SiO高效减反射膜的蒸镀和监控

报道了使用 IL400膜厚速率控制仪监控 SiO 减反射膜的蒸镀,通过对1.3μm 激光器前端面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超辐射发光二极管。     

InGaAsP／InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究

通过对波长1.3μm InGaAsP／InP的半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69％和32.6％提高到镀膜后的90％和80％以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。     

1.3μm超辐射发光二极管

本文报告了电子束蒸镀 Si_3N_4减反射膜的结果,并制成了1.3μm 超辐射发光二极管。室温连续输出功率1.2mW,光谱半功率宽度9nm。     

长波长1.3μm超辐射发光管的制备

对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜（ＡＲ）制备超辐射发光管（ＳＬＤ），测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布，并计算了器件端面的剩余反射率。     

长波长1．3μm激光器腔面镀减反射膜超辐射发光管的制备

本实验采用ＩＬ－４００型膜厚速率控制仪和钼舟，对半导体激光器端面分别蒸镀单层和双层减反射膜来制备长波长超辐射发光二极管，并对蒸镀减反射膜后器件的功率特性和光谱特性方面进行了测试。     

长波长1.3μm激光器腔面镀减反射膜超辐射发光管的制备

本实验采用ＩＬ－４００型膜厚速率控制仪和钼舟，对半导体激光器端面分别蒸镀单层和双层减反射膜来制备长波长超辐射发光二极管，并对蒸镀减反射膜后器件的功率特性和光谱特性方面进行了测试。     

高效减反射膜—由半导体激光器向行波式放大器转变的关键

采用常规膜厚监控方法在二极管激光器端面镀高效减反射膜有很多困难。本文从理论上研究了自发光监测控制减反射膜的可行性,并且得到了用这种方法在半导体激光器端面镀高效减反射膜的实验结果。利用 Kaminow 等人提出的间接测量法,测得在 GaAs 激光器端面镀制了单层 SiO 膜后的剩余反射率小于5×10~(-4)。     

SiO膜作为光控晶闸管减反射膜的研究

为了提高光控晶闸管的触发灵敏度,我们在器件的受光区表面蒸镀上一层SiO减反射膜,本文在理论上指出了SiO作为减反射膜所必须满足的条件,并在实验上对SiO膜的减反射效果进行了验证,结果表明:SiO膜的存在可使透射率由无膜时的0.68提高到0.94-1,光触发功率比无膜时减少了20-40%.     

半导体激光器腔面SiO,Au涂层的研究

通过在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光器前后腔面蒸镀ＳｉＯ减反射膜和ＳｉＯ、Ａｕ高反射膜的工艺过程，从理论和实验上分析涂层特性，反射率、透射率由无膜时的３２％、６８％提高到９４％以上，提高激光输出功率和工作寿命。     

光栅调谐外腔半导体激光器特性

用一端面镀制高效减反射膜的激光二极管（实际已变成超辐射发光二极管），作为外腔中的增益介质与衍射光栅一道构造了光栅调谐外腔半导体激光器，并对其特性进行了分析和实验研究，实现了外腔半导体激光器的宽带调谐单模输出，调谐范围宽达４０ｎｍ，测定了阈值电流和调谐波长的关系。