ASML全球光刻设备制造的领航者

有专家声称，集成电路产业发展的命脉掌握在半导体设备制造商手中，他们制造的尖端设备为集成电路产业的高速发展提供了广阔的成长空间。作为全球半导体设备商排名第三，全球光刻设备制造商排名第一的ASML，用20年的时间创造了一个神话，现成为世界上最大的光刻机制造商!众所周知，光刻设备是所有半导体设备之中的尖端技术，ASML无愧于集成电路产业发展的领航者。荷兰不仅有ASML这个全球半导体工业的骄傲，更有扬名于世的荷兰“风车”、国花郁金香、菲利浦电子等，为了进一步了解荷兰著名的半导体企业ASML，《半导体行业》杂志社记者特别采访了ASML中国区技术行销经理程天风先生，让ASML的风采展示于业界。     

投影光刻机TTL对准原理与故障分析

论述了ASML公司某型投影光刻机TTL对准系统的基本原理和主要构成,介绍了对准系统在光刻工艺中的工作过程,结合多年的投影光刻机维修经验总结了对准系统的常见故障,并给出了分析以及解决方法。     

不断攀登前沿科技顶峰的ASML --访ASML中国区技术行销经理程天风先生

ASML公司致力于为客户提供最佳的光刻设备与技术以支持复杂的集成电路制造。ASML目前在全球欧美和亚洲的50个地区设有分支机构,拥有5000位员工。对于国内代工业水平的不断发展与提升,ASML作出了巨大的贡献。SEMICONChina2006展会召开前夕,记者特意走访了ASML公司,以下是对ASML中国区技术行销经理程天风先生的访谈内容。     

从极紫外光刻发展看全球范围内的技术合作

在针对芯片的"卡脖子"技术中, 极紫外(EUV)光刻是最重要的一环。EUV光刻技术已经被广泛应用于最先进工艺节点的集成电路芯片制造之中。它的研发交叉融合了光学、机械、电子、控制、软件、材料、数学、物理等多个学科的知识。EUV光刻的发展反映了世界范围内联合研发的演变过程, 开放和合作是发展过程中的主旋律。回顾了EUV光刻的发展历史及所涉及的重大项目和机构, 讨论了全球唯一的EUV光刻机制造商——ASML公司的灵活多变的国际化合作路线, 分析了自1997年以来世界各代表性研发机构的研发趋势以及与EUV光刻发展的关系, 详叙了各参与机构在世界范围内的合作对EUV光刻发展的影响。该研究为研发先进光刻机等类似高端装备提供了一些启示和参考。     

ASML获得台积电投资11亿欧元

近日,台积电已同意向全球最大的芯片制造设备厂商ASML投资11亿欧元（约合14亿美元）,以确保获得未来最新的芯片制造技术。英特尔也是ASML的投资方之一。     

ASML一体化光刻解决方案延续摩尔定律

ASML集团公司在美国旧金山举行的SEMICO NWest展会上发布多项全新光刻设备，让芯片制造商能够继续缩小半导体器件尺寸。FlexRay^TM（可编程照明技术）和BaseLiner^TM（反馈式调控机制）为ASML一体化光刻技术的一部分，具有高稳定性，能够优化和稳定制造工艺。     

以浸没式技术引领光刻设备市场(英文)

在过去的几年中,ASML公司以创新的浸没式技术引领着光刻设备市场,又一次刷新了半导体制造的路线图。通过对浸没式光刻技术的再现和提升,ASML公司为芯片制造商开创了一个满足更小设计尺寸要求的生产芯片的新局面     

KLA-Tencor推出可解决二次成像挑战的首款计算光刻机

KIA-Tencor公司日前推出其领先业界的最新版计算光刻机PROLITH 11。这种新型光刻机让用户首次得以评估当前的二次成像方案，并以较低的成本针对光刻在设计、材料与制程开发等方面挑战，尝试不同的解决方案。这种新型计算光刻机还支持单次成像和浸没技术。     

ASML展示一体化光刻解决方案助摩尔定律延续

ASML集团公司（ASML Holding NV）在美国旧金山举行的SEMICON West展会上发布多项全新光刻设备,让芯片制造商能够继续缩小半导体器件尺寸。FlexRay（可编程照明技术）和BaseLiner（反馈式调控机制）为ASML一体化光刻技术（holistic lithography）的一部分，具有高稳定性，能够优化和稳定制造工艺。     

ASML量产型EUV机台2015年就位

设备供应商艾司摩尔（ASML）日前宣布已协同比利时微电子研究中心（IMEC）和重量级晶圆厂，合力改良EUV光源功率与晶网产出速度，预计2015年可发布首款量产型EUV机台。ASML亚太区技术行销协理郑国伟提到，ASML虽也同步投入E—Beam基础研究，但目前对相关设备的开发计划仍抱持观望态度。郑国伟表示，ASML于2012年下旬购并微影设备光源供应商——cvmer后，近半年在EUV技术研发方面已有重大突破。     

光学光刻现状及设备市场

概述了当前光学光刻技术现状及今后发展目标 ,并结合设备市场介绍了ASML、Canon、Nikon 3大设备制造商概况。     

SLM device for 193 nm lithographic applications

The imaging capability of a new spatial light modulator, (SLM), a custom MEMS device is presented. Low k₁ factor aerial image measurements show the suitability of the SLM device for a variety of uses including optical maskless lithography (OML) applications.Collaborating with ASML partner companies, a fully programmable 11-million micro-mirror SLM device was designed, fabricated, and tested. Innovative MEMS manufacturing techniques were developed to fabricate the very large number of micro-mirrors on the underlying mixed-signal CMOS control circuitry. The individual eight-micron square mirrors were designed to support conventional, attenuated, and alternating phase-shift lithography.     

ASML扫描机与NIKON步进机的匹配技术

如何实现PAS扫描机与NSR步进机混合匹配,从匹配的可行性、匹配步骤、匹配精度控制、匹配校准问题进行分析,最终实现PAS5500/700与NSR2205i12之间的匹配和混合光刻技术,包括:(1)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配目的;(2)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配步骤;(3)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配参数调整;(4)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配校准;(5)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配试验过程及结果;(6)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配结论。该技术已成功地应用于高性能集成电路器件的研制和生产,实现了180 nm线宽和350 nm线宽工艺的稳定匹配曝光。     

光刻机照明系统专利分析

为了解光刻机照明系统的技术发展方向和技术研究热点及技术成熟度,并为科研人员提供技术参考,对光刻机照明系统技术专利文献进行了检索,并对专利文献数据进行了统计分析,分别从专利权人分布、国际专利分类号分布、专利申请国分布和年度发展趋势及技术生命周期等几个方面进行统计分析,揭示了国内外光刻机照明系统专利申请的主要专利权人依次为阿斯麦、尼康、佳能和蔡司,专利文件分布的主要技术领域为半导体器件和其部件的制造处理等方面,专利文件的年度申请在2004年出现最高峰,之后开始下降,并结合技术生命周期曲线图,指出光刻机照明系统技术已经历了从萌芽、发展、成熟阶段。同时进行了重要专利文件的挖掘,分析了技术研究热点,追踪核心专利文件的技术发展脉络;并对偏振照明技术作出技术-功效矩阵分析图,分析出技术研究热点,并提出我国科研人员应利用未在我国进行保护的重要专利技术,为我国企业提出了专利申请的相关建议,节省研发时间。     

亚65 nm及以下节点的光刻技术

由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术.配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降.随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战.对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

电子束光刻技术与图形数据处理技术

介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。     

用于提高光刻分辨率的光学成像算法的研究

通过对光刻系统中光学成像系统的模拟,提出了改善光刻分辨率的途径以及基于卷积核的计算光强的方法,并介绍了光学系统的传输交叉系数具体计算过程.建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸变化的光刻工艺模型,有助于开发由成品率驱动的版图设计工具,自动地实现深亚微米下半导体制造中先进的掩模设计、验证和检查等任务.     

采用梯形棱镜波前分割的激光干涉光刻技术

光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。阐述了激光干涉光刻技术的基本原理。提出了一种采用梯形棱镜作为波前分割元件的激光干涉光刻方法。建立了相应的曝光系统,该系统可用于双光束、三光束、四光束和五光束等多光束和多曝光干涉光刻。给出了具有点尺寸约220nm的周期图形阵列的实验结果。