舰艇雷达设备的防护设计和防护技术探讨

雷达设备是在恶劣环境中使用的大型机电设备,其防护设计直接与总体设计、电路设计、结构设计、计划管理、生产管理、标准化等相关联,设计师的防护意识非常重要,设计过程需按基本程序进行。恰当地选择材料,合理地选取结构形式,正确地使用表面处理工艺巧妙地利用密封、遮蔽技术,强化对电路和电接触点的防护,综合运用防护手段是雷达设备防护设计的要点。     

雷达后门电磁脉冲防护概述

介绍了电磁脉冲产生的机理,描述了电磁脉冲通过雷达后门耦合途径对兵器和人员的损伤效应,同时对时域有限差分法的应用进行了说明,对雷达后门防护设计思路进行了探讨,并对电磁防护技术的发展提出了看法。     

雷达产品静电防护

静电与静电放电(ESD)现象是普遍存在的一种自然现象,静电放电除可造成电子产品失效外,还可能产生电磁脉冲引起雷达产品误动作和信息丢失,本文就雷达产品的静电危害、静电防护的必要性、防护措施作简单介绍。     

多普勒天气雷达雷电静电防护的技术路线

为解决多普勒雷达在工作中遭受雷电等过电压的侵害,在对雷达操作和控制系统低电压工作特性分析的基础上,提出雷达站雷电和静电防护的技术路线,从直击雷防护、设备仪器雷击防护、机房雷电电磁屏蔽等方面提出了接闪、引下、接地、分流、等电位处理等实际工程的设计方法和具体施工方法,在实践中得到实施和应用,收到显著的防护效果。     

海洋环境中雷达表面涂层的现状及分析

雷达产品是在恶劣环境中使用的大型电子设备,其防护设计直接与总体设计、电路设计、结构设计、计划管理、生产管理、标准化等相关联。本文对国内外电子设备防护材料新的发展动态进行了归纳,并介绍了满足恶劣环境使用条件的涂层应用于雷达装备上的发展趋势。     

现代通信产品制造业静电防护工艺技术要求

本文介绍了现代通信产品制造业在静电防护技术方面的基本要求，防静电工区内静电防护设施的基本配置，静电敏感器件在各工序中的防静电操作，相关部门在静电防护方面的职责，对静电防护用品的技术要求和测量方法，静电防护管理及维护等。本要求适用于以集成电路为核心的现代通信产品的研制开发，设计制造，安装调测，运行维护等涉及静电敏感器件的部门和人员。     

某型雷达车辆驾驶舱强电磁防护技术研究

针对某型雷达车执行任务时其车载雷达会对驾驶舱内作战人员造成辐射的问题,开展关于某型雷达车驾驶舱强电磁防护技术研究,并通过技术指标论证确定防护指标、电磁耦合路径分析确定重点防护位置及仿真设计验证确定重点防护位置的正确性,形成针对电磁耦合薄弱环节的电磁防护设计方案.最后,基于防护后驾驶舱内电场强度和屏蔽效能的指标验证了某型雷达车辆驾驶舱电磁防护方案的有效性.     

电子通信产品的ESD防护设计方法研究

电子通信产品ESD防护设计情况,对产品设备本身的使用以及质量有非常重要的影响。很多电子产品在销售推广过程中,商家都会以产品具有良好防静电能力作为产品卖点。可见ESD防护设计的重要性。对于电子通信产品来说,具有良好的防静电能力,不仅是产品营销的卖点,更重要的是静电防护能力确实对产品使用的安全性发挥着关键影响作用。因此,对于生产厂家来说,要切实做好电子产品的ESD防护设计,提高设备的静电防护能力。文章重点探讨了电子通信产品的ESD防护设计方法。     

雷达的雷击防护

雷电是一种自然现象。雷达遭雷击的事件时有发生。本文简要介绍了雷电形成的机理，雷电的特性和危害性，以某雷达站为例分析了雷达遭雷击的原因，最后提出了雷达的雷击防护措施。     

陆基雷达情报网光电综合防护一体化设计

运用系统工程理论,采用战术与技术相结合的研究方法,对陆基雷达情报网光电防护抗摧毁建设进行了顶层设计。在论述构建陆基雷达情报网光电综合防护的原理与方法的基础上,重点剖析了光电综合防护的关键技术。运用“综合集成”的思想,提出了陆基雷达情报网光电综合防护一体化设计思路。     

高功率速调管发射机的防护设计

雷达装备的防护设计直接与系统设计、电讯设计、结构设计、工艺设计、计划与生产管理等相关联,是一门复杂的涉及多专业的系统工程。针对海洋大气环境的具体特点,详细阐述了高功率速调管发射机的环境适应性防护设计方法,从电讯设计、结构设计、工艺设计等方面给出了具体而有效的防护设计措施,具有广阔的应用和参考价值。     

以太网在雷达发射机控制和保护中的应用

随着大功率发射机技术的发展，发射机的控制和保护要求也愈来愈高，常规的串行通讯设计面临挑战。为了解决上述问题，本文介绍了以太网组成和在雷达发射机控制和保护中的应用，最后略述以太网的推广前景。     

雷达产品三防设计初探

军用电子设备的“三防”性能,已成为整机的重要技术指标之一。现代三防技术已不再单纯是一项工艺技术,而涉及到总体设计、电路设计、结构设计、工艺设计、技术管理等方方面面。本文通过对各种腐蚀因素的分析,结合我所三防设计现状,提出了自己的雷达产品三防设计思路。     

电磁兼容设计在某型行波管发射机中的应用

行波管发射机在现代机载雷达领域得到了广泛应用。由于机载雷达对体积的小型化要求日益严格,电路结构更加紧密,因此,电磁兼容的重要性更为突出。文章通过理论分析和工程设计,阐述电磁兼容技术在发射机设计中的应用。结合实际应用,文章具体介绍了在电源入口的防雷保护、在信号线采取的屏蔽皮接地方法、空间屏蔽和在高压回路中的安全接地与保护等电磁兼容策略,并且讨论了发射机输出信号频谱控制的常用途径。     

一种高频固态功放模块的设计与实现

根据某高频雷达对高频功放模块的设计要求,研究了功放模块的设计实现方法。具体讨论了模块的组成、射频链路的设计、状态检测、控制保护电路的设计和散热通道的设计等。最后给出了测试结果,表明该设计满足预期的技术指标要求。     

窄带雷达极化信号采集和处理电路的设计

基于雷达极化信号处理技术，针对窄带全极化雷达研制了一种极化信号采集和处理的电路。在介绍雷达极化信号处理的基本原理和方法的基础上，围绕极化信号处理的特点，设计极化信号采集、幅相一致校正、极化滤波、极化检测等电路模块。最后，介绍了该电路在极化虚拟加权实验的结果和分析。     

相控阵雷达分布式温湿度调控系统可靠性设计

雷达长期在复杂的温湿度环境中工作,容易造成其内部的电子元器件失效而影响整个雷达的稳定运行。 针对这种状况,根据某相控阵雷达分布式温湿度调控系统的可靠性设计需求,运用可靠性理论分别对该系统在硬件和软件方面的 可靠性进行设计。其中,硬件可靠性设计主要包括滤波技术、隔离技术、屏蔽技术、接地技术等;软件可靠性主要包括恢复 技术与低功耗模式、时间冗余技术、集成电路通信、RS485 通信、FATFS文件系统等。对系统进行相关试验验证,结果表 明:系统在给定的试验环境中能够正常稳定地运转,其温度和湿度的重复性、迟滞性结果均满足相应的标准,所采集和反馈的数据与试验环境数据相符,能够满足可靠性设计要求。     

可编程模拟雷达信号源的设计

设计了一种可通过软件灵活控制的模拟雷达信号源,采用Silicon公司C8051F340微处理器芯片,控制直接数字频率合成芯片AD9858输出模拟雷达信号.文中说明了电路设计结构和软件设计方法,并对信号源的性能进行了可行性验证.     

利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路

传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。     

Highly Robust AHHVSCR‐Based ESD Protection Circuit

In this paper, a new structure for an advanced high holding voltage silicon controlled rectifier (AHHVSCR) is proposed. The proposed new structure specifically for an AHHVSCR‐based electrostatic discharge (ESD) protection circuit can protect integrated circuits from ESD stress. The new structure involves the insertion of a PMOS into an AHHVSCR so as to prevent a state of latch‐up from occurring due to a low holding voltage. We use a TACD simulation to conduct a comparative analysis of three types of circuit — (i) an AHHVSCR‐based ESD protection circuit having the proposed new structure (that is, a PMOS inserted into the AHHVSCR), (ii) a standard AHHVSCR‐based ESD protection circuit, and (iii) a standard HHVSCR‐based ESD protection circuit. A circuit having the proposed new structure is fabricated using 0.18 μm Bipolar‐CMOS–DMOS technology. The fabricated circuit is also evaluated using Transmission‐Line Pulse measurements to confirm its electrical characteristics, and human‐body model and machine model tests are used to confirm its robustness. The fabricated circuit has a holding voltage of 18.78 V and a second breakdown current of more than 8 A.