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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 140 毫秒
1.
穆兰 《电子设计工程》2013,(21):175-177
UHF RFID读写器在发射大功率射频信号的同时,接收标签返回的微弱信号.UHF RFID通讯特点对频率综合器的频率精度和相位噪声有很高的要求.LMX2531是一款能够满足RFID通讯需要的产品,它采用频率校准电流来提高频率精度,采用自带环路滤波器和控制充电泵电流等措施减少相位噪声.本文描述了基于LMX2531的RFID读写器射频电路,分析了它的功能,详细介绍了如何编程LMX2531工作参数.  相似文献   

2.
频率合成器在现代电子系统中应用日益广泛,UHF(超高频)宽带数字频率合成器是地囿数字电视广播覆盖网的重要设备——数字电视激励器和转发器中的主要组成单元。提出了一种UHF宽带小频率步进、低相噪数字频率合成器的设计方法,介绍了系统各部分的设计方法、器件选择、相关参数的计算及PCB(印制电路板)设计,最后给出了系统射频输出信号相噪测试结果,验证了本设计方法的有效性和设计方案的可行性。  相似文献   

3.
UHF频段RFID(射频识别)是一种利用电磁波反向散射原理实现对电子标签远距离读写的技术.本文在基于微带线多端口射频通道技术方案的UHF RFID阅读器工作原理的基础上,分析使用分立元件代替微带线从而实现阅读器小型化的方法并使用ADS对此射频方案进行仿真,论证了方案的可实现性.  相似文献   

4.
在超高频射频识别(UHF RFID)系统近场(NF)密集标签应用中,由于微带标签天线的结构特点,传统线圈间互阻抗表达式在预估系统频率偏移等互耦效应问题方面误差较大,精确性不够。首先,基于变压器模型,从无线电能传输的角度推导了近场密集标签间的互阻抗表达式。然后,结合近场电感耦合型标签,通过建立电磁仿真模型间接获取有关电气参数值。最后,验证推导公式并从影响双标签间互阻抗的环境因素角度去研究UHF RFID近场频率偏移问题。测试结果表明,当标签间距小于30 mm时,推导的互阻抗表达式应用于频率偏移计算误差范围为1.6~7.3 MHz。研究结果为基于标签间互阻抗预估UHF RFID近场标签间的互耦效应问题提供了参考依据。  相似文献   

5.
随着相关技术的不断完善和成熟,RFID 产业将成为一个新兴的高技术产业群,成为国民经济新的增长点.该文根据EPCglobalTM Class 1 Generation 2标准中有关RFID跳频频率的规定,结合RFID射频前端的开发要求,设计出一款新型的RFID频率合成器.频率合成器以Analog Devices Inc公司的时钟集成电路AD9540(内含DDS模块)为核心,通过单片机AT89C51加以配置及控制.输出的DDS跳频信号与800 MHz信号混频得到射频前端所需的832~858 MHz跳频信号,通过滤波及放大最终输出.实验证明,基于DDS的跳频速度快,频率精确度高,各方面性能指标符合标准要求.  相似文献   

6.
《现代电子技术》2016,(23):72-77
为了对内含铝箔的卷烟包装进行防伪识别,设计了一种无源超高频射频识别(UHF RFID)抗金属标签天线。该天线结构简单,可印刷于烟盒表面,并能与包装的金属拉线结构一体化,增强标签的防伪性能。采用Ansoft HFSS软件建模仿真,分析了主要结构参数的变化对标签天线输入阻抗的影响。优化后的结果表明,该天线具有较高的增益、较远的读取距离、良好的方向性和阻抗匹配特性,且带宽能够覆盖915 MHz UHF RFID频段范围。制作标签样品并进行实际测试,结果表明:实测与仿真结果较吻合,读取距离可达8 m,能够满足实际应用的需求。  相似文献   

7.
章少杰 《电子器件》2009,32(6):1035-1039
本文从设计符合EPCTM C1G2协议的超高频无源射频识别标签芯片的角度出发,对RFID标签芯片模拟前端电路进行设计.通过对各个关键电路的功耗与电源进行优化,实现了一个符合协议要求的低电压、低功耗的超高频无源RFID标签芯片的模拟前端.该UHF RFID标签模拟前端设计采用SMIC 0.18 μm EEPROM CMOS工艺库.仿真结果表明,标签芯片模拟前端的整体功耗控制在2.5 μW以下,工作电源可低至1 V,更好地满足了超高频无源射频识别标签芯片应用需求.  相似文献   

8.
提出了一种应用于超高频(Ultra high frequency,UHF)射频识别(Radio frequency identification,RFID)标签芯片的射频测试技术。针对UHF RFID标签芯片射频电路的特殊工作方式,该技术可对芯片的输入阻抗和灵敏度进行准确测量,并同时完成芯片功能验证。与传统的RFID标签芯片射频测试技术相比,文中的方案利用商用阅读器和可调衰减器代替了高端或RFID专用测试设备,因此极大降低了测试成本。利用该测试方案,对已开发的UHF RFID标签芯片进行了测试与验证,并利用测试结果完成了折叠偶极子天线设计以实现芯片与天线之间的阻抗匹配。将芯片与天线组装成无源标签,其灵敏度可达-10.5 dBm。实验结果证明了该方案的正确性。  相似文献   

9.
UHF频段RFID设备的技术要求及测试   总被引:3,自引:0,他引:3  
旨在介绍超高频段(UHF)射频识别(RFID)设备的技术要求及测试,涵盖了政府强制性测试、一致性测试和性能测试三个方面。同时也简要介绍了EPC第二代UHF空中接口标准EPCglobalGen2和新兴的手机RFID技术,以及国家通信计量站在RFID领域的检测能力,并对我国UHF频段RFID的发展做出了展望。  相似文献   

10.
围绕第三代移动通信系统 W-CDMA移动台中的频率合成器进行研究 ,采用美国国家半导体公司的小数分频双锁相环路 LMX2 3 5 0设计了专用于 W-CDMA移动台的集成化双锁相环路频率合成器。内容包括锁相式频率合成器的环路设计和仿真 ,射频压控振荡器以及中频压控振荡器的设计和仿真。最后给出了集成化双锁相环路频率合成器应用于直接射频调制发射 /接收中频解调方案 W-CDMA移动台的实验结果。  相似文献   

11.
UHF RFID阅读器中优化小数频率综合器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出了一个采用0.18μm CMOS工艺实现,基于三阶、三比特增量-总和调制技术,用于单片超高频射频识别阅读器的小数分频频率综合器。根据所采用的直接变频收发机结构特点及EPCglobal C1G2、ETSI协议的射频部分规范,确定阅读器本地振荡源相位噪声指标要求。测试结果表明:通过配置调制器的噪声传递函数零点,可使该频率综合器200 kHz频偏处的相位噪声得到有效抑制;当从1.8 V电源电压上抽取9.6 mA电流时,距离900 MHz测试中心频率200 kHz、1 MHz频偏处的相位噪声分别为-103与-132 dBc/Hz。  相似文献   

12.
李几超 《电讯技术》2007,47(5):163-165
介绍了AD9858在超短波无线电通信领域中的一种应用.基于AD9858设计一种频率合成器,该频率合成器采用"DDS 倍频"的方案,具有相噪低、跳速快等优点,可用于超短波无线电通信系统.  相似文献   

13.
频率调制连续波(FMCW)的产生(即FMCW信号源)是声表面波射频识别系统频域采样阅读器的重要组成部分。为了满足扫频速度、带宽和线性度等要求,采用直接数字频率合成器(DDS)与锁相环(PLL)混频,并结合IQ调制的方式设计了超高频FMCW信号源。实际制作了信号源电路,DDS芯片输出I、Q两路正交信号,并分别以差分形式传输至IQ调制芯片进行上变频。测试了DDS输出信号的差分、正交特性,分别对信号源产生的单频信号和扫频信号进行了测试。最后搭建系统对声表面波标签进行测试。测试结果表明信号源设计的有效性。  相似文献   

14.
采用0.18μmRF CMOS工艺结合EPC C1G2协议和ETSI规范要求,实现了一种应用于CMOS超高频射频识别阅读器中的低噪声ΔΣ小数频率综合器。基于三位三阶误差反馈型ΔΣ解调器,采用系数重配技术,有效提高频率综合器中频段噪声性能;关键电路VCO的设计过程中采用低压差调压器技术为VCO提供稳定偏压,提高了VCO相位噪声性能。多电源供电模式下全芯片偏置电流为9.6mA,测得在中心频率频偏200kHz、1MHz处,相处噪声分别为-108dBc/Hz和-129.8dBc/Hz。  相似文献   

15.
李华 《山西电子技术》2013,(6):81-82,97
射频识别技术(RFID)具有广泛的应用前景,由于技术参数很难确定导致其相关应用系统开发十分困难。针对此类问题,利用MATLAB应用软件对超高频段的RFID系统进行仿真建模,分析和研究其关键技术的相关参数,以达到提供指导应用系统的开发的目的。  相似文献   

16.
结合EPC global C1 G2协议和ETSI规范要求,讨论了频率综合器噪声性能需求,并设计实现了用于单片CMOS UHF RFID阅读器中的低噪声三阶电荷泵锁相环频率综合器.在关键模块LC VCO的设计中,采用对称LC滤波器和LDO 调节器提高VCO相位噪声性能.电路采用IBM 0.18 μm CMOS RF工艺实现,测得频率综合器在中心频率频偏200 kHz和1 MHz处相位噪声分别为-109.13 dBc/Hz和-127.02 dBc/Hz.  相似文献   

17.
Ultra-high frequency (UHF) radio frequency identification (RFID) system suffers from large leakage of the carrier due to insufficient TX-to-RX isolation. A narrowband leaking carrier canceller (LCC) for UHF RFID is proposed to enhance the isolation. Hardware realization is carried out based on simulation model in ADS (Advanced Design System). Measurement results indicate that the TX-to-RX isolation is improved from 20 dB to above 40 dB within UHF RFID frequency band of 920–925 MHz. Upper limit of increase in isolation versus amplitude and phase distortion are also presented and discussed.   相似文献   

18.
A low cost fully integrated single-chip UHF radio frequency identification(RFID) reader SoC for short distance handheld applications is presented.The SoC integrates all building blocks—including an RF transceiver,a PLL frequency synthesizer,a digital baseband and an MCU—in a 0.18μm CMOS process.A high-linearity RX frontend is designed to handle the large self-interferer.A class-E power amplifier with high power efficiency is also integrated to fulfill the function of a UHF passive RFID reader.The measure...  相似文献   

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