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机内测试(BIT)是现代对空情报雷达设计中的一项非常重要的功能。文章在对BITE主要定量指标建立数学模型的基础上,分析了BITE定量指标确定的流程图以及具体的确定方法,详尽地阐述了定量指标验证试验的截尾序贯试验方法,并用具体的实例进行了分析。 相似文献
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分析了烟幕激光透过率与红外透过率的对应关系,提出了利用相邻波段红外透过率推算同样光学路径激光透过率的多项式拟合方法,开展了实验研究.结果表明:特定波长的激光透过率与相应红外波段透过率利用二项式拟合,其透过率计算误差在3%以内. 相似文献
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从视频编码的国际建议MPEG-1中对“图象组”的规定出发,讨论当前视频编码中常用的固定数码率(CBR)技术和可变数码率(VBR)技术的原理和应用。 相似文献
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丁定浩 《电子产品可靠性与环境试验》2014,(3):1-5
测试性设计的主要目的,就是要求反映被测对象的工作状态和隔离故障到现场更换模块。这两项任务,要求由机内检测设备(BITE)来实现。测试性设计不能局限于满足BITE的故障检测率和故障隔离率,它更关注故障隔离的平均时间。对预测和设计故障隔离时间和虚警率提出了一种实用方法,对落实测试性设计具有重要的意义。 相似文献
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率失真优化技术能够不受编码结构和技术的限制有效地提高图像/视频压缩编码系统的性能,尤其在标准已定义的场合,因而一直以来都是热点的研究内容。围绕率失真理论,介绍了率失真优化的原理和两种常用的率失真优化方法,比较了它们的优缺点,最后研究了如何将失真优化技术和压缩编码系统中的关键技术相结合以提高系统性能。 相似文献
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SMT生产线要达到最大的产量和良好的产品质量,SMT生产线设备必须得到良好的维护和维修。贴片机是SMT生产线中的关键设备,抛料又是贴片机常见的故障现象,处理好贴片机抛料问题,即提高了贴片机贴装率,降低了贴片机的抛料率,且对降低生产成本和提高产品质量具有十分重要的作用。以西门子贴片机(机器型号:HS50、80S20和80F4)为例,介绍了贴片机抛料的成因和解决办法。 相似文献
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很多电子仪器的正常工作都离不开直流稳压电源,因此对直流稳压电源更深入的了解具有重要的意义。该文提出了对直流稳压电源的一种校准方法,使计量工作人员对直流稳压电源的校准有一定的参考价值。 相似文献
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Ca3NbGa3Si2O14单晶属硅酸镓镧的同系物,采用提拉技术生长.晶体为透明略带黄色,属三方晶系,32点群.利用TU-1901紫外可见光分光光度计测定透过波段为287~800 nm.在可见光范围内用椭圆偏振光谱法测定其非常光折射率ne大于寻常光折射率no,属于正光性单轴晶.通过一种新方法,即利用偏振光分光光度计测量透过率极值,间接计算了旋光度和旋光率,此单晶属右旋晶体,旋光率ρ非常大.在波长670 nm处,ρ为31.25°/mm;在波长307 nm处,ρ为218.75°/mm.计算了旋光率色散Boltzmann系数,绘制了旋光率色散曲线. 相似文献
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为了解决现有调光算法存在节能率低和溢出失真率高的问题,本文提出了一种高节能、低溢出率的动态调光算法。在综合考虑液晶显示器中背光亮度和像素亮度对最终显示效果存在非等效影响的实际情况下,将输入图像灰阶亮度作一定的预处理后再进行图像背光亮度计算,并且采用带有权重的线性调节方式来进行液晶像素的补偿计算。与常见调光算法的平均节能11.9%和平均溢出率12.34%相比,本文算法的平均节能可达22.15%,而溢出失真率降低至9.95%。在工程样机上对50幅图像进行了实际测试,与采用常见调光算法的显示器相比,采用本文调光算法的显示器在获得更高节能率的同时,保持了较好的显示质量,没有明显的亮度下降。 相似文献
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本文主要讨论了我国电信网中程控交换局时钟频率维护周期的确定问题,在调研以及跟踪S-1240程控交换机时钟频率的测试基础上得出有关钟率短期和长期频率偏移的数据,提出了我国电信网中程换空换局时钟频率的维护周期的参考依据。 相似文献
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无线领域的新宠--UWB技术 总被引:6,自引:0,他引:6
UWB(超宽带)技术是近年来无线领域研究的热点之一。通过对UWB技术原理的介绍,总结和分析了其对应于传统无线通信的主要优点。并通过目前UWB技术在各个领域中的应用举例,说明了其在未来无线领域的重要地位和作用。 相似文献
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提高UC3842控制开关电源精度的方法 总被引:2,自引:0,他引:2
在研制开关电源的工程实践中,为了提高基于UC3842的开关电源的控制精度以降低其电压调整率和负载调整率,对UC3842电压反馈输入端外围电路进行了研究,找到了提高其控制精度的有效且经济的方法.文中分析了影响UC3842控制的开关电源控制精度的关键因素,介绍了常规接法并指出了其存在的问题,以及改进接法和新型改进接法及其工作原理,比较了常规接法、改进接法和新型改进接法的优缺点,最后通过实验室测试证明了新型改进接法更能有效地降低电源电压调整率和负载调整率. 相似文献
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a-SiGe:H材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件,选择适当的氢稀释率、气体压强,掺锗率和辉光功率,获得了光带隙为1.45eV,光暗电导比为1.6×10^5的高质量a-SiGe:H材料。 相似文献