应用于开关电源控制芯片的欠压锁存电路的设计

针对单片开关电源控制芯片设计了一种欠压锁存电路,该电路结构简单,无需使用基准电压源,具有功耗低,响应速度快等优点,并可以实现滞回功能.最后在CSMC 0.5 μm CMOS工艺库下使用Cadence Spectre进行了仿真验证,结果表明,芯片正常工作时,欠压锁存电路的平均功耗低于10 mW,响应速度较快,而且电路实现了滞回功能,滞回电压范围为800 mV左右.     

基于0．5μmBCD工艺的欠压锁存电路设计

针对DC-DC电源管理系统中所必须的欠压锁存(UVLO)功能,提出一种改进的欠压锁存电路.所设计的电路在不使用额外的带隙基准电压源作为比较基准的情况下,实现了阈值点电位、比较器的滞回区间等参量的稳定.整个电路采用CSMC 0.5 μm BCD工艺设计,使用HSpice软件仿真,结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单,反应灵敏、温度漂移小、功耗低等特点.     

强驱动光电耦合器的设计与研究

研制了一款具有强驱动电流且能稳定工作的光电耦合器芯片,其中含有欠压锁存电路、逻辑控制模块以及后级的Push-Pull驱动电路。详细分析了欠压锁存(UVLO)及逻辑控制模块的工作原理,并以此为基础对整体外围电路进行仿真,仿真驱动电流达到3A以上。实测结果表明,当电源电压为30V、测试温度为25℃时,芯片正向峰值电流可达2.8A,负向驱动电流峰值可达2.5A,满足系统设计指标,适用于大型电力电子工业系统中。     

可穿戴运动心率监测设备的低能耗电源设计

可穿戴运动心率监测设备对电源的要求较高,当前电源设计过程中,存在电源电路设计复杂、电压输出不稳定、能耗高的弊端,不能满足可穿戴运动心率监测设备对电源的要求。为此,设计了一种新的可穿戴运动心率监测设备低能耗电源,给出所设计低能耗电源芯片内部结构。介绍了欠压锁存模块的设计过程,通过欠压锁存模块保证数据采集的稳定性。为了保护电源芯片的安全性,设计了VCC过压保护电路。通过低压差线性稳压器给可穿戴运动心率监测设备的电源提供电力和部分偏置电压。为了符合可穿戴运动心率监测设备电源的低能耗要求,设计了能量回馈装置。依据硬件需要实现的功能,对软件程序进行编写,通过PID算法对可穿戴运动心率检测设备的电源进行低能耗控制。实验结果表明,所设计电源能耗低。     

欠压锁存和短路保护电路

欠压锁存和短路保护电路是两种常用的保护电路。欠压锁存也称为低电压锁存，指的是稳压电源由于某种原因(如电源由电池供电，电池电压过低)使输出电压降到某极限值(如5V稳压电源降到4．5V极限值)时，欠压锁存电路能自动将电源切断并保持切断状态(锁存)，等电源电压上升到极限值以上某一个值(如上例的4．72V以上)时，电路可恢复供电。这是保证不因工作电压过低而造成电路工作不正常或电路性能超差的保护措施。     

一种新型欠压锁定电路的设计

针对电源控制芯片中常需用到的欠压锁定功能,提出一种新的欠压锁定电路的设计,采用高稳定基准电压源作为比较基准,成功综合了单门限比较器和迟滞比较器的优点,并改善了逻辑电路的设计,成功实现了电路的预定功能.SPECTRES模拟仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有启动电流小、响应速度快,温度漂移小等特点.     

新型过压、欠压保护器NCP348

<正> NCP348是安森美公司的产品,是一种具有过压锁存及欠压锁存保护功能的器件。该保护器的主要特点:过压保护的电压可达28V;内部有65mΩ的低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET;内部有升压式电荷泵电路以保证 N 沟道的 V_(GS);过压及欠压阈值由器件内部设定,外部无需设定过压及欠压值的电阻:当有过压或欠压时,器件输出告警信号;有关闭器件控制的端;防静电击穿电压为     

一种电流型PWM控制芯片的设计

设计并实现了一种高性能的功能齐全的电流型PWM控制芯片。电路采用可调整的带隙基准源和电流型反馈模式,具有基准精度高、温漂低、系统动态响应快等优点。电路的输出级驱动电流可达1A,开关频率可达500kHz,具有过压、过流保护和欠压锁定的功能。     

基于０.２５μｍＢＣＤ工艺的一种新型低温漂欠压保护电路

本文提出了一种结构简单并且具有低温度敏感性的新型欠压保护电路。该电路避免了传统欠压保护电路的基准电压产生模块和比较器模块,利用带隙基准结构和高阶温度补偿的方法减小阈值电压和迟滞电压随温度的变化量,提高了UVLO电路的独立性和可靠性。基于 0.25um BCD 工艺设计实现的新型欠压保护电路芯片面积为0.04mm2,功耗为0.14mW。在温度为25时,新型欠压保护电路的上升阈值8.625V,下降阈值8.145V,迟滞量为0.48V,能够满足电源管理芯片的应用要求。在-40~125温度变化范围内,该电路的阈值电压和迟滞电压的最大变化量分别为53 mV和 50 mV,具有低温度漂移特性。     

一种超低功耗欠压锁定电路设计与实现

集成电路的低功耗、高集成度已经成为发展趋势.传统的欠压锁定电路需要外部电路提供带隙基准电压和偏置电流,电路结构复杂;同时,当发生欠压锁定,关断芯片时,却要保证带隙基准电路始终正常工作,不利于芯片功耗的降低.针对传统欠压锁定电路结构的缺点,设计了一种基于三极管的欠压锁定电路,不需要外部电路提供基准电压和偏置电流,电路结构...