电容耦合电荷量子比特的调控及纠缠特性

摘 要：借助于狄拉克的正则量子化原理,对电容耦合的双约瑟夫森结电荷量子比特体系实施量子化。考虑到平行于约瑟夫森结面的磁场对结电流的影响,提出了一种新的电荷量子比特的调控方法,并且讨论了外加磁场作用下体系量子态时间演化的拉比振荡现象及纠缠特性。结果表明,利用该体系可以制备纠缠态,改变外加磁通Φ1和Φ2的大小能够实现对电荷量子比特及其纠缠态的有效调控。     

金刚石多晶薄膜和硅异质结研究

采用热丝法，甲醇、丙酮及氢气等离子体在硅衬底上沉积出金刚石薄膜，用透射电镜及拉曼谱分析膜中含有大小不等的金刚石颗粒，膜的厚度为５０－１００ｎｍ。Ｃ／Ｓｉ异质结Ｉ－Ｖ曲线具有二极管整流特性，可耐高压，击穿场强达１０＾７Ｖ／ｃｍ。     

Annealing Behavior of Si1-xGex/Si Heterostructures

There are two reasonsfor people studying on the materialsannealing.Firstly,deviceswith semiconductor heterostructure may unavoidably experience some high-temperatureprocesses during both fabrication and operation.The thermal stability...     

SiGe／Si异质结器件

本文综述了国际上ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的发展状况，分析了该器件的结构要理，特点，优越性及制造技术，阐述了该器件的广阔应用和对微电子将产的重大影响。     

超导Josephson结的制备及其特性研究

本文详细讨论了用微细加工技术制作Josephson结的过程以及影响其电学特性的各种因素,用湿法刻蚀技术制备了面积为4×4μm~2的Josephson结,并在4.4K闭循环制冷机上观察到了较为理想的Josephson效应。     

Pn结中的小电流过趋热效应及理论模拟计算

晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现:结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着测试电流的减小而缩小,这种现象称为小电流过趋热效应.利用这一特性可以研究晶体管结温分布的不均匀性,计算结温分布的不均匀度,对半导体器件可靠性分析具有重要的意义.     

双极晶体管结温分布不均匀性的电学测量方法

用Δ VBE法测得的结温是器件有源区某一点的温度 ,流经该点的测试电流密度等于流经整个芯片的平均测试电流密度。测量结温随测试电流变化而变化 ,小测试电流测得的结温高 ,大测试电流测得的结温低 ,测得的结温的变化范围小于芯片上实际的最低结温和最高结温之差。根据晶体管测量结温的这一性质可以半定量地判断晶体管结温分布的均匀性。     

圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布

基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设，通过圆柱对称解的归一化，提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律，说明了表面南击穿电压总是小于体内击穿电压的原因。     

用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析

研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(xn0)的情况下计算p区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺杂设计成阶梯状,可实现对xn0的精确提取。用Medici对具有相同的阶梯状掺杂n区的p+-n和n-肖特基结进行器件仿真可得其C-VR关系。运用常规C-V法,由肖特基结的C-VR关系可提取出n区掺杂浓度。实现了对xn0的精确提取,其精度达1.8nm。基于精确的xn0,运用双边C-V法提取的p+区的掺杂浓度分布与Medici仿真结果非常吻合。