液晶介电常数对耦合电容的影响

采用2DMOS模拟软件对数据线与其相邻像素电极所构成的耦合电容Cpd进行了模拟,重点研究了介电常数对数据线左右侧的耦合电容Cpd的影响机理及趋势.通过模拟得出:数据线左侧的耦合电容Cpd主要受液晶层间的电场力影响,数据线右侧的耦合电容Cpd主要受到耦合电容Cpd间的电场力影响,而总耦合电容Cpd中占主要部分的是右侧耦合电容Cpd,因此可通过降低右侧耦合电容Cpd的方法来降低总耦合电容Cpd.     

高调节范围RF MEMS压控电容的设计与模拟

对传统平行极板MEMS压控电容的局限性进行了理论分析,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容.它的特点在于使用了三对极板,其中的一对是电容极板,另外两对是控制极板.电容极板用于传输交流信号,而直流控制电压施加在控制极板上.使用有限元分析软件Ansys对其进行了建模与仿真,得出其调节范围高达214%,大大超出了传统的平板电容在调节范围上的自然限制(50%).设计了该电容的工艺流程.其工艺流程比较简单,很容易集成在标准的CMOS集成电路中.     

电容式冰层厚度传感器及其检测方法的研究

水由液体变为固体冰(或由固体冰变为液体)的过程中电容会发生很大的变化,基于这一特点,提出了利用空气、冰与水的电容特性差异实现对冰层及冰下水位进行非接触式检测的新的冰层厚度检测思路.对含有导电杂质的冰、冰水混合物、水与空气等物质随温度变化所表现出的电容特性进行了分析,据此提出了利用空气、冰与水的电容特性差异实现对冰层厚度及冰下水位进行非接触式检测的传感器结构及冰厚检测原理.     

GaAs MIM电容模型

阐述了无源元件在MMIC设计中的重要性及MIM电容模型参数提取的几种方法.以简化的MIM电容等效电路为基础,通过IC-CAP建模软件,建立平板电容的等效模型模拟其电学特性.根据实测数据提取相关模型参数,同时与实际测试的MIM电容值进行对比,对ADS元件库中电容模型的关键参数做了修改和验证.经过在GaAs工艺线实际流片统计、验证,该模型在40 GHz以下实测的S参数与电磁仿真结果基本吻合,平板电容的误差控制在3%以内,可用于40 GHz以下CaAs MMIC的电路设计和仿真.     

电容在现代电子技术中的选用

电容是三大无源元件之一,在电子电路领域中有着举足轻重的地位.同时,现代电子技术对电容器又有特殊的要求,对其特性的理解及正确选用有着重要的意义.本文重点介绍电容的分类、材料、特性,参数、功能及选用,给设计人员在电子设计中电容选用作一些指导性意见,避免电容的选用对电子设计产生负面影响,从而提高电路的性能和可靠性.跟据各种电容的特性及具体的使用环境,对电容的选用作具体分析,总结出在现代电子电路领域中电容选用的几项原则.     

高调节范围RF MEMS压控电容的设计与模拟

对传统平行极板MEMS压控电容的局限性进行了理论分析,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容.它的特点在于使用了三对极板,其中的一对是电容极板,另外两对是控制极板.电容极板用于传输交流信号,而直流控制电压施加在控制极板上.使用有限元分析软件Ansys对其进行了建模与仿真,得出其调节范围高达214%,大大超出了传统的平板电容在调节范围上的自然限制(50%).设计了该电容的工艺流程.其工艺流程比较简单,很容易集成在标准的CMOS集成电路中.     

6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究

研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型.具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响.对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异.     

静电传感器电极与屏蔽罩间电容值的计算

在静电传感器测量气/固两相流参数的基础上,以J.B.Gajewski教授的成果为基础,对电容的计算进行了研究。将静电传感器电极与屏蔽罩间的电容cp看作圆柱型电容,对其建立的静电传感器数学模型中的感应电极与屏蔽罩间电容值进行探讨,并得到了这个电容的计算式。     

12电极ECT数据采集系统的设计

以12电极油水两相流电容层析成像系统为研究对象,在分析了电容层析成像系统的测量原理的基础上,设计了电容层析成像微小电容的测量电路和数据采集系统.采用了增益可控差动电路进行直流补偿,最后由DSP将测量得到的数据通过串行口传送给计算机以完成电容的测量及数据采集,通过实验验证了方法的可行性,较好地解决了微小电容测量和数据采集问题.     

LTCC中埋置电容的参数提取及特性分析

为分析低温共烧陶瓷基板中埋置电容的特性,采用三维电磁场软件HFSS对埋置电容进行了建模和仿真.根据仿真结果,采用一种新方法进行参数提取,并用电路设计软件Ansoft Designer对参数进行优化.特性分析结果表明新的埋置电容结构可以提高电容特性.     

PA-Cap聚合物电容器在模拟CPU电源中的应用

在计算机CPU的电源电路中,采用电解电容器作为电源的去耦电容。研究了CPU的负载高速变化时,三种类型电容器提供瞬时电流以稳定电源电压的情况。结果显示:PA-Cap聚合物片式叠层铝电解电容器(56μF)的Res为23mΩ,△V为–90mV,而220μF钽电容Res为73mΩ,△V为–172mV,1000μF液体铝电解电容Res为56mΩ,△V为–232mV。因此,PA-Cap聚合物电容器用在开关电源和数字电路中应用前景广阔。     

小型聚丙烯薄膜电容器在波峰焊接上的改进

该文先从小型聚丙烯薄膜电容器在260C无铅波峰焊接后失效着手,通过失效样品解剖分析中得出原因。是此类材质的直引线小体积产品无法承受260C焊接高温所致。为了寻找改进方法,作者运用详细的原理解释,通过对薄膜原料的材质对比,以及聚丙烯与聚酯薄膜电容器的性能对比,再用这两种材质的薄膜电容器样品做成直引线与引线打弯两种方式,结...     

Power-bandwidth considerations in the design of MESFET distributedamplifiers

Quantitative procedures are given for the design of MESFET distributed amplifiers using series capacitors in the device gate circuits. It is shown that the choice of series capacitors allows the designer to trade gain for bandwidth while maintaining a given gain-bandwidth product. It is also shown that the input power capability can be increased by the use of series capacitors when the device pinch-off is the power-limiting factor. It is pointed out how the addition of series capacitors makes it possible to increase the gate periphery of an amplifier, which results in an increase in power-bandwidth product     

The role of grain-boundary on the hydrogen-induced degradation inthin-film ferroelectric capacitors

The electrical properties of thin-film ferroelectric capacitors are known to degrade severely when exposed to hydrogen. In this study, we directly measured the effects of the grain boundary on the hydrogen-induced degradation in ferroelectric Pb(Zr, Ti)O₃ (PZT) thin films by the location of the top Pt electrode either inside the grains or at the grain boundary. A strong relationship between the grain boundary and the electrical properties of ferroelectric capacitors as a result of hydrogen annealing was found. The degradation of the electrical properties in thin-film ferroelectric capacitors after hydrogen annealing is mainly due to the presence of the grain boundary in the ferroelectric thin film     

应用于CPU板载开关电源输入端电容的快速选取方法

介绍了应用于CPU的板载DC／DC BUCK降压型连续电感电流模式开关电源电路（VRD）输入端输入电容的一种快速选取方法。文中阐明了输入端电容的重要作用,详细分析了其参数,工作原理等,并进一步推导出了具体的输入电容选择的工程计算应用公式,可以帮助工程技术人员根据不同的设计要求快速选取满足要求的输入电容设计方案,大大简化了整个设计过程。     

Trapping, conduction, and dielectric breakdown in Si3N4 films on as-deposition rugged polysilicon

Rugged polysilicon stacked capacitors recently emerged as the storage structures of choice for the manufacture of advanced DRAMs. The authors present the charge-trapping characteristics of such capacitors showing a capacitance increase of more than 50%. It is observed that electron trapping is dominant on rugged structures, whereas hole trapping is observed on smooth structures. Conduction and breakdown properties are also reported. Measurements show that rugged polysilicon capacitors provide the low leakage current, the sharp breakdown distributions, and the trapping characteristics needed for advanced DRAM applications     

基于SKiiP的模块化逆变器设计

以赛米控(SEMIKRON)公司的SKiiP功率模块为功率器件设计了标准化的模块化逆变器,文中给出了模块化逆变器的各个部分的设计方法,介绍了SKiiP功率模块的特性和驱动接口,对直流母排、电解电容和吸收电容的设计方法以及风扇的选取等均进行了介绍,控制系统采取分层控制策略的思想整个系统具有结构紧凑,可靠性高,并具有较高的效率和易扩展性。     

基于SKiiP的模块化逆变器设计

以赛米控(SEMIKRON)公司的SKiiP功率模块为功率器件设计了标准化的模块化逆变器,文中给出了模块化逆变器的各个部分的设计方法,介绍了SKiiP功率模块的特性和驱动接口,对直流母排、电解电容和吸收电容的设计方法以及风扇的选取等均进行了介绍,控制系统采取分层控制策略的思想;整个系统具有结构紧凑,可靠性高,并具有较高的效率和易扩展性。     

A DC method for measuring all the gate capacitors in MOS deviceswith atto-farad resolution

In this paper we present a new methodology for measuring all the intrinsic gate capacitors (i.e., gate-source, gate-drain, and gate-bulk) in a MOS device using a DC measurement scheme. The structure consists of two matched MOSFET's, one of which has a reference capacitor attached to its gate. The test structure was fabricated and the results show a resolution in the atto-farads range. The test structures use charge coupling to measure the gate capacitors     

电流模式高阶OTA-C高通滤波器的设计

提出了一种新的电流模式高阶OTA—C高通滤波器的设计方法。由该方法导出的滤波器具有最少的元件．n阶滤波器仅需n个OTAs和n个电容，所有的电容均接地，便于集成且与VLSI工艺兼容。文中给出了6阶滤波器设计实例，PSPICE仿真结果与理论分析相吻合，验证了该设计方法的可行性。