一种新型不溶性阳极的简介

简单回顾了不溶性阳极的优缺点,重点介绍了一种新型的不溶性阳极(SIA不溶性阳极)。     

阳极磷铜的检验与判定

本文介绍了适用于PCB电镀的阳极磷铜的检验方法,整理了阳极磷铜在使用过程中的各种不良表现,同时给出了 不良阳极磷铜所造成影响的处理方法。     

旋转阳极X射线管的新进展

本文指出了早期旋转阳极 X 射线管的缺点。介绍了带螺旋槽轴承的旋转阳极 X 射线中如何解决阳极冷却困难和轴承寿命受限等问题,使管子的性能和寿命显著提高,使诊断 X 射线管的发展出现了新的突破。     

酸性电镀铜阳极钝化探讨

硫酸盐光亮镀铜正常生产情况下,磷铜阳极表面有一种黑色的阳极膜,有助于阳极的正常溶解。当阳极出现异常阳极膜脱落,阳极出现硫酸铜结晶,电流异常朝低电流跳动,无法继续生产。本文结合实际案例对阳极钝化进行探讨和怎样预防阳极钝化。     

氧化铝、氧化钛多孔膜的阳极氧化制备与微结构比较

采用阳极氧化法分别获得了纳米结构的氧化铝多孔膜和氧化钛多孔膜。对多孔膜的微结构、形貌、晶相等进行了检测与分析;系统研究了阳极氧化电压对纳米孔孔径的影响,分析了金属箔片退火、两步阳极氧化对纳米孔有序度和孔径均匀性的影响;对阳极氧化过程中出现的新颖的上下双层和内外双层多孔膜形貌进行了分析和讨论。初步获得了纳米多孔膜的形成机理,阳极氧化铝、氧化钛纳米多孔膜在制备、微结构等方面存在许多共同点。     

酸铜电镀阳极面积对脉冲电镀铜效率的影响

酸铜脉冲电镀在生产过程中，随着槽液使用时间的不断延长，镀铜效率逐渐下降。通过对药水浓度、设备阳极和阳极膜状况的分析，经过一系列现场检查，在其他条件不变的情况下，最终确定阳极磷铜球的面积和大小规格与镀铜效率有密切联系。结果明示：对于不同大小规格的阳极磷铜球，其阳极面积变化对镀铜效率的显著影响；在生产不同类型尺寸的板件时，相比大直径的阳极磷铜球，小尺寸的阳极磷铜球阳极面积更能保证阴阳极面积比，不会显著导致镀铜效率的降低。     

电子管水冷阳极散热能力的设计计算

给出了电子管水冷阳极耗散能力的计算方法和提高水冷阳极耗散能力的措施。指出通过阳极的特殊设计可以把冷却水的对流换热状态过渡到高效率的沸腾换热状态，大大提高了阳极允许功率耗散密度。     

铝电解电容器阳极氧化膜的结构

铝经阳极氧化形成的阳极氧化膜分为无定形和晶形两种基本结构，阳极氧化膜对铝电解电容器的性能有极大的影响，本文叙述阳极氧化膜的结构、生长机理及与形成条件的关系。     

铝电解电容器用高比容阳极箔制备技术进展

综述了近10年来铝电解电容器用高比容阳极箔制备技术的研究现状与发展趋势。重点评述了sol-gel法、水解沉积法、电化学沉积法及热处理手段等提高阳极箔比容的技术,对上述方法所制备阳极箔的氧化膜生长机理进行了探讨,提出了发挥有效面积S、形成常数K与相对介电常数εr的共同作用是高比容铝阳极箔制备技术的发展方向。     

铌电容器、聚合物涂敷阳极和多阳极——提高比容,降低ESR的新技术

德国EPCOS AG公司钽电容器部技术开发室主任Werner Lohwasser博士和技术革新室经理Holger Zillgen博士共同撰文介绍了EPCOS AG公司如何用铌电容器技术、聚合物涂敷阳极技术和多阳极技术满足市场对高比容,低ESR钽电容器的要求。     

荫罩式等离子体显示板中放电气体对阳极条纹的影响

近几年等离子体显示单元中的阳极条纹现象开始受到人们的关注,因为通过研究条纹现象可以更加深入地理解等离子体放电单元的放电机理,从而可以找到提高放电效率的途径,采用基于PIC-MCC(Particle in Cell-Monte Carlo Collision)模型的Oopic Pro软件模拟,并分析荫罩式等离子体显示板(SMPDP)放电的基本过程,研究了不同气体组成成分对阳极条纹的影响以及所产生的阳极条纹对放电空间电位的影响.     

微晶磷铜阳极在高端PCB制造中的应用

介绍PCB制造过程中使用的酸性硫酸盐镀铜阳极的特点;普通磷铜阳极、微晶磷铜阳极材料的组织结构和电化学极化情况;以及微晶磷铜阳极在高端PCB制造中的优点和应用。     

Improved efficiency of indium-tin-oxide-free organic light-emitting devices using PEDOT:PSS/graphene oxide composite anode

We have demonstrated an indium-tin-oxide free organic light-emitting device (OLED) with improved efficiency by doping poly (3,4-ethylene dioxythiophene):poly (styrene sulfonate) (PEDOT:PSS) with graphene oxide (GO) as a composite anode. In comparison with a pure PEDOT:PSS anode, 55% enhancement in efficiency has been obtained for the OLEDs based on the PEDOT:PSS/GO composite anode at an optimal condition. The PEDOT:PSS/GO composite anode shows a lower hole-injection barrier, which contributes to the improved device efficiency. Moreover, both high transmittance and good surface morphology similar to that of the pure PEDOT:PSS film also contribute to the enhanced efficiency. It is obvious that composite anode will generally be applicable in organic optoelectronic devices which require smooth and transparent anode.     

Aluminum/MoO3 anode thin films:an effective anode structure for high-performance flexible organic optoelectronics

正We report AI/MoO_3 thin film used as a complex anode in high-performance OLEDs.The unique efficacy of the device was found to result from the enhanced injection of holes into the commonly used hole-transporting molecules due to a large reduction in the interface dipole at the anode/organic interface.The superior optical characteristics are attributed to a strong cavity effect.Due to the ease of processing Al/M0O_3 we successfully demonstrated large-area flexible OLEDs on plastic substrates with uniform emission.     

Al/MoO3 阳极薄膜：一种有效高性能的柔性有机光电子的阳极结构

在本文中,我们报导了一种Al/MoO3复合阳极结构的高性能OLEDs。发现该结构器件的独特效率是由于在阳极/有机界面上的界面偶极子有很大的下降,从而导致空穴注入到常用的空穴传输分子上能力得到增强。强微腔作用进一步增强了电致发光强度,同时由于Al/MoO3易于加工,我们成功的在朔料基板上研制出发光均匀的大面积柔性OLEDs。     

Al/SiO_2/Si表面Al_2O_3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法     

用于X波段行波管实验的脉冲电源研制

基于X波段行波管实验研究的需要,研制了行波管脉冲电源系统。该脉冲电源系统主要由阳极控制电源、慢波线电源、收集极电源、辅助电源和控制系统组成,其中关键在于阳极控制电源的研制。针对阳极控制电源的输出脉冲宽度变化大的特点,采用串联固态开关控制阳极电压。实验结果表明,该脉冲电源系统满足行波管实验研究的要求,在X波段行波管上实现了阳极脉冲电压脉宽在4μs~3000μs内连续可调。     

CT机X射线管用旋转阳极靶材市场研究与预测

阐述了CT机X射线管用旋转阳极靶材的工作原理及其常见失效形式。随着CT机市场的日渐壮大,其对旋转阳极靶材的需求将越来越大。文中从3个方面全面阐明了国内CT机X射线管用旋转阳极靶材的市场需求及其产业现状。最后,提出了整合国内旋转阳极靶材行业现有的技术力量,引进专业技术人才,自主研发的建议,以期尽快实现高质量CT机X射线管旋转阳极靶材的国产化。     

Conductivity modulation enhanced lateral IGBT with SiO2 shielded layer anode by SIMOX technology on SOI substrate

A new lateral insulated-gate bipolar transistor (LIGBT) with a SiO2 shielded layer anode on SOI substrate is proposed and discussed.Compared to the conventional LIGBT,the proposed device offers an enhanced conductivity modulation effect due to the SiO2 shielded layer anode structure which can be formed by SIMOX technology.Simulation results show that,for the proposed LIGBT,during the conducting state,the electron-hole plasma concentrations in the n-drift region are several times larger than those of the conventional LIGBT; the conducting current is up to 37% larger than that of the conventional one.The enhanced conductivity modulation effect by SiO2 shielded layer anode does not sacrifice other characteristics of the device,such as breakdown and switching,but is compatible with other optimized technologies.