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在表层硅厚度为180um的SIMOX材料上,用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为2.5μm的全耗尽CMOS/SIMOX器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平,使PMCOS和NMOS的漏电分别达到3.O×10-11A/μm和2.2×10-10A/μm。5V时,例相器的平均延迟时间达6ns。 相似文献
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硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。 相似文献
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本文较为详细地介绍了能有效地改善SOS材料结晶质量的双固相外延DSPE工艺,给出了优化的工艺条件.通过比较用DSPE及普通SOS材料制作的CMOS/SOS器件和电路的特性可以看出,采用DSPE工艺能显著改善SOS材料的表面结晶质量,应用DSPE工艺在硅层厚度为350nm的SOS材料上成功地研制出了沟道长度为1μm的高性能CMOS/SOS器件和电路,其巾NMOSFET及PMOSFET的泄漏电流分别为2.5pA和1.5pA,19级CMOS/SOS环形振荡器的单级门延迟时间为320ps. 相似文献
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本文简要介绍短沟道CMOS/SIMOX器件与电路的研制。在自制的SIMOX材料上成功地制出了沟道长度为1.0μm的高性能全耗尽SIMOX器件和19级CMOS环形振荡器。N管和P管的泄漏电流均小于1×10-12A/μm,在电源电压为5V时环振电路的门延迟时间为280ps。 相似文献
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本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器. 相似文献
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本文报道了采用全MOCVD生长的1.55μm单片集成DFB-LD/EA组件的制作和在DWDM系统上的传输测试结果,该发射模块在2.5Gbit/s DWDM系统上进行传输试验,传输240km后无误码,其通道代价≤1dB,BER=10^-12。 相似文献
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本文主要研究了硅片直接键合技术制备SOI材料,并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了1μm沟道CMOS环形振荡器。由于SOI。SDB中的硅膜保持着本体硅的性质,故所得陪管的特性比较好,(迁移率:NMOS为680cm2/V·s,PMOS为370cm2/V·s,跨导:NMOS为38mS,PMOS为25mS)。但发现MOS管具有“Kink”效应,随着硅膜厚度的减小,“Kink”效应有所抑制。实验所得CMOS19级环形振荡器的单级延时为0.79ns,由此可见,SOI/SDB材料在VLSI中将有很大的发展前景 相似文献
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对MOCVD生长的GaAs(40)/AlxGa(1-x)As(300)多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收.用Bruker红外光谱仪测量,发现了一个峰值在986cm-1(10.1μm)带宽为237cm-1(9~11.5μm)的强吸收峰,该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致. 相似文献
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In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法 总被引:1,自引:1,他引:0
采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。 相似文献
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MOCVD生长GaAs/AlxGa1—xAs多量子阱子带间红外吸收特性 总被引:1,自引:1,他引:0
对MOCVD生长的GaAs(40A)/AlxGa1-xAs(300A)多量子阱结构观察到阱内电子从基态到第一激态跃迁引起的红外吸收。用Bruker红外光谱仪测量,发现了一个峰值在986cm^-1(10.1μm)带宽为237cm^-1(9~11.5μm)的强吸收峰,该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致。 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献