片式多层陶瓷电容器

本文介绍片式多层陶瓷电容器的发展现状,论及片式多层陶瓷电容器用陶瓷材料和电极材料的进展,并对未来的发展趋势提出见解。     

片式MLC三层端电极工艺技术

我厂研制成片式多层陶瓷电容器三层端电极已有五年多了。其中镍和铅锡镀液、制造工艺、微型电镀设备等全部自行设计，并生产出大量适用于ＳＭＴ，如电子调谐器，厚膜电路、电子手表中用的产品。近期又地该工艺的成熟性进行研究，即电镀后产品的电性能提高，镍和铅锡镀液的维护，片式电阻和电感三层端电极材料研制，使片式元件三层端电极技术系统化。     

BME-MLCC端电极铜浆的研究

贱金属片式多层陶瓷电容器(BME-MLCC)端电极用铜浆由有机载体、玻璃料、铜粉等组成.经封端、烘干、烧端形成BME-MLCC的端电极.实验结果表明:用本铜浆作端电极的MLCC具有附着力高、损耗低等特点,完全能满足BME-MLCC生产线的使用要求.     

陶瓷电容器的发展方向

陶瓷电容器仍将在世界电容器市场上居主导地位,而片式电容器将主宰陶瓷电容器和钽电容器市场。小型化、大容量、高电压、高频率、抗干扰和阵列化仍将是陶瓷电容器发展的方向。1005型片式陶瓷电容器已流行,但0603型产品已上市,且0402型产品已在开发。目前,利用薄层和多层化（600-800层）技术以及内电极贱金属技术,     

多层片式瓷介电容器贱金属电极的制造方法

为了满足多层片式瓷介电容器MLCC小型化、大容量和低成本方向发展的要求,基于国内外对多层片式瓷介电容器以贱金属取代钯银体系作为电极的研究及应用,研究了以Ni为内外电极的BME-MLCC 的制作工艺,对工艺中排胶、烧成、烧端等关键工艺作了机理性探讨。通过选取电极材料、气氛控制和温度控制等,对以Ni为内外电极的多层片式瓷介电容器的制作工艺已经成功在实验室得到验证。     

一种MLCC焊接失效分析

为找出某厂生产的多层陶瓷电容器端电极存在焊接失效的原因,运用体视显微镜、扫描电子显微镜和能谱仪对问题批次样品的端电极进行分析。从分析结果可知,在多层陶瓷电容器Cu端电极烧结过程中,Cu端表面有玻璃相溢出,这导致端电极部分区域的Ni层和Sn层电镀异常,最终造成电容器的焊接失效。经过对玻璃相溢出原理的分析,提出可以从铜浆料选择、烧结温度和封端工艺方面来解决该问题。     

综合信息

<正>陶瓷电容器的发展方向陶瓷电容器仍将在世界电容器市场上居主导地位,而片式电容器将主宰陶瓷电容器和钽电容器市场。小型化、大容量、高电压、高频率、抗干扰和阵列化仍将是陶瓷电容器发展的方向。1005型片式陶瓷电容器已流行,但0603型产品已上市,且0402型产品已在开发。目前,利用薄层和多层化(600~800层)技术以及内电极贱金属技术,已开发出容量高达100μF的独石陶瓷电容器,但制造商已在开发容量为200μF甚至200μF以上的独石陶瓷电容器的制作技术。     

片式多层陶瓷电容器三分天下

片式多层陶瓷电容器（MLCC），又称独石电容器，主要工艺是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合．并共烧成一个整体：主要用于各类电子整机中的振荡、耦合、滤波等电路中。由于MLCC率先实现片式化．适应SMT技术需求．大量取代了有机电容器和云母电容器．并开始部分取代钽电解和铝电解电容器。其未来发展趋势包括微型化、高性能／低成本化、高容量化、     

片式多层三端陶瓷EMI滤波器的研究

利用电容器的阻抗特性,在传统的片式多层陶瓷电容器内部结构基础上进行重新设计,制成了滤波性能更优异的片式多层陶瓷三端EMI滤波器;这种EMI滤波器具有低的等效串联电阻和低的直流电阻。研究表明,等效串联电阻随着有效介质层厚度的降低而降低,直流电阻随着有效介质层数的增加而降低。     

Ni电极片式多层陶瓷电容器产生开裂的几种因素分析

在片式多层陶瓷电容器的生产制作过程中,电容器开裂现象是比较常见的质量问题之一。本中对陶瓷介质与内电极浆料的匹配、膜片密度、Ni重、排胶、烧结这五个因素是如何导致电容器开裂进行了深入的分析。     

Using buried capacitor in LTCC-MLC balun

A novel chip-type ceramic balun designed in the 2.4 GHz ISM band frequency is presented. A buried capacitor is included in the balun, so that the length of the coupled transmission lines can be reduced and can be designed very easily. A meander or spiral broadside coupled-line is adopted to realise the proposed LTCC multi-layer balun. The measured performances of phase and amplitude balance for this LTCC-MLC balun show a good match with computer simulation     

超声显微成像技术的应用与研究

通过对超声显微成像技术(AMI)检测原理的分析,阐述了AMI在检测片式多层瓷介电容器(MLCC)裂纹、分层和空洞等内部缺陷方面的具体应用,其检测结果得到了破坏性物理分析(DPA)的验证.此外,还讨论了不同频率的超声波传感器对AMI检测结果的影响,对提高AMI检测结果的准确性具有指导意义.     

多层陶瓷电容器的失效分析

采用外观观察和金相分析方法,对绝缘电阻偏低的多层陶瓷电容器(MLCC,简称为C1)、以及无容值且端电极短路的MLCC(简称为C2),进行了失效原因分析,研究了这两种MLCC的失效机理。结果表明:C1的失效是因电路板过度弯曲使电容器受到过大的机械应力,以致C1内部产生裂纹;C2的失效是因额定电压为500 V,耐压不足而致电压击穿,产生瞬间高压裂纹。生产过程中避免电路板弯曲及选用匹配的电容器,可有效降低MLCC的失效率。     

Multilayer ceramic capacitor with ultra-low ESL for high-frequency decoupling applications

A novel multilayer ceramic capacitor is proposed using vertically oriented internal electrodes. Because this distinctive internal electrode configuration effectively reduces the current loop area in the device, the proposed capacitor provides ultra-low equivalent series inductance of 47.0 pH on average from a series resonant frequency to 3.0 GHz despite its relatively simple terminal structure. This excellent behaviour is both numerically and experimentally validated.     

利用平衡式MLCC抑制干扰

仪表放大器通常工作在噪声嘈杂的环境中,当输入放大器工作时,RF干扰的AC共模电压可能产生DC整流并南此引发仪表放大器输出工作点的漂移,导致大量共模噪声转化为差模噪声。使用一种平衡式多层陶瓷电容（MLCC）可以提高CMRR（共模抑制比）和防止仪表放大器中的DC整流。     

ZnO压敏/BaTiO_3电容双功能多层器件

研究了ZnO压敏/BaTiO3电容双功能多层器件,在共烧过程中瓷体分层和收缩的问题。通过调节BaTiO3瓷料和粘合剂的质量比为1:0.8,压敏陶瓷/粘合剂质量比为1:0.6,烧结温度1100℃和瓷体/瓷体的交界层,使BaTiO3体系电容器和ZnO压敏陶瓷电阻器的共烧器件,在宏观上匹配很好。这为其它相似元件的共烧提供了参考。     

成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响

采用流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1mm×38.1mm×0.15mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片。系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律。实验结果表明．轧膜成型制备出的电容器样品的绝缘电阻偏压特性和温度特性均优于流延成型工艺制得的样品,而且在各个温度下的介电损耗低于流延成型工艺制得的样品。不同的陶瓷基片表面扫描电镜图显示,流延成型的陶瓷介质表面粗糙多孔,而轧膜成型的陶瓷介质表面致密紧实。     

压电效应对多层陶瓷电容器放电性能的影响

为研究压电效应对多层陶瓷电容器放电性能的影响,搭建了放电周期可调的电路平台和基于光学多普勒效应的高精度振动测量平台。研究了陶瓷介质压电特性,电容在不同放电周期、不同加载电压下的振动状态和放电特性,以及失效放电周期和厚度的关系。结果表明,陶瓷介质具有压电效应,放电时,介质按交流电场频率规律振动,当振动频率与电容固有谐振频率一致时,激发机械共振,且振动幅度随电压增大而增大,当振动产生的应变超过介质承受极限时,介质开裂,导致击穿失效。失效放电周期随电容厚度增大而增大,呈线性关系。     

片式多层陶瓷电容器生产用薄膜流延设备的研究与开发

随着片式多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitor,MLCC)向着微型化、高容量方向的发展,片式多层陶瓷电容器的生产工艺,对设备提出了更高的要求。对目前MLCC生产工艺的主要特点进行了研究,简单阐述了常见的片式多层陶瓷电容器薄膜流延技术,提出了一种实用型的唇式流延技术。同时,对薄膜流延设备的工作原理、总体构成、系统控制,以及关键技术进行了分析和探讨。     

电子陶瓷材料发展现状、展望与思考

综述了电子陶瓷的现状及发展趋势。重点介绍了基板材料、电阻基体材料、电容器陶瓷介质材料、压电陶瓷材料、微波陶瓷介质材料、热敏陶瓷材料,并对未来发展进行了展望与思考。