固相合成法,通过控制烧结温度和烧结时间,成功制备了单相Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷。采用XRD、SEM研究了Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的物相组成和微观结构,采用平行板谐振法测试了Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的微波介电性能。结果表明,单相Ba2Ti9O20微波介质陶瓷具有均匀一致的等轴晶,过高或过低的烧结温度将导致柱状BaTi4O9晶出现。1 360℃烧结4.5 h制备的Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷介电性能为:?r=39.53,Q?f=33 800 GHz,τf=1.68×10–6/℃。  相似文献   
4.
研究了各参数对燃烧合成长柱状Ybα-Sialon相组成及形貌的影响.结果表明,不同m,n值对燃烧产物相组成有很大影响.原料中Si3N4,AlN,NH4F的增加有利于Si的氮化,同时,Si3N4和NH4F的增加使α-Sialon晶粒由柱状转变为颗粒状.燃烧合成长柱状α-Sialon的形成过程是α-Sialon首先从Yb-Si-Al-O-N液相中形核析出,然后在适宜的生长条件下择优生长,发育成长柱状晶体.  相似文献   
5.
NH4F及燃烧温度对燃烧合成长柱状Yb α-Sialon粉体的影响   总被引:1,自引:1,他引:1  
采用SHS法合成了Yb α-Sialon粉体,采用XRD和SEM分析和研究了添加剂NH4F及燃烧温度对燃烧合成长柱状Yb α-Sialon相组成和形貌的影响。实验发现,在不同条件下,添加剂NH4F对燃烧合成长柱状α-Sialon的晶体形貌可以起到抑制和促进两个相反的作用。温度越高,晶体生长速率越大,反应降温越慢,晶体生长时间越长,长柱状晶体生长越完整。燃烧合成得到的长柱状α-Sialon粉体,在室温下,以酒精为介质经过30min以上的超声分散,可以达到较好的分散效果。  相似文献   
6.
氮化硅/环氧复合电子基板材料制备及性能   总被引:6,自引:0,他引:6  
沈源  傅仁利  何洪  韩艳春 《热固性树脂》2007,22(1):16-18,35
以Si_3N_4粉末作为增强组分与环氧树脂进行复合,采用模压法制备了氮化硅/环氧树脂复合电子基板材料。研究了Si_3N_4含量对复合材料导热性能和介电性能的影响。研究结果表明,随着Si_3N_4含量的增加,复合材料中填料形成导热网络,复合材料的热导率也随之增加,当体积填充量为35%时,导热系数达到1.71 W/m·K。复合材料的介电常数随Si_3N_4含量的增加而增加,但在氮化硅陶瓷颗粒的体积分数达到35%时仍维持在较低的水平(7.08,1 MHz)。  相似文献   
7.
采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明:在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃~300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的(100)和(110)晶面生长。AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因。  相似文献   
8.
添加CaF2-YF3的AlN陶瓷的热导率   总被引:11,自引:0,他引:11  
用CaF2和YF3做添加剂,在1750℃制备了热导率高于170W/m.K的的AlN陶瓷,并用XRD和SEM研究了AlN陶瓷在烧结过程中的相组成,微结构以及晶格参数的变化,并讨论了其对热导率的影响,研究发现,当使用CaF2-YF3做添加剂时,微结构差异对AlN陶瓷热导率的影响很小,AlN陶瓷的热导率主要由AlN晶格氧缺陷浓度决定,由于CaF2-YF3能有效降低AlN颗粒表面的氧含量,从而有利于获得高的热导率。  相似文献   
9.
采用Si3N4陶瓷作填料,制备了一类新型高导热的环氧模塑料,研究了Si3N4的含量、分布及其形态对复合材料的导热性能及介电性能的影响。结果表明:随着Si3N4粉末体积填充量的增加,复合材料的热导率显著提高,当填充量体积分数为60%时,复合材料的热导率达到2.3W/(m·K),其介电常数随体积填充量的增加亦有所增加,但仍然维持在低水平。采用Agari模型进行理论计算的结果表明,该体系导热性能的提高与Si3N4填料之间热传导网络的形成有关。  相似文献   
10.
白光LED用光转换材料的研究与发展   总被引:1,自引:1,他引:1  
白光LED是新一代半导体照明光源,高效光转换材料的合成制备是其关键技术之一.简要介绍了白光LD的基本原理,分析了光转换材料的光转换性及其影响因素,综述了白光LED用光转换材料体系和性能特点,最后探讨了光转换材料的发展趋势.  相似文献   
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