背板互连线高速信号传输的计算机仿真

采用ABCD矩阵法对传输高速信号的背板上具有频变参数的互连线建立等效时域网络模型,并给出接插件等效传输线模型和端接的I／O缓冲器IBIS瞬态行为模型,利用这些模型对实际电路进行仿真,其结果与Ansoft公司的PNC软件仿真结果相吻合,仿真效率有明显提高。     

深度饱和三极管等效电路模型分析

运用现代电子仿真实验平台和传统实际实验方法，尝试通过对共发射极放大器电路静态和动态工作参数的测量，分析深度饱和的三极管的动态等效模型。并运用三极管的动态等效模型分析，当放大器输入和输出耦合电容改变时，对输入与输出信号之间相位位移的影响，通过仿真平台和传统方法实验结果分析两者结果一致，从而进一步阐明深度饱和三极管的等效模型。     

陶瓷封装的等效热方法及其仿真验证

利用等效热模型理论,对陶瓷封装器件与测试印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)的模型热阻进行了等效计算,并使用Icepak热分析软件进行热仿真模拟,计算得到芯片到环境的热阻值,最后通过使用T3Ster-热阻测试仪得到陶瓷器件表面温度分布情况并计算出实际热阻。研究表明,通过等效热模型仿真热阻与未等效前的仿真热阻值及实际热阻值有良好的一致性,表明了所采用的等效热模型仿真计算方法的可行性。     

模块化多电平换流器等效模型的研究

模块化多电平换流器(MMC)在仿真过程中随着电平数量的增加导致仿真效率降低。针对这一问题,通过研究现阶段相对成熟的4种等效模型,即基于戴维南等效、基于受控电压源等效、基于平均值等效以及基于开关函数等效的详细等效模型,并进一步分析上述4种等效的数学建模、等效思想以及每个模型的特性功能,进而从功能以及应用范围的角度进一步对其进行分类讨论,并划定分类标准。最后针对4种模型不同的特性、优缺点分别进行对比,最终得到一个可广泛适用于多种情况的对比结果,为选取模型提供标准。     

电源完整性设计中的谐振仿真

以一个简单的PCB地电平面为例,通过理论计算与Sigrity PowerSI仿真参照比对的方式,分析谐振的原理以及Z参数仿真结果与谐振频率的对应关系,并进一步提出在考虑激励源对谐振影响的情况下,VRM应采用电压源等效,受电IC应采用电流源等效的激励源模型才能得到正确的仿真结果.     

锁相环的建模仿真与测量

介绍了一种锁相环的仿真模型，并对仿真与测试结果作了比较。在此基础上，将三阶以上的锁相环近似等效为理想的二阶锁相环，运用仿真模型计算出环路的固有频率和阻尼系数。     

平飞正侧视双站SAR成像与误差分析

首先建立了平飞正侧视模式的双站SAR模型,然后在数学上给出了双站等效到单站的等效模型,在此基础上,可用常规SAR的信号处理器实现对双站SAR的成像处理。文章基于等效模型给出了平飞正侧视模式时的双站SAR的CS成像算法;当收发平台存在位置误差和速度误差时,不可避免地带来等效误差,降低了成像结果的质量,文章针对该误差进行了分析,并给出了相应的计算机仿真。     

用于探地雷达系统仿真的行波天线等效模型及应用

为了能够建立一种简单、通用且不需对实际天线建立物理模型的等效模型,提出了一种用于冲激脉冲探地雷达系统时域仿真的行波天线等效模型,该模型仅需考虑天线上的电流分布,将时域有限差分算法嵌入该模型,实现天线自由空间辐射场的计算,并将计算结果与加载领结天线辐射波形进行对比,通过对雷达半空间扫描进行仿真,将扫描结果与探地雷达实测A扫,B扫数据进行对比,可以实现较好的吻合,验证了模型的正确性,为模型应用于2种极化方式考察和多天线配置方案考察中奠定技术基础。     

SAR压制干扰效果的推算方法研究

针对SAR对抗效能评估中的干扰效果推算难题,提出了一种基于等效映射的SAR压制干扰效果的推算新方法。首先,给出了SAR压制干信比与干扰前后输出图像相关系数之间的等效映射模型及其构造步骤;其次,证明了映射模型与常规的基于检测性能的推算模型之间的一致性及其优势;最后,利用异航次机载SAR的仿真试验结果进行模型验证。仿真表明,该方法相比基于检测性能的推算方法具有直观、运算量小和可操作性强的特点。     

微系统结构均匀化模型参数的确定方法研究

在对3D封装微系统进行力学仿真建模时,硅通孔(TSV)和微焊点等结构的多尺度效应明显,需要划分大量网格,通过合理的等效处理可以降低网格数量,提高仿真效率。常规的方形柱等效使得结构失去原有微观形貌,仿真误差增加。为此,针对实际微观形貌提出了一种等效均匀化模型力学参数的确定方法。基于弹性力学方法,推导了圆柱形貌特征的TSV硅基板层力学参数的等效计算公式。对鼓球形貌特征的微焊点/下填料层均匀化模型提出了分层思想的力学参数确定方法。与现有方法相比,该方法考虑了微系统特征结构的真实形貌特征,计算效率更高,计算结果的一致性更好。     

一种环形栅LDMOS器件的宏模型

提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏模型。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析,将环形栅LDMOS器件分为两个部分,一个是中间的条形栅MOS部分,使用常规的高压MOS模型；另一个是端头部分,为一个圆环形栅极MOS器件,采用了一个单独的模型。基于40 V BCD工艺的N沟道LDMOS器件进行模型提取与验证。结果表明,建立的宏模型具有较强的几何尺寸缩放功能,对于不同尺寸的器件都具有较高的拟合精度,并且模型能够兼容当前主要的商用电路仿真器Hspice和Spectre。     

高压LDMOS晶体管宏模型及栅电荷建模方法

针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足,提出一种LDMOS宏模型。在本研究中,借助Spectre软件分别对宏模型与BSIM4器件模型进行仿真,并对2种LDMOS器件模型下的CV结果进行对比,验证了宏模型对LDMOS器件模拟的准确性。最后,提出利用栅电荷曲线来进一步修正模型参数的新方法,并通过仿真获得更精确的LDMOS器件模型。该宏模型及栅电荷建模方法对于高压功率集成电路设计及仿真有重要意义。     

一种有机发光二极管的电路仿真宏模型

文章介绍了一种有机发光二极管的电路仿真宏模型及其元件参数数值的提取方法。该电路仿真宏模型不但表征了有机发光二极管的全固态多层结构,而且表征有机发光二极管发光的物理过程。同时还提出了采用交流阻抗法提取该有机发光二极管电路仿真宏模型的元件参数的方法。该有机发光二极管的电路仿真宏模型可用于有源二极管显示器的背板电路设计过程中,背板电路与有机发光二极管器件的联合电路功能仿真,从而实现更准确的背板电路性能评估。     

移动机器人的宏行为控制设计

利用宏行为的概念和方法,设计一个移动机器人系统.通过对系统结构的分析,给出移动机器人的运动模型;通过对整个系统行为的分析和分解,给出了移动机器人的宏行为模型结构.利用这一模型,实现了在白色背景下跟踪黑色轨迹的快速行驶.实验数据表明,移动机器人对黑色轨迹的跟踪精度较高.     

真空三极管的Pspice宏模型的精确化

介绍了应用于Pspice仿真的真空三极管的两种宏模型及其数学模型，并应用Matlab最优化及曲线拟合这种新方法对模型参数进行计算，且使用此模型对应用于中性束诊断系统的大功率负高压脉冲电源中的大功率三极管进行了研究。     

分子束外延系统束流系综理论分析

分子束外延（MBE）生长薄膜材料是一种非平衡态生长，生长过程主要由分子束流和晶体表面反应动力学控制。分子束流控制对生长的影响很大，真空蒸发理论导出的平衡蒸气压模型是目前描述分子束流的主要模型之一，但在实际应用中，模型在高蒸气压条件下对束流的描述存在较大偏差，制约生长的薄膜的化学组分均匀性和结构的单晶完整性的提高。本文系统研究了MBE生长HgCdTe薄膜过程的束流情况，采用系综理论，建立巨正则理论模型模拟束流情况，实验表明，相比平衡蒸气压模型，该模型能更准确的描述分子束流的本征物理行为。     

深亚微米Sigma-Delta ADC设计方法研究

通过一个0.18μm CMOS工艺、低功耗Sigma-Delta ADC调制器(SDM)部分的设计研究,提出了一种深亚微米下混合信号处理系统的设计方法,论述了从系统级行为验证到电路级验证的设计流程,与传统流程相比,在行为级验证中采用了SIMULINK建模方法,在电路级的验证中,提出了从宏模型验证到晶体管级细电路验证这样一种新颖的设计方案,其中所提出的宏模型以6.5%的仿真时间获得97.5%的仿真精度,晶体管级电路以此指标设计,确保其一次验证通过,提高了系统设计效率。     

RF-LDMOS器件宏模型研究

射频器件模型是射频电路仿真的基本要素之一。为了解决射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（RF-LDMOS）缺乏准确SPICE模型的问题。此处提出了一种适用于带封装结构的RF-LDMOS器件宏模型建模及提模方法,并采用MBP软件进行验证分析。结果表明该宏模型建模方法能够很好的实现数据拟合,直流特性和射频特性的误差均在5%范围内,能够准确地反映器件的电学特性。     

Fast and accurate DAC modeling techniques based on wavelet theory

Two new modeling techniques based on principles of wavelet theory are described in this article. Macro-model and mathematical model are developed for analog and digital circuit simulation, respectively, for fast and accurate results using exponential function, damped sine wave, and linear waveform. An 8 bit DAC has been implemented to simulate and evaluate the models. The INLs of the macro and mathematical model based simulations are ±0.2LSB, which are the same as HSPICE simulation. The DNLs of HSPICE simulation, macro model, and mathematical model based simulations are ±0.22LSB, ±0.28LSB, and ±0.25LSB, respectively. The simulation times are 2.9 s for macro model, 0.15 s for mathematical model, and 68.09 s for HSPICE simulation.     

高速高精度流水线ADC的快速仿真方法研究

设计了一种可以与晶体管跨导运算放大器特性高度比拟的运放宏模型.用该宏模型替换采样/保持电路和MDAC模块中的晶体管级放大器电路,进行FFT分析;在仿真结果相差3.2%的情况下,仿真时间为原来的1.7%,大大缩短了流水线ADC的验证周期.在该方法的指导下,设计了一个10位20 MS/s 流水线A/D转换器.在2.3 MHz输入信号下测试,该A/D转换器的ENOB为8.7位,SFDR为73 dBc;当输入信号接近奈奎斯特频率时,ENOB为8.1位.