开关电源散热器的辐射发射

开关电源电路中,接地散热器提供了一条共模骚扰高频谐波电流的通路,使共模传导电磁干扰增加;非接地散热器切断了共模传导电磁干扰的通路,但增强了散热器辐射发射,射频辐射的增强能够引起设备误操作或者违反目前的电磁兼容性标准.文中分析功率开关管散热器产生辐射发射和共模传导电磁干扰的机理.采用有限元方法,通过电磁场数值计算,探讨非接地散热器的几何形状、尺寸和安装方式对其辐射发射的影响.数值计算结果表明:散热器面积越大、高次谐波频率越高,辐射电场幅值就越大,但是辐射电场幅值与散热器面积、高次谐波频率无线性关系;相同面积的散热器中,圆形散热器的散热效果最佳、辐射电场最小.因此,开关电源设计中,应根据散热效果、辐射EMI和共模传导EMI,综合考虑散热器面积、形状的选择,以及散热器是否接地.     

飞机开关负载传导干扰的测量方法

开关负载在飞机交流电网的导线上产生的干扰主要是传导干扰.对使用射频电流探头和线性阻抗稳定网络测量开关负载传导干扰的方法进行了介绍,并用matlab对线性阻抗稳定网络测量方法进行了仿真.这两种方法能够容易地测出共模与差模干扰.     

反激式开关稳压电源传导干扰研究

开关式直流稳压电源的电磁干扰不仅对电网产生干扰,导致在同一电网上供电的其它设备不能正常工作,而且严重的谐波电压电流会在开关电源内部产生电磁干扰,从而造成开关电源内部工作不稳定,使开关电源性能降低。文中以反激式开关稳压电源为研究对象,主要分析了传导测试中,差模、共模传导两种方式噪声源的产生机理,建立了开关电源传导干扰模型,采用EMI滤波器即共模滤波和差模滤波,并详细研究了加入π型滤波器、输入x电容、共模扼流圈等对开关稳压电源传导干扰的抑制效果,得出传导干扰抑制在标准限制范围的改进措施,整改后可让传导干扰强度从100μV降低到200 nV并通过认证。研究结果表明该措施对抑制开关稳压电源传导干扰是有效的。     

可控恒流的小功率高效率直流电源

本论文以Buck降压斩波为核心,以TI公司的降压控制器LM5117芯片CSD18532KCS MOS场效应管为核心器件,设计并制作一个降压型直流开关稳压电源,整个系统分为两种模式,一种是恒压,另一种是恒流,输入16V时,输出直流电压为5V,输出电流可调并大于3A,具备过流保护功能和识别负载能力,输出噪声纹波电压峰峰值达到题目要求,电源实测效率达到89.8%。     

PWM逆变器采样通路传导噪声的分析与抑制

提高开关管的开关频率,可以提高输出电压的电能质量,增强PWM变换器的动态调节性能。然而,较高开关频率的应用使得开关过程引起的高频噪声对控制系统的采样产生更加深刻的影响。本文主要针对PWM逆变器传导噪声产生源和采样调理电路的传导通路进行分析,并利用实验测得噪声传导等效电路中各无源器件的参数。通过对该等效电路进行时域分析,采用一种简单的传导噪声抑制方法。仿真结果与实验结果基本一致,证明了共模传导等效电路模型及其分析的正确性。     

充电泵生成正偏压

在隔离正向变换器电源的输出返回引脚处加平均滤波电感器,能有效地降低电源产生的共模噪声。这种技术可以消除输出电压上出现的某些高频尖峰。这种电感器对初级开关晶体管产生的高频电流有隔断效应。这些电流经变压器的分布电容而流向系统接地。这种结构可以把输出整流器二极管的外壳直接与直流输出电压相接,并消除通常在接头上出现的高dV/dt。用这种连接方法就可以避免共模电流流过二极管外壳与接地散热器之间隔离阻挡电容。但是这种方法也阻止次级偏压电压的生成,而这种偏压通常是电压脉冲在均衡电感器输入处对电容器峰值充     

多晶硅薄膜晶体管kink效应的建模

从kink效应产生的物理机理出发,介绍了目前国内外研究多晶硅薄膜晶体管kink电流所采用的两种主要方法.一种是基于面电荷的方法,另一种是基于求雪崩倍增因子的方法.kink效应具体表现为器件在饱和区跨导和漏电流的显著增加.在数字电路中,kink效应会引起功耗的增加和开关特性的退化;而在模拟电路中,kink效应将降低最大增益和共模抑制比.因此,多晶硅薄膜晶体管kink效应的研究对液晶显示的发展具有重大意义.     

应用于开关电源的有源共模EMI滤波器

在开关电源中,高速的开关造成了严重的共模噪声干扰.介绍了一种应用于开关电源的有源共模EMI滤波器.该有源滤波器基于电流检测、电流补偿的原理,以高速运放为核心.试验证明,该有源滤波器对共模噪声的抑制能力比无源器件高20 dB.     

一种0.8V 2.4μA CMOS全差分放大器

基于0.25μm标准CMOS工艺,采用0.8V开关电容共模反馈电路技术和PMOS衬底驱动技术提出了一种新型0.8V 2.4μA全差分放大器.在0.8V单电源电压下,全差分放大器的直流开环增益为63.8dB,相位裕度为60度,单位增益带宽为7.4MHz,输出电压范围为18～791mV,其中新型模拟开关的输入/输出电压范围为0～800mV,整个放大器的电源电流为2.4μA,版图面积为410×360μm2.     

HP元器件选购指南

光耦器件主要技术指标 共模瞬态抑制(CMTR—common-mode transient rejection) 指光耦器件耐受共模噪声的能力,它包括两部分:一是指能够承受的共模电压V_(CM)(V)的最大幅度,二是指能够承受的共模电压的最大变化率