硅光栅技术

制作硅光栅的微细加工工艺可分为体硅工艺和面硅工艺，这些微细加工方法在技术上与微电子及微机械工艺可以兼容，这使得制作集成式微型光谱仪成为可能。硅是一种良好的近红外材料，可以用来制作天文红外光谱仪器的浸没光栅。 本文重点介绍了硅光栅的制作工艺及其在不同领域中的应用。     

硅发光研究进展

硅是间接带隙半导体, 不能有效地发光.量子理论、超晶格理论和纳米技术的发展,给硅基发光研究提供了理论的和技术的支撑.研究者通过不同的途径去实现硅的有效发光:多孔硅、纳米硅、Si/SiO2超晶格、计算化设计与硅晶格匹配的直接带隙半导体.文章报道了这些方面的最新研究进展.     

多孔硅的电致发光研究

本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm~2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显的类似二极管的整流特性。     

使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能

使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc—Si2H)拥有一系列物性，以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管，发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能，探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性，如肖特基器件、TFT晶体管等。     

多孔硅对硅中缺陷的吸除效应

研究了在硅片背面采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的吸除效应．结果表明，该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用．采用ＸＴＥＭ分析了多孔硅和衬底硅之间的界面特性，发现在界面处存在一个“树枝”状无序结构的过渡区，分析认为该过渡区是一个吸除中心     

硅芯硅棒自动清洗设备的研制

通过分析硅芯硅棒清洗方式的现状,提出其自动清洗设备研制的必要,介绍了全自动硅芯硅棒清洗机的技术参数和工艺流程,详细分析了设备的结构设计,包括工艺清洗系统、传动系统、电气控制系统、排风系统、管路系统和设备主体等。     

扩展电阻技术在硅,硅基材料测试中的应用

本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析 ,从而用以开发新材料和评估材料的质量。     

硅传声器

换能器工程中的新工作是朝向使用硅工艺制造微小的传声器。对于这种器件，一些传统的换能方法是适用的，例如电容、压电、压阻原理。     

硅上微型显示器

简要介绍了近年来出现的两种硅上微型显示器：硅上液晶显示(Liquid Crystal on Si1icon)和硅上有机发光显示(OLED on Silicon)的结构、特点，特别是OLEDos，是近两年才崭露头角的新型显示器。并对这两种显示器应用前景进行了探讨。     

使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能

使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)拥有一系列物性.以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能.探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等.     

使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能

使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)拥有一系列物性.以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能.探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等.     

多孔硅发光—纳米硅量子海绵中的量子约束

多孔硅的发光是源自其最表面层,该层是非晶态的。本研究揭示其结构是随机分布在此表面的纳米尺度的硅。多孔硅的微结构好象量子海绵,没有观察到“线”状结构,是一种无序材料。多孔硅的发光极象是由于这种纳米硅原子簇中的量子限制。     

高效率硅发光二极管

为发展高效率硅发光器件和硅基集成电路技术正付出很大努力^[1]。尽管研究了几种途径^[1-6]，最近都受到低发射效率的困扰，在0．01％－0．1％范围就是高值^[2]。本文报道的硅发光二极管功率转换效率有很大增长，在室温附近达到1％以上，接近十余年前典型直接禁带发射器^[7,8]的值。该器件基于普通的单光子和双光子辅助次禁带弱光发射过程，通过把位于有关的次禁带波长的吸收最小化，同时减小二极管内寄生无辐射复合的作用范围，利用了光吸收和光发射的交互作用。上述两个特征分别表明发射效率改善10倍，得到的效率较基线装置高100倍。     

硅发光二极管

英国萨里大学的科学家使用硅材料制造出能在室温下有效发光的二极管。在此基础上,科学家有望将发光装置有效地集成到超大规模集成电路中,制造出体积更小、功能更强大的芯片,以及更高性能的通信设备。